碳化硅半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供能够降低电荷不平衡的碳化硅半导体装置的制造方法。具有：工序(a)，在n型的碳化硅半导体基板之上通过外延生长形成n型的漂移层；工序(b)，对漂移层的杂质浓度进行测定；工序(c)，在漂移层之上形成具有周期性地设置的多个第1开口部的离子注入掩模；工序(d)，经由多个第1开口部对p型的杂质离子进行注入，在漂移层中形成多个p型的第2支柱区域，将第2支柱区域间的漂移层作为n型的第1支柱区域；工序(e)，在漂移层之上通过外延生长形成n型的外延层；以及工序(f)，在外延层中形成多个晶体管的单位单元，工序(d)包含以与工序(b)中的测定结果具有正相关关系的方式对离子注入量进行前馈控制的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅半导体装置的制造方法，特别涉及能够改善耐压与接通电阻的折衷关系的碳化硅半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、作为功率电子设备中使用的半导体装置，主流的是在半导体基板的两面具有电极的纵向型半导体元件，例如，典型的是mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)或igbt(insulated gate bipolartransistor：绝缘栅双极晶体管)。就通常的纵向型mosfet而言，如果设为断开状态，则在漂移层中耗尽层延伸，其作为耐压保持层起作用。如果漂移层的厚度小，或者漂移层的杂质浓度高，则只能形成薄的耗尽层，因此元件的耐压降低。另一方面，在mosfet处于接通状态时，流通从半导体基板和漂移层流过的主电流，该主电流所承受的电阻被称为接通电阻。漂移层所具有的电阻，即漂移电阻比半导体基板的电阻高，因此是mosfet的主要的电阻成分之一。因此，通过降低漂移电阻能够实质上降低接通电阻。针对这一状况的典型的方法是减小漂移层的厚度或提高漂移层的杂质浓本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其具有：

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，

3.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其具有：

4.根据权利要求3所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，

5.根据权利要求1或4所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，

6.根据权利要求1或4所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，

7.根据权利要求1或3所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，

8.根据权利要求1或3所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，

9.根据权利要求1或3所述的碳...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其具有：

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，

3.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其具有：

4.根据权利要求3所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，

5.根据权利要求1或4所述的碳化硅半导体装置的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：永久雄一，本田成人，赤尾真哉，山本茂久，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：