一种光辅助电化学刻蚀装置及制备硅有序大孔阵列的方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种的光辅助电化学刻蚀装置及制备硅有序大孔阵列的方法，实现硅有序大孔阵列的简便且低成本的制备。包括：双槽主体、电源单元、光源单元、循环单元和搅拌单元，其中，所述双槽主体包括：盛装刻蚀液的反应槽、邻接所述反应槽且盛装导电液的导电液槽以及位于所述反应槽和所述导电液槽之间的硅片；所述光源单元以从所述导电液槽侧照射所述硅片的形式位于所述双槽主体外侧；所述循环单元与所述双槽主体的所述导电液槽连通；所述搅拌单元安装于所述双槽主体的所述反应槽内部；所述电源单元以与所述导电液槽和所述反应槽和所述硅片形成电回路的形式连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅微细加工的，具体涉及一种光辅助电化学刻蚀装置及制备硅有序大孔阵列的方法。

技术介绍

1、随着信息社会的不断发展，电子器件小型化的需求不断增加。而电容器作为一种主要的无源器件，通过刻蚀可以在基底表面形成三维图形，以提升其电容密度。这种3d电容器通常采用硅有序大孔阵列作为3d基底材料。其中，硅有序大孔阵列是一类特殊的多孔硅结构，相较于孔尺寸和孔形态复杂多变、难以精准控制的多孔硅，硅有序大孔阵列要求孔尺寸均匀且具有垂直光滑的侧壁。硅有序大孔阵列的制备方法主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀两大类，前者依赖昂贵的设备导致成本大幅度提高，后者主要通过电化学刻蚀可以低成本地获得所需样品，因此被广泛用于硅有序大孔阵列的制备。

2、具体地，湿法刻蚀装置根据刻蚀槽的结构一般可划分为单槽装置和双槽装置。在单槽装置中，硅片作为阳极，在进行电化学刻蚀前，硅片背面沉积欧姆接触层。然而，此类装置中，为了形成良好的欧姆接触，通常采用扩散掺杂或金属沉积等方式，易对硅片造成污染且增加了工艺步骤和成本，并且光源直接照射硅片，导致硅片发热，影响刻蚀均匀性，需要对含氢氟酸溶液的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

8.一种制备硅有序大孔阵列的方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的制备硅有序大孔阵列的方...

【技术特征摘要】

1.一种光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的光辅助电化学刻蚀装置，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：刘志甫，张静，张发强，马名生，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：