本申请涉及零温度系数电流基准电路，涉及模拟集成电路设计技术领域。该电路包括启动电路模块、正温度系数电流产生电路模块、负温度系数电流产生电路模块以及求和电路模块；启动电路模块、正温度系数电流产生电路模块、负温度系数电流产生电路模块以及求和电路模块相互连接。正温度系数电流产生电路产生一个与温度正相关的电流，负温度系数电流产生电路产生一个与温度负相关的电流，电流求和电路将正温度系数电流和负温度系数电流按比例叠加，并通过电流镜输出一个零温度系数的基准电流。启动电路使正温度系数电流产生电路以及负温度系数电流产生电路在上电时摆脱简并点，保证电路上电后能正常工作。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及模拟集成电路设计，特别涉及一种零温度系数电流基准电路。
技术介绍
1、电流基准电路为振荡器、放大器以及锁相环等模块提供偏置电流，是数模混合集成电路中重要的模块之一，电流基准电路产生的电流的精度和稳定性直接影响到系统中其他模块电路的性能，因此产生一个与工艺、电源电压、温度无关的参考电流是有意义并且具有挑战性的。
2、相关技术中，请参考图1，其示出了传统的电流基准电路，通过放大器将基准电压施加在一个电阻上转换成基准电流，该电路中与工艺、电源电压以及温度都无关的参考电压vref，可以由带隙基准电路产生，尽量选择不受温度影响的高掺杂电阻。
3、然而，不可避免地，放大器失调以及电阻的温度特性会给输出电流带来误差，同时电阻受工艺影响波动能达到20％，因此，图1电路很难产生高精度的基准电流。
技术实现思路
1、本申请关于一种零温度系数电流基准电路，能够产生高精度的基准电流，该零温度系数电流基准电路包括启动电路模块、正温度系数电流产生电路模块、负温度系数电流产生电路模块以及求和电路模块；
2、启动电路模块、正温度系数电流产生电路模块、负温度系数电流产生电路模块以及求和电路模块相互连接；
3、启动电路模块用于确保电路启动及运行；
4、正温度系数电流产生电路模块用于在零温度系数电流基准电路产生成与温度正相关的第一电流；
5、负温度系数电流产生电路模块用于在零温度系数电流基准电路产生与温度系数负相关的第二电流；
6、求和电路模块用于将第一电流与第二电流按比例叠加，以输出基准电流，基准电流的温度系数为0。
7、在一个可选的实施例中，启动电路模块包括第一nmos管(16)、第二nmos管(17)、第一pmos管(18)、第二pmos管(19)、第三pmos管(20)、以及第四pmos管(21)；
8、第一nmos管的源端接地；
9、第一nmos管的栅端和漏端相连接，并与第二nmos管的源端连接；
10、第二nmos管的栅端与第一pmos管的栅端连接；
11、第二nmos管的漏端与第一pmos管的漏端、第三pmos管的栅端以及第四pmos管的栅端连接；
12、第一pmos管的源端与第二pmos管的漏端连接；
13、第二pmos管的源端与电源连接；
14、第三pmos管的源端与电源连接；
15、第四pmos管的源端与电源连接；
16、第二nmos管的栅端、第一pmos管的栅端、第二pmos管的栅端、第三pmos管的漏端以及第四pmos管的栅端用于与零温度系数电流基准电路内的其他电路模块连接。
17、在一个可选的实施例中，正温度系数电流产生电路模块包括第一pnp三极管(q1)，第二pnp三极管(q2)、第三nmos管(1)、第四nmos管(2)、第五pmos管(3)和第六pmos管(4)；
18、第一pnp三极管的发射极与第三nmos管的源端连接；
19、第一pnp三极管的集电极接地；
20、第一pnp三极管的基极与第二pnp三极管的基极连接且接地；
21、第二pnp三极管的发射极与第四nmos管的源端连接；
22、第二pnp三极管的集电极接地；
23、第三nmos管的栅端与第三nmos管的漏端相连，并与第四nmos管的栅端以及第五pmos管的源端连接；
24、第四nmos管的漏端与第五pmos管栅端、第六pmos管的栅端以及第六pmos管的漏端连接；
25、第五pmos管的源端与电源连接；
26、第五pmos管的栅端与第六pmos管的栅端和漏端以及所第四nmos管的漏端连接；
27、第六pmos管的源端与电源连接；
28、第六pmos管的漏端与第六pmos管的栅端相连；
29、第三nmos管的栅端和漏端、第四nmos管的栅端、第四nmos管的漏端、第五pmos管的栅端、第六pmos管的漏端以及栅端用于与零温度系数电流基准电路内的其他电路模块连接。
30、在一个可选的实施例中，负温度系数电流产生电路模块包括第五nmos管(7)、第六nmos管(5)、第七pmos管(6)、第八pmos管(8)以及第九pmos管(9)；
31、第五nmos管的源端接地；
32、第五nmos管的栅端和漏端相连，且与第七pmos管的栅端和漏端连接；
33、第六nmos管的源端接地；
34、第六nmos管的栅端与第七pmos管的源端以及第九pmos管的漏端连接；
35、第六nmos管的漏端与第八pmos管的栅端和漏端和第九pmos管的栅端连接；
36、第七pmos管的栅端和漏端相连；
37、第八pmos管的源端与电源连接；
38、第八pmos管的栅端与漏端相连；
39、第九pmos管的源端与电源连接；
40、第七pmos管的源端、第六nmos管的栅端、第六nmos管的漏端、第八pmos管的栅端和漏端以及第九pmos管的栅端用于与零温度系数电流基准电路内的其他电路模块连接。
41、在一个可选的实施例中，电流求和电路模块包括第七nmos管(12)、第八nmos管(13)、第十pmos管(10)、第十一pmos管(11)、第十二pmos管(14)以及第十三pmos管(15)；
42、第七nmos管的源端接地；
43、第七nmos管的栅端和漏端相连，且与第八nmos管的栅端、第十pmos管的漏端以及第十一pmos管的漏端连接；
44、第十pmos管的源端与电源连接；
45、第十一pmos管的源端与电源连接；
46、第八nmos管的源端接地；
47、第八nmos管的漏端与第十二pmos管的栅端和漏端以及第十三pmos管的栅端连接；
48、第十二pmos管的源端与电源连接；
49、第十二pmos管的漏端以及栅端相连；
50、第十三pmos管的源端与电源连接；
51、第十三pmos管的漏端与零温度系数电流基准电路的输出端连接；
52、第十pmos管的栅端以及第十一pmos管的栅端用于与零温度系数电流基准电路内的其他电路模块连接。
53、在一个可选的实施例中，第二nmos管的栅端与第四nmos管的漏端、第六pmos管的栅端和漏端以及第十一pmos管的栅端连接；
54、第一pmos管的栅端与第四nmos管的漏端、第六pmos管的栅端和漏端以及第十一pmos管的栅端连接；
55、第二pmos管的栅端与第六nmos管、第八pmos管的栅端和漏端以及第十pmos管的栅端连接；
56、第三pmos管的漏端与第六本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述电路包括启动电路模块、正温度系数电流产生电路模块、负温度系数电流产生电路模块以及求和电路模块；
2.根据权利要求1所述的零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述启动电路模块包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、以及第四PMOS管；
3.根据权利要求2所述的零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流产生电路模块包括第一PNP三极管，第二PNP三极管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；
4.根据权利要求3所述的零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述负温度系数电流产生电路模块包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管以及第九PMOS管；
5.根据权利要求4所述的零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述电流求和电路模块包括第七NMOS管、第八NMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管以及第十三PMOS管；
6.根据权利要求5所述的零温度系数电流基准电路，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述第一NMOS管为二极管连接形式的倒比管。
8.根据权利要求2所述的零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述第二NMOS管的尺寸小于所述第二PMOS管的尺寸，所述第二PMOS管的驱动能力大于所述第二NMOS管的驱动能力。
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【技术特征摘要】
1.一种零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述电路包括启动电路模块、正温度系数电流产生电路模块、负温度系数电流产生电路模块以及求和电路模块；
2.根据权利要求1所述的零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述启动电路模块包括第一nmos管、第二nmos管、第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、以及第四pmos管；
3.根据权利要求2所述的零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流产生电路模块包括第一pnp三极管，第二pnp三极管、第三nmos管、第四nmos管、第五pmos管和第六pmos管；
4.根据权利要求3所述的零温度系数电流基准电路，其特征在于，所述负温度系数电流产生电路模块包括第五nm...
【专利技术属性】
技术研发人员：王贵云，
申请(专利权)人：无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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