【技术实现步骤摘要】
一种高压PTAT电流源电路
[0001]本技术属于模拟集成电路设计领域,特别是涉及一种高压PTAT电流源电路。
技术介绍
[0002]PTAT(Proportional to absolute temperature)电流源是一种输出电流与绝对温度成正比的电路,广泛应用于模拟集成电路和混合信号集成电路。PTAT电流源为集成电路中其它模块提供电流。
[0003]传统的应用于低压电源的带隙PTAT电流源,一般都有带隙结构和启动电路。其中带隙结构一般由两条PTAT电流支路组成,两条支路的电流相等或成整数倍关系。在高压电源的应用环境中,为了实现承受高压的目的,在传统的结构的基础上,无论是带隙结构和启动电路,都需要插入或更换高压器件。传统的高压PTAT电流源电路如图1所示。P101、P102、P105、P106组成的电流镜使Q101和Q102的电流相等或成整数倍关系。电阻R101上的电流即为PTAT电流。此PTAT电流通过电流镜P101、P104、P105、P108复制,输出给芯片中其它模块使用。P103、P107、P109、 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高压PTAT电流源电路,其特征在于,包括高压电流偏置电路(21)、高压PTAT电流生成电路(22)和高压电流镜电路(23),所述高压电流偏置电路(21)与所述高压PTAT电流生成电路(22)连接,所述高压电流镜电路(23)与所述高压PTAT电流生成电路(22)连接;所述高压电流偏置电路(21)能够产生偏置电流,所述高压PTAT电流生成电路(22)能够产生与电源电压无关的PTAT电流,所述高压电流镜电路(23)能够复制PTAT电流。2.如权利要求1所述的高压PTAT电流源电路,其特征在于,所述高压电流偏置电路(21)包括:电阻R1、电阻R2和MOS管P1,所述电阻R1的一端连接电源电压,所述电阻R1的另一端连接电阻R2的一端与MOS管P1的源极,所述MOS管P1的栅极连接所述电阻R2的另一端以及高压PTAT电流生成电路(22),所述MOS管P1的漏极连接信号地。3.如权利要求1所述的高压PTAT电流源电路,其特征在于,所述高压PTAT电流生成电路(22)包括MOS管N1、MOS管N2、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和电阻R3;所述MOS管N1的漏极连接高压电流偏置电路(21),所述MOS管N1的栅极连接MOS管N1的...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹华,
申请(专利权)人:无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司,
类型:新型
国别省市:
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