【技术实现步骤摘要】
本申请属于高电子迁移率晶体管，尤其涉及gan hemt器件及制备方法。
技术介绍
1、相比于第一代、第二代半导体器件，第三代gan器件因兼备高频特性及高功率密度输出等优势，在射频和微波及功率电子领域具有广泛的应用。近年来，随着工艺能力的提升和器件结构的优化，gan器件在频率特性和功率性能等方面得到大幅提升。
2、在微波gan器件制造工艺中最关键的是栅结构的制作。如何缩小栅长尺寸，优化栅结构，提高器件频率特性是目前国内外在gan器件研究中的一个主要方向。
技术实现思路
1、为克服相关技术中存在的问题，本申请实施例提供了gan hemt器件及制备方法。
2、本申请是通过如下技术方案实现的：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种gan hemt器件的制备方法，包括：
4、在gan外延层上形成sin保护层，在所述sin保护层上形成sio2栅区域；
5、以所述sio2栅区域为掩蔽进行离子注入，在所述gan外延层上形成源区域和漏区域；
...【技术保护点】
1.一种GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述在GaN外延层上形成SiN保护层，包括：在GaN外延层上通过LPCVD淀积所述SiN保护层；
3.如权利要求2所述的GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，第二预设宽度为0.2微米，第一预设宽度为0.4微米。
4.如权利要求1所述的GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述以所述SiO2栅区域为掩蔽进行离子注入，在所述GaN外延层上形成源区域和漏区域，包括：
5.如权利要求1所述的G...
【技术特征摘要】
1.一种gan hemt器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的gan hemt器件的制备方法，其特征在于，所述在gan外延层上形成sin保护层，包括：在gan外延层上通过lpcvd淀积所述sin保护层；
3.如权利要求2所述的gan hemt器件的制备方法，其特征在于，第二预设宽度为0.2微米，第一预设宽度为0.4微米。
4.如权利要求1所述的gan hemt器件的制备方法，其特征在于，所述以所述sio2栅区域为掩蔽进行离子注入，在所述gan外延层上形成源区域和漏区域，包括：
5.如权利要求1所述的gan hemt器件的制备方法，其特征在于，所述在所述sio2栅区域的两侧形成平坦化层...
【专利技术属性】
技术研发人员：高渊，李波，秦龙，宋洁晶，赵红刚，赵阳，付兴中，周国，张力江，崔玉兴，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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