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本申请适用于高电子迁移率晶体管技术领域，提供了GaN HEMT器件及制备方法。该制备方法包括：在GaN外延层上形成SiN保护层，在SiN保护层上形成SiO<subgt;2</subgt;栅区域；以SiO<subgt;2&l...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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