【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路,特别是涉及一种封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展,出现了可以有效提高封装集成度的三维堆叠技术。三维堆叠技术在垂直方向进行的芯片叠放。垂直叠放的各芯片通过打引线与封装基板上的第一基板焊盘连接。
2、然而,传统三维堆叠技术中,由于芯片堆叠高度不同,导致连接至同一个第一基板焊盘的各芯片的打引线长度也不同。此时,同一第一基板焊盘与其连接的各芯片之间的信号传输时间不一致,从而会产生信号时间延迟问题。
技术实现思路
1、本申请实施例针对传统技术中的信号时间延迟问题,提供一种封装结构及其制备方法。
2、一种封装结构,包括:
3、封装基板,内部设有凹槽,且包括第一基板焊盘;
4、叠层芯片组,放置于所述凹槽内,包括:
5、第一芯片,包括第一芯片焊盘与第一接触垫,所述第一接触垫与所述第一芯片焊盘分别位于所述第一芯片的相背的两面,且所述第一接触垫为所述第一芯片的信号传输端,所述第一芯片设有第一通孔,所述第一通
...【技术保护点】
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一接触垫位于所述第一芯片的正面,所述第二接触垫位于所述第二芯片的正面。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一芯片焊盘覆盖所述第一通孔。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,
5.根据权利要求1-4任一项所述的封装结构,其特征在于,所述封装基板内部还设有打线孔,所述打线孔位于所述凹槽下方,且与所述凹槽连通。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,
7.根据权利要求6所述的封装
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一接触垫位于所述第一芯片的正面,所述第二接触垫位于所述第二芯片的正面。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一芯片焊盘覆盖所述第一通孔。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,
5.根据权利要求1-4任一项所述的封装结构,其特征在于,所述封装基板内部还设有打线孔,所述打线孔位于所述凹槽下方,且与所述凹槽连通。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括粘接层,所述第一叠层组的所述第二芯片位于所述粘接层的一侧,所述第二叠层组的所述第二芯片位于所述粘接层的另一侧。
8.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述封装基板还包括第二基板焊盘以及基板通孔,所述第二基板焊盘位于所述封装基板的背面,且通过所述基板通孔与所述第一焊盘连接。
9.根据权利要求8所述的封装结构,...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘莹,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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