【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频，尤其涉及一种低噪声放大器和射频前端模组。
技术介绍
1、在射频技术中，低噪声放大器作为射频前端模组中的重要元器件，用于接收从天线传输过来的射频信号，并对接收的射频信号进行放大。在相关技术中，由于低噪声放大器中的旁路支路在断开状态下会产生较大的寄生电容，从而导致影响低噪声放大器的增益大小。
技术实现思路
1、本申请提供了一种低噪声放大器和射频前端模组，解决了相关技术低噪声放大器的增益较小的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：信号输入端和信号输出端；多个放大支路，每个所述放大支路的第一端连接在一起，形成第一公共端与所述信号输入端连接，每个所述放大支路的第二端连接在一起，形成第二公共端与所述信号输出端连接；至少一个旁路支路，所述旁路支路的第一端连接至所述第一公共端，所述旁路支路的第二端连接在一起形成第三公共端；复用开关，所述复用开关的第一端与所述第三公共端连接，所述复用开关的第二端连接至所述第二公共端。
3、上述射频前端模组，将旁路支路上的其中一个开关复用为复用开关，通过减小旁路支路中的寄生电容，以减小低噪声放大器的输出端的总寄生电容，从而可以有效提高低噪声放大器的增益。同时，还可以减少旁路支路上串联的开关的数量，提升旁路支路的性能和降低成本。
4、第二方面，本申请还提供了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：多个信号输入端和一个信号输出端；多个放大支路和多个旁路支路，每个所述放大支路的第一端与一
5、上述射频前端模组，将旁路支路上的其中一个开关复用为复用开关，通过减小旁路支路中的寄生电容，以减小低噪声放大器的输出端的总寄生电容，从而可以有效提高低噪声放大器的增益。同时，由于复用开关的第一端与所述旁路支路的第二端连接在一起形成的第三公共端连接，复用开关的第二端与每个所述放大支路的第二端连接在一起形成的第二公共端连接，而不是跟信号输出端连接，因此，还可以利用第二公共端和信号输出端之间的后级电路对旁路支路上的射频信号进行调整，实现更好的回波效果。
6、第三方面，本申请还提供了一种射频前端模组，所述射频前端模组包括上述的低噪声放大器。
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1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大支路的数量与所述旁路支路的数量相同，每个所述放大支路对应连接一个旁路支路，每一所述旁路支路的第一端连接至对应的所述放大支路的第一端，每一所述旁路支路的第二端连接在一起形成所述第三公共端。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括多个匹配电感；每一所述匹配电感的第一端连接至对应的所述旁路支路的第一端，所述匹配电感的第二端连接至对应的所述放大支路的第一端。
4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述旁路支路为一个，所述旁路支路的第一端连接至所述第一公共端，所述旁路支路的第二端与所述复用开关的第一端连接。
5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括匹配电感；
6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括匹配电感和信号放大芯片，所述信号放大芯片设置基板上，所述匹配电感被配置在所述基板中，所述多个放大支路、所述至少一个旁路支路和所述
7.根据权利要求1-6任意一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括多个第一开关；每一所述第一开关与对应的一个所述放大支路串联连接。
8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述后级电路包括衰减器，所述衰减器的第一端连接至所述复用开关的第二端，所述衰减器的第二端连接至所述信号输出端。
9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述后级电路还包括匹配器，所述匹配器的第一端连接至所述衰减器的第二端，所述匹配器的第二端连接至所述信号输出端。
10.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括多个匹配电感；每一所述匹配电感的第一端连接至对应的所述旁路支路的第一端，所述匹配电感的第二端连接至对应的所述放大支路的第一端。
12.根据权利要求11所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括信号放大芯片，所述信号放大芯片和所述多个匹配电感设置基板上，所述多个放大支路、所述多个旁路支路和所述复用开关均被配置在所述信号放大芯片中。
13.根据权利要求11所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括多个信号放大芯片和开关芯片，所述多个信号放大芯片、所述开关芯片和所述多个匹配电感设置基板上，每一放大支路和对应连接的所述旁路支路设置在对应的一个信号放大芯片中，所述复用开关设置在所述开关芯片中。
14.根据权利要求10-13任意一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括多个第二开关，每一所述第二开关的第一端与对应的一个所述放大支路的第二端连接，每一所述第二开关的第二端连接至所述第四公共端。
15.根据权利要求10-13任意一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述后级电路包括衰减器，所述衰减器的第一端连接至所述复用开关的第二端，所述衰减器的第二端连接至所述信号输出端。
16.根据权利要求15所述的低噪声放大器，其特征在于，所述后级电路还包括匹配器，所述匹配器的第一端连接至所述衰减器的第二端，所述匹配器的第二端连接至所述信号输出端。
17.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括如权利要求1至9任一项所述的低噪声放大器，或如权利要求10至16任一项所述的低噪声放大器。
...【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大支路的数量与所述旁路支路的数量相同，每个所述放大支路对应连接一个旁路支路，每一所述旁路支路的第一端连接至对应的所述放大支路的第一端，每一所述旁路支路的第二端连接在一起形成所述第三公共端。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括多个匹配电感；每一所述匹配电感的第一端连接至对应的所述旁路支路的第一端，所述匹配电感的第二端连接至对应的所述放大支路的第一端。
4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述旁路支路为一个，所述旁路支路的第一端连接至所述第一公共端，所述旁路支路的第二端与所述复用开关的第一端连接。
5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括匹配电感；
6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括匹配电感和信号放大芯片，所述信号放大芯片设置基板上，所述匹配电感被配置在所述基板中，所述多个放大支路、所述至少一个旁路支路和所述复用开关均被配置在所述信号放大芯片中；
7.根据权利要求1-6任意一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括多个第一开关；每一所述第一开关与对应的一个所述放大支路串联连接。
8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述后级电路包括衰减器，所述衰减器的第一端连接至所述复用开关的第二端，所述衰减器的第二端连接至所述信号输出端。
9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述后级电路还包括匹配器，所述匹配器的第一端连接至所述衰减器的第二端，所述匹配器的第二端连接至所述信号输出端。...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋楠，李镁钰，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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