【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工，具体涉及一种用于晶圆研磨的研磨垫。
技术介绍
1、在晶圆加工过程中，一般在研磨垫的表面设置研磨液，再通过机械的方式使晶圆位于研磨垫的上方并与研磨垫进行摩擦，从而将晶圆上的多余材料去除，直至晶圆达到目标厚度，并使得晶圆获得高度平坦化的表面。
2、现有的研磨垫上设置有多个同心圆，采用这种结构的研磨垫，在进行研磨时，研磨垫上的研磨液的流动速度慢，不易将晶圆的加工副产品带走。
技术实现思路
1、因此，本专利技术在于克服现有技术中需要的技术问题，从而提供一种用于晶圆研磨的研磨垫。
2、本专利技术提供了一种用于晶圆研磨的研磨垫，包括：
3、研磨垫本体；
4、研磨垫沟槽，设置在所述研磨垫本体面向晶圆的表面上，所述研磨垫沟槽包括多个同心圆以及多个以同心圆圆心为起点的射线。
5、进一步的，所述研磨垫本体为单层垫，密度为0.85—1.1g/cm3。
6、进一步的，所述研磨垫本体上设置有多个研磨垫孔洞，所述研磨垫孔洞由生产研磨垫本体时添加的发泡微球生成。
7、进一步的，所述发泡微球的尺寸为10—40um。
8、进一步的，所述研磨垫本体与研磨垫沟槽的总厚度为70—90mil。
9、进一步的，所述研磨垫沟槽的深度为30—50mil。
10、进一步的，所述研磨垫沟槽的宽度为10—30mil。
11、进一步的，所述研磨垫沟槽中相邻的两个同心圆之间的间距为10
12、进一步的，所述研磨垫沟槽中的射线的数量为八个。
13、进一步的，所述研磨垫沟槽中的射线均匀设置在所述研磨垫本体的表面上。
14、本专利技术技术方案，具有如下优点：
15、本专利技术提供的一种用于晶圆研磨的研磨垫，研磨垫沟槽为同心圆结合放射线类型，同心圆形状能保持高稳定状态的去除速率，同时研磨液可以沿放射线类型沟槽迅速将加工副产物带走，减少sic晶圆表面加工缺陷，提高晶圆表面均匀度。本专利技术提升了对sic晶圆的去除速率以及研磨液贮存能力和加工杂质去除能力。
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1.一种用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)为单层垫，密度为0.85—1.1g/cm3。
3.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)上设置有多个研磨垫孔洞(3)，所述研磨垫孔洞(3)由生产研磨垫本体(1)时添加的发泡微球生成。
4.根据权利要求3所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述发泡微球的尺寸为10—40um。
5.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)与研磨垫沟槽(2)的总厚度为70—90mil。
6.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫沟槽(2)的深度为30—50mil。
7.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫沟槽(2)的宽度为10—30mil。
8.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫沟槽(2)中相邻的两个同心圆之间的间距为100—140mil
9.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫沟槽(2)中的射线的数量为八个。
10.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫沟槽(2)中的射线均匀设置在所述研磨垫本体(1)的表面上。
...【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)为单层垫，密度为0.85—1.1g/cm3。
3.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)上设置有多个研磨垫孔洞(3)，所述研磨垫孔洞(3)由生产研磨垫本体(1)时添加的发泡微球生成。
4.根据权利要求3所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述发泡微球的尺寸为10—40um。
5.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)与研磨垫沟槽(2)的总厚度为70—90mil。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：崔云承，张康，王磊，何家鑫，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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