【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆制造，具体涉及一种研磨垫的调整盘。
技术介绍
1、在晶圆制造过程中，需要对晶圆进行化学机械抛光操作，而在化学机械抛光过程中，需要使用调整盘对研磨垫进行修整操作，进而保证研磨垫的粗糙度，但现有的调整盘上均匀分布有若干金刚石颗粒，无法对研磨垫局部区域进行集中修整，另外，在研磨过程中，会产生研磨液副产物，由于现有的调整盘在整个盘面上布满金刚石颗粒，导致研磨液副产物不易排出，进而影响了晶圆产品良率。
技术实现思路
1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中由于现有调整盘上的金刚石颗粒均匀分布而导致无法对研磨垫进行局部集中修整的缺陷。
2、为此，本专利技术提供了一种研磨垫的调整盘，包括：
3、盘体，设置有研磨面；
4、空置区域，设置在所述研磨面的中心区域；
5、多个研磨区域，设置在所述研磨面上，且以所述空置区域为中心，多个研磨区域设置在所述空置区域的周边；所述研磨区域中设置有研磨块，所述研磨块的设置位置与研磨垫上待研磨的区域相对应；每个研磨区域之间设置有第一空隙。
6、可选地，以所述空置区域为中心，沿所述盘体的径向，延伸设置有多个研磨带，所述研磨带中设置有所述研磨区域；相邻两个研磨带之间设置有第一空隙。
7、可选地，所述研磨带呈弧形的带状结构。
8、可选地，沿所述盘体的径向，所述研磨带中依次设置有多个研磨块，相邻两个研磨块之间设置有第二空隙。
9、可选地，所述研磨块的
10、可选地，所述第二空隙的范围在3mm至8mm之间。
11、可选地，所述研磨带的弧形角度范围在120°至160°之间，所述研磨带的数量范围设置在8至15条之间，所述研磨带的宽度范围设置在5mm至10mm之间。
12、可选地，当所述研磨带上设置有多个研磨块时，所述第一空隙的范围在5mm至15mm之间，所述空置区域的直径范围在5mm至8mm之间。
13、可选地，沿所述盘体的径向，所述研磨带中设置有单个研磨区域。
14、可选地，所述研磨区域的数量范围设置在8至12个之间，所述研磨区域的长度范围在20mm至28mm之间，宽度范围设置在15mm至20mm之间。
15、可选地，当所述研磨带上设置有单个研磨区域时，所述第一空隙的范围在1mm至3mm之间，所述空置区域的直径范围在10mm至30mm之间。
16、可选地，所述研磨区域靠近所述空置区域的一侧金刚石颗粒呈密集分布，以及远离中心所述空置区域的一侧金刚石颗粒呈疏松分布，或者所述研磨区域靠近所述空置区域的一侧金刚石颗粒呈疏松分布，以及远离所述空置区域的一侧金刚石颗粒呈密集分布。
17、可选地，沿逆时针方向，所述研磨区域靠近所述第一空隙的一侧金刚石颗粒呈密集分布，远离所述第一空隙的另一侧金刚石颗粒呈疏松分布，或者沿顺时针方向，所述研磨区域靠近所述第一空隙的一侧金刚石颗粒呈疏松分布，远离所述第一空隙的另一侧金刚石颗粒呈密集分布。
18、可选地，密集分布的金刚石颗粒比疏松分布的金刚石颗粒数量多3至5倍。
19、本专利技术技术方案，具有如下优点：
20、1.本专利技术提供了一种研磨垫的调整盘，包括盘体、空置区域以及多个研磨区域，所述盘体设置有研磨面；所述空置区域设置在所述研磨面的中心区域；多个研磨区域分别设置在所述研磨面上，且以所述空置区域为中心，多个研磨区域设置在所述空置区域的周边；所述研磨区域中设置有研磨块，所述研磨块的设置位置与研磨垫上待研磨的区域相对应；每个研磨区域之间设置有第一空隙。
21、在化学机械抛光过程中，需要使用调整盘对研磨垫进行修整操作，进而保证研磨垫的粗糙度，但现有的调整盘上均匀分布有若干金刚石颗粒，无法对研磨垫局部区域进行集中修整。在本专利技术实施例中，通过在所述盘体上设置多个研磨区域，同时在所述研磨区域上设置有多个研磨块，当研磨垫的部分区域需要进行研磨时，将所述研磨块与研磨垫的待研磨区域进行对应设置，再通过所述研磨块能够对研磨垫的待研磨区域进行研磨，完成研磨垫的区域性研磨。
22、2.本专利技术提供了一种研磨垫的调整盘，以所述空置区域为中心，沿所述盘体的径向，延伸设置有多个研磨带，所述研磨带中设置有所述研磨区域；相邻两个研磨带之间设置有第一空隙，另外，沿所述盘体的径向，所述研磨带中依次设置有多个研磨块，相邻两个研磨块之间设置有第二空隙。
23、在晶圆研磨过程中，会产生研磨液副产物，由于现有的调整盘在整个盘面上布满金刚石颗粒，导致研磨液副产物不易排出，进而影响了晶圆产品良率。在本专利技术实施例中，通过在多个研磨带之间设置第一空隙，同时在多个研磨块之间设置第二空隙，相比于整个研磨面布满金刚石颗粒，本实施例通过所述第一空隙和所述第二空隙，能够使研磨液副产物的排除更加快速高效，进而提高了晶圆的产品良率。
24、3.本专利技术提供了一种研磨垫的调整盘，所述研磨区域靠近所述空置区域的一侧金刚石颗粒可以呈密集分布，也可以呈疏松分布，或者沿逆时针方向，所述研磨区域靠近所述第一空隙的一侧金刚石颗粒可以呈密集分布，也可以呈疏松分布，通过金刚石颗粒在不同研磨区域分布的密集程度不同，能够对研磨垫的不同局部区域进行不同力度的调整，进而能够调整研磨垫的区域性研磨，使研磨垫的区域性研磨效果更好。
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1.一种研磨垫的调整盘，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，以所述空置区域(2)为中心，沿所述盘体(1)的径向，延伸设置有多个研磨带，所述研磨带中设置有所述研磨区域(3)；相邻两个研磨带之间设置有第一空隙(4)。
3.根据权利要求2所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，所述研磨带呈弧形的带状结构。
4.根据权利要求3所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，沿所述盘体(1)的径向，所述研磨带中依次设置有多个研磨块(31)，相邻两个研磨块(31)之间设置有第二空隙(32)。
5.根据权利要求4所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，所述研磨块(31)的数量范围设置在3至6个之间。
6.根据权利要求5所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，所述第二空隙(32)的范围在3mm至8mm之间。
7.根据权利要求4至6任一项所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，所述研磨带的弧形角度范围在120°至160°之间，所述研磨带的数量范围设置在8至15条之间，所述研磨带的宽度范围设置在5mm至10mm之间。
9.根据权利要求3所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，沿所述盘体(1)的径向，所述研磨带中设置有单个研磨区域(3)。
10.根据权利要求9所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，所述研磨区域(3)的数量范围设置在8至12个之间，所述研磨区域(3)的长度范围在20mm至28mm之间，宽度范围设置在15mm至20mm之间。
11.根据权利要求10所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，当所述研磨带上设置有单个研磨区域(3)时，所述第一空隙(4)的范围在1mm至3mm之间，所述空置区域(2)的直径范围在10mm至30mm之间。
12.根据权利要求9至11任一项所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，所述研磨区域(3)靠近所述空置区域(2)的一侧金刚石颗粒呈密集分布，以及远离中心所述空置区域(2)的一侧金刚石颗粒呈疏松分布，或者所述研磨区域(3)靠近所述空置区域(2)的一侧金刚石颗粒呈疏松分布，以及远离所述空置区域(2)的一侧金刚石颗粒呈密集分布。
13.根据权利要求9至11任一项所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，沿逆时针方向，所述研磨区域(3)靠近所述第一空隙(4)的一侧金刚石颗粒呈密集分布，远离所述第一空隙(4)的另一侧金刚石颗粒呈疏松分布，或者沿顺时针方向，所述研磨区域(3)靠近所述第一空隙(4)的一侧金刚石颗粒呈疏松分布，远离所述第一空隙(4)的另一侧金刚石颗粒呈密集分布。
14.根据权利要求13所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，密集分布的金刚石颗粒比疏松分布的金刚石颗粒数量多3至5倍。
...【技术特征摘要】
1.一种研磨垫的调整盘，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，以所述空置区域(2)为中心，沿所述盘体(1)的径向，延伸设置有多个研磨带，所述研磨带中设置有所述研磨区域(3)；相邻两个研磨带之间设置有第一空隙(4)。
3.根据权利要求2所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，所述研磨带呈弧形的带状结构。
4.根据权利要求3所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，沿所述盘体(1)的径向，所述研磨带中依次设置有多个研磨块(31)，相邻两个研磨块(31)之间设置有第二空隙(32)。
5.根据权利要求4所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，所述研磨块(31)的数量范围设置在3至6个之间。
6.根据权利要求5所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，所述第二空隙(32)的范围在3mm至8mm之间。
7.根据权利要求4至6任一项所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，所述研磨带的弧形角度范围在120°至160°之间，所述研磨带的数量范围设置在8至15条之间，所述研磨带的宽度范围设置在5mm至10mm之间。
8.根据权利要求7所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，当所述研磨带上设置有多个研磨块(31)时，所述第一空隙(4)的范围在5mm至15mm之间，所述空置区域(2)的直径范围在5mm至8mm之间。
9.根据权利要求3所述的研磨垫的调整盘，其特征在于，沿所述盘体(1)的径向...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐强，蒋锡兵，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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