【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及巨量转移，尤其涉及一种修补芯片结构、修补芯片结构的制备方法及芯片修补方法。
技术介绍
1、在芯片的制备工艺流程中，业界目前已基本解决巨量转移相关技术难点，但在芯片巨量转移至驱动背板后仍存在不少异常芯片，针对异常芯片的修补，需先移除掉驱动背板上的异常芯片，移除后再将修补芯片键合至驱动背板。
2、但针对修补芯片键合至驱动背板的工艺中，由于激光剥离修补芯片时，其电极会不可避免的受损，因此，修补芯片的电极高度会较正常巨量转移芯片的电极高度更低，导致修补芯片键合至驱动背板时，修补芯片的高度小于旁边芯片的高度，进而影响修补芯片的键合。目前，业界暂无较好方案改善此异常。
3、因此，如何优化修补芯片，以消除修补芯片的不良键合，是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种修补芯片结构、修补芯片结构的制备方法及芯片修补方法，旨在优化修补芯片，以消除修补芯片的不良键合，进而提升芯片修补效率。
2、本申请实施例提供一种修补芯片结构，包括：修补芯片，修补芯片的正面具有芯片电极；导电胶层，至少位于修补芯片的正面，且至少覆盖芯片电极。
3、上述修补芯片结构，采用导电胶层将修补芯片的正面包覆，对修补芯片的芯片电极起到了保护作用，有效避免了修补芯片从暂态基板剥离时，因剥离工艺对修补芯片的芯片电极造成的损伤，进而解决了剥离后的修补芯片键合至驱动背板时，修补芯片与驱动背板上的正常芯片存在高度差异的问题。因此，本申请实
4、可选地，导电胶层的材料包括黑色材料。
5、可选地，导电胶层的厚度包括：1μm～5μm。
6、可选地，导电胶层包覆修补芯片及芯片电极。
7、上述修补芯片结构，包覆修补芯片及芯片电极的导电胶层可以直接代替黑色矩阵，以使后续流程不用单独制作黑色矩阵，进而缩短流程周期。此外，由于异方性导电胶只在垂直方向导电，水平方向不导电，因此，包覆修补芯片的导电胶层不会造成修补芯片内部的短路问题，当修补芯片键合至驱动背板时，也不会造成相邻芯片间的短路问题。
8、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种修补芯片结构的制备方法，包括以下步骤：提供生长基底，生长基底的一侧表面形成有修补芯片，修补芯片的正面形成有电极，修补芯片的背面与生长基底的一侧表面相接触；
9、形成导电胶层，导电胶层至少位于修补芯片的正面，且至少覆盖芯片电极。
10、上述修补芯片结构的制备方法，通过在修补芯片的正面包覆导电胶层，对修补芯片的芯片电极起到了保护作用，有效避免了修补芯片从暂态基板剥离时，因剥离工艺对修补芯片的芯片电极造成的损伤，进而解决了剥离后的修补芯片键合至驱动背板时，修补芯片与驱动背板上的正常芯片存在高度差异的问题。因此，本申请实施例提供的上述新型修补芯片结构的制备方法，有效解决了修补芯片与驱动背板上的正常芯片因高度差异导致的键合不良问题，有利于实现巨量修补异常芯片，进而提升修补效率。
11、可选地，形成导电胶层包括：采用点胶工艺或电流体动力学打印工艺形成异方性导电胶层作为导电胶层。
12、上述修补芯片结构的制备方法，通过采用点胶工艺或电流体动力学打印工艺，在修补芯片的正面包覆异方性导电胶层，由于异方性导电胶只在垂直方向导电，水平方向不导电，且温度越高，不可逆的固化程度越高，因此，不仅有效解决了修补芯片与驱动背板上的正常芯片因高度差异导致的键合不良问题，而且还可以有效避免修补芯片内部的短路问题，当修补芯片键合至驱动背板时，也不会造成相邻芯片间的短路问题。
13、可选地，形成导电胶层之后，还包括：提供暂态基板；将修补芯片键合于暂态基板的一侧表面，修补芯片的正面朝向暂态基板，导电胶层与暂态基板相接触；去除生长基底；拾取覆盖有导电胶层的修补芯片，即得到修补芯片结构。
14、可选地，将修补芯片键合于暂态基板的一侧表面之后，还包括：将导电胶层进行固化处理。
15、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种芯片修补方法，包括以下步骤：提供驱动背板，驱动背板的一侧表面形成有多个芯片，芯片包括正常芯片及异常芯片；去除异常芯片，以于驱动背面的一侧表面形成芯片修补区域；提供如前述任一方案所述的修补芯片结构；将修补芯片结构键合至芯片修补区域，修补芯片正面朝向驱动背板，且经由导电胶层与驱动背板电连接。
16、上述芯片修补方法，通过采用一种导电胶层包覆修补芯片正面的新型修补芯片结构，对修补芯片的芯片电极起到了保护作用，有效避免了修补芯片从暂态基板剥离时，因剥离工艺对修补芯片的芯片电极造成的损伤，进而解决了剥离后的修补芯片键合至驱动背板时，修补芯片与驱动背板上的正常芯片存在高度差异的问题。因此，本申请实施例提供的上述新型修补芯片结构的制备方法，有效解决了修补芯片与驱动背板上的正常芯片因高度差异导致的键合不良问题，有利于实现巨量修补异常芯片，进而提升修补效率。
17、可选地，将修补芯片结构键合至芯片修补区域之后，还包括：将导电胶层进行固化处理。
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1.一种修补芯片结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的修补芯片结构，其特征在于，所述导电胶层的材料包括黑色材料。
3.如权利要求1所述的修补芯片结构，其特征在于，所述导电胶层的厚度包括：1μm～5μm。
4.如权利要求1至3中任一项所述的修补芯片结构，其特征在于，所述导电胶层包覆所述修补芯片及所述芯片电极。
5.一种修补芯片结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的修补芯片结构的制备方法，其特征在于，所述形成导电胶层包括：采用点胶工艺或电流体动力学打印工艺形成异方性导电胶层作为所述导电胶层。
7.如权利要求5所述的修补芯片结构的制备方法，其特征在于，所述形成导电胶层之后，还包括：
8.如权利要求7所述的修补芯片结构的制备方法，其特征在于，所述将所述修补芯片键合于所述暂态基板的一侧表面之后，还包括：
9.一种芯片修补方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.如权利要求9所述的芯片修补方法，其特征在于，所述将所述修补芯片结构键合至所述芯片修补区域
...【技术特征摘要】
1.一种修补芯片结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的修补芯片结构，其特征在于，所述导电胶层的材料包括黑色材料。
3.如权利要求1所述的修补芯片结构，其特征在于，所述导电胶层的厚度包括：1μm～5μm。
4.如权利要求1至3中任一项所述的修补芯片结构，其特征在于，所述导电胶层包覆所述修补芯片及所述芯片电极。
5.一种修补芯片结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的修补芯片结构的制备方法，其特征在于，所述形...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘新，林浩翔，萧俊龙，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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