System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种新型UBM结构制造技术_技高网

一种新型UBM结构制造技术

技术编号:40436966 阅读:10 留言:0更新日期:2024-02-22 23:01
本发明专利技术公开了一种新型UBM结构,涉及半导体封装技术领域,每个与凸点倒装焊接的UBM结构均包括多个分散排布的UBM单元和UBM墙,UBM墙包围UBM单元,且互不接触;UBM单元之间用于容纳凸点的锡银,UBM墙用于阻挡锡银外流。使用该结构焊接时增大了与凸点的接触表面积,多个UBM单元之间可容纳更多锡银,UBM墙可进一步阻挡锡银外流,从而降低与凸点倒装焊接后的桥连风险,适用于芯片与转接板、转接板与基板、基板与PCB板之间的倒装焊接,具有非常好的可实现性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装,尤其是一种新型ubm结构。


技术介绍

1、在半导体封装技术中,当凸点与ubm(under bumping metallization,凸点下金属化)倒装焊接时,由于凸点的锡银量过多、凸点间距过小等原因,都可能造成凸点间桥连,从而影响器件性能。


技术实现思路

1、本专利技术人针对上述问题及技术需求,提出了一种新型ubm结构,本专利技术的技术方案如下:

2、一种新型ubm结构,每个与凸点倒装焊接的ubm结构均包括多个分散排布的ubm单元和ubm墙,ubm墙作为外围结构包围ubm单元,且互不接触;ubm单元之间用于容纳凸点的锡银,ubm墙用于阻挡锡银外流。

3、其进一步的技术方案为,ubm单元具有同一高度,且与ubm墙等高。

4、其进一步的技术方案为,ubm单元具有多个高度,其中位于ubm墙包围中心的第一ubm单元的高度不低于ubm墙的高度,其余ubm单元的高度均低于ubm墙的高度,以稳固倒装焊接后的凸点。

5、其进一步的技术方案为,其余ubm单元的高度从位于墙边缘向中心方向逐渐变小再逐渐变大,以引导回流过程中的锡银向中心流动。

6、其进一步的技术方案为,ubm墙的高度为凸点的锡银高度的40%-60%,且不超过凸点回流后的最大直径所在高度;对于高度逐渐变小的其余ubm单元,其高度为与其相邻且位于外侧的ubm单元或ubm墙的高度的50%-70%,对于高度逐渐变大的其余ubm单元,其高度为与其相邻且位于内侧的ubm单元的高度的50%-70%;第一ubm单元的高度为凸点的锡银高度的30%-80%,且不超过与其相邻的ubm单元高度的150%。

7、其进一步的技术方案为,各个ubm单元和ubm墙按照从低到高的高度顺序依次制备得到。

8、其进一步的技术方案为,ubm单元的形状为圆形、三角形、矩形、六边形、八边形或其余多边形。

9、其进一步的技术方案为,ubm墙的形状为圆形、三角形、矩形、六边形、八边形或其余多边形。

10、本专利技术的有益技术效果是:

11、本申请提出了一种新的ubm结构,将与一个凸点倒装焊接的ubm结构设计成多个分散排布的ubm单元和设于单元外围封闭的ubm墙,首先,增大了与凸点的接触表面积;其次,多个ubm单元之间可容纳更多锡银,ubm墙可进一步阻挡锡银外流,从而降低与凸点倒装焊接后的桥连风险。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型UBM结构,其特征在于,每个与凸点倒装焊接的UBM结构均包括多个分散排布的UBM单元和UBM墙,所述UBM墙作为外围结构包围所述UBM单元,且互不接触;UBM单元之间用于容纳凸点的锡银,所述UBM墙用于阻挡锡银外流。

2.根据权利要求1所述的新型UBM结构,其特征在于,所述UBM单元具有同一高度,且与所述UBM墙等高。

3.根据权利要求1所述的新型UBM结构,其特征在于,所述UBM单元具有多个高度,其中位于UBM墙包围中心的第一UBM单元的高度不低于所述UBM墙的高度,其余UBM单元的高度均低于所述UBM墙的高度,以稳固倒装焊接后的凸点。

4.根据权利要求3所述的新型UBM结构,其特征在于,所述其余UBM单元的高度从位于墙边缘向中心方向逐渐变小再逐渐变大,以引导回流过程中的锡银向中心流动。

5.根据权利要求3或4所述的新型UBM结构,其特征在于,所述UBM墙的高度为所述凸点的锡银高度的40%-60%,且不超过凸点回流后的最大直径所在高度;对于高度逐渐变小的其余UBM单元,其高度为与其相邻且位于外侧的UBM单元或所述UBM墙的高度的50%-70%,对于高度逐渐变大的其余UBM单元,其高度为与其相邻且位于内侧的UBM单元的高度的50%-70%;所述第一UBM单元的高度为所述凸点的锡银高度的30%-80%,且不超过与其相邻的UBM单元高度的150%。

6.根据权利要求3所述的新型UBM结构,其特征在于,各个UBM单元和UBM墙按照从低到高的高度顺序依次制备得到。

7.根据权利要求1所述的新型UBM结构,其特征在于,所述UBM单元的形状为圆形、三角形、矩形、六边形、八边形或其余多边形。

8.根据权利要求1所述的新型UBM结构,其特征在于,所述UBM墙的形状为圆形、三角形、矩形、六边形、八边形或其余多边形。

...

【技术特征摘要】

1.一种新型ubm结构,其特征在于,每个与凸点倒装焊接的ubm结构均包括多个分散排布的ubm单元和ubm墙,所述ubm墙作为外围结构包围所述ubm单元,且互不接触;ubm单元之间用于容纳凸点的锡银,所述ubm墙用于阻挡锡银外流。

2.根据权利要求1所述的新型ubm结构,其特征在于,所述ubm单元具有同一高度,且与所述ubm墙等高。

3.根据权利要求1所述的新型ubm结构,其特征在于,所述ubm单元具有多个高度,其中位于ubm墙包围中心的第一ubm单元的高度不低于所述ubm墙的高度,其余ubm单元的高度均低于所述ubm墙的高度,以稳固倒装焊接后的凸点。

4.根据权利要求3所述的新型ubm结构,其特征在于,所述其余ubm单元的高度从位于墙边缘向中心方向逐渐变小再逐渐变大,以引导回流过程中的锡银向中心流动。

5.根据权利要求3或4所述的新型ubm结构,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨逍鹃
申请(专利权)人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1