【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及半导体装置，特别涉及具有替换结构的半导体装置。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit；ic)产业已在最近数十年历经指数型的成长。在集成电路革命的进程中，已一般性地增加功能密度(举例而言：在单位芯片面积互连的装置数量)，而几何尺寸(举例而言：使用一制造工艺所能制作的最小构件(或是，线))却已减少。一项进步是以技术节点的缩减实现，在一些集成电路设计中，已经使用一金属栅极电极来替换典型的多晶硅栅极电极，以在部件尺寸缩减之下改善装置效能。
2、部件的尺寸缩减已经增加半导体制造工艺的复杂度。
技术实现思路
1、一实施例涉及一种半导体装置。此装置包括：一半导体结构与相邻于上述半导体结构的一隔离物，形成在一基底的上方，其中上述隔离物包括一第一区域，上述第一区域具有在一第一高度的上表面，上述第一高度在上述基底的上方，其中上述隔离物包括一第二区域，上述第二区域具有在一第二高度的上表面，上述第二高度在上述基底的上方，其中上述第一高度等于上述第二高度加3...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，一隔离物侧壁从该第一区域延伸至该第二区域，其中该半导体结构还包括一栅极间隔物在该隔离物侧壁上。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该导体栅极具有一栅极侧壁，其中该栅极间隔物位于该栅极侧壁上。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导体栅极具有一栅极侧壁，该栅极侧壁位于该半导体结构的上方，其中该半导体结构还包括一栅极间隔物，该栅极间隔物位于该半导体结构的上方的该栅极侧壁上，其中该栅极间隔物具有3纳米的最小厚度。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，一隔离物侧壁从该第一区域延伸至该第二区域，其中该半导体结构还包括一栅极间隔物在该隔离物侧壁上。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该导体栅极具有一栅极侧壁，其中该栅极间隔物位于该栅极侧壁上。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导体栅极具有一栅极侧壁，该栅极侧壁位于该半导体结构的上方，其中该半导体结构还包括一栅极间隔物，该栅极间隔物位于该半导体结构的上方的该栅极侧壁上，其中该栅极间隔物具有3纳米的最小厚度。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体结构在一鳍状物的上方包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：高魁佑，林士尧，陈振平，邱志忠，林志翰，张铭庆，陈昭成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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