一种半导体装置，封装结构包括封装组件及混合热界面材料。封装组件具有黏着到封装基板的一个或多个集成电路。混合热界面材料使用以聚合物为主的材料及以金属为主的材料的组合。以聚合物为主的材料具有高伸长率值，以金属为主的材料具有高导热率值。放置在封装组件的边缘上的以聚合物为主的热界面材料含有液态形式的以金属为主的热界面材料。
【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及半导体装置，尤其涉及具有不同热界面材料的半导体装置。
技术介绍
1、集成电路封装体可以具有多个接合在一起的封装组件，例如装置裸片及封装基板，以增加功能性及集成度。由于这些封装组件的不同材料之间的差异，可能会发生翘曲(warpage)。随着封装体的尺寸的增加，翘曲变得更加严重。此外，随着集成电路封装体的发展，这些集成电路封装体的功率密度需求增加，其意味着集成电路封装体内产生更大的热量。这带来了一些需要加以解决的新问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提出一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。
2、本技术实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括边界结构、金属热界面材料层及盖体。边界结构位于第一半导体封装体的第一顶表面上，其中边界结构由相变化材料形成。金属热界面材料层被边界结构环绕。盖体与边界结构及金属热界面材料层实体接触。
3、根据本技术其中的一个实施方式，还包括一交联胶体，该交联胶体位于该边界结构以及该金属热界面材料层之间的一界面处。
>4、根据本技术其中本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一交联胶体，该交联胶体位于该边界结构以及该金属热界面材料层之间的一界面处。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该金属热界面材料层被划分为两个或是更多个的隔离区域。
4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，该边界结构具有一第一高度，该金属热界面材料层具有一第二高度，该第一高度大于该第二高度。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该边界结构具有一第二顶表面，该金属热界面材料层具有一第三顶表面，该第二顶表面与该第三顶...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一交联胶体，该交联胶体位于该边界结构以及该金属热界面材料层之间的一界面处。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该金属热界面材料层被划分为两个或是更多个的隔离区域。
4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，该边界结构具有一第一高度，该金属热界面材料层具有一第二高度，该第一高度大于该第二高度。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该边界结构具有一第二顶表面，该金属热界面材料层具有一第三顶表面，该第二顶表面与该第三顶表面齐平。
6.如权利要求5所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：林文益，李光君，李建成，郭建利，刘国洲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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