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一种半导体装置，包括：一半导体结构与相邻于该半导体结构的一隔离物，形成在一基底的上方，其中该隔离物包括一第一区域，该第一区域具有在一第一高度的上表面，该第一高度在该基底的上方，其中该隔离物包括一第二区域，该第二区域具有在一第二高度的上表面，...
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