一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法技术

本发明专利技术属于半导体材料技术领域，本发明专利技术具体公开了一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，本发明专利技术创造性的将碲粉、镉粉、碲化镉粉进行共混，其中碲粉、镉粉能够作为活性剂，调整碲化镉粉末的活性并提高碲化镉粉末的致密度，而后将锌源、硒源与碳纳米管通过水热法的方法原位掺杂至碲化镉，改变碲化镉的能带结构，提高光吸收效率，并提高导电性能，提高载流子迁移率，进而显著提高光电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料，具体涉及一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法。

技术介绍

1、随着科技的不断发展，对高效、环保的太阳能电池的需求日益增长。碲化镉（cdte）作为一种重要的半导体材料，因其直接带隙结构和高吸收系数等优点，在太阳能电池领域具有广泛的应用前景。然而，碲化镉的光电性能受到多种因素的影响，如材料纯度、缺陷、杂质等。为了提高碲化镉的光电性能，研究者们尝试了多种方法，其中掺杂是一种有效的方法。

2、掺杂是指通过引入其他元素来改变材料的性质，以实现对其光电性能的优化。在碲化镉中掺入不同的元素，可以起到不同的作用。然而，现有的掺杂方法仍存在一些问题，如掺杂元素的选择、掺杂工艺的控制、掺杂后材料性能的性能等。

3、鉴于此，提出本申请。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，本专利技术的掺杂方法能够改变碲化镉薄膜的能带结构，大幅度光电转换效率。

2、本专利技术解决其技术问题采用以下技术方案：

3、一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述碲粉、镉粉、碲化镉粉的质量比为（5~10）：（5~10）：（80~90）。

3.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述六水合硝酸锌、水的质量比为1：（4~10）。

4.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述四氢硼酸钠、水、硒粉的质量比为1：（4~10）：（0.5~2）。

5.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述碲粉、镉粉、碲化镉粉的质量比为（5~10）：（5~10）：（80~90）。

3.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述六水合硝酸锌、水的质量比为1：（4~10）。

4.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述四氢硼酸钠、水、硒粉的质量比为1：（4~10）：（0.5~2）。

5.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述多壁碳纳米管、丙酮、水的质量比为1：（1~4）：（4~10）。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨永添，吴健，周昭寅，
申请(专利权)人：广州市尤特新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：