【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，具体涉及一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法。
技术介绍
1、随着科技的不断发展，对高效、环保的太阳能电池的需求日益增长。碲化镉（cdte）作为一种重要的半导体材料，因其直接带隙结构和高吸收系数等优点，在太阳能电池领域具有广泛的应用前景。然而，碲化镉的光电性能受到多种因素的影响，如材料纯度、缺陷、杂质等。为了提高碲化镉的光电性能，研究者们尝试了多种方法，其中掺杂是一种有效的方法。
2、掺杂是指通过引入其他元素来改变材料的性质，以实现对其光电性能的优化。在碲化镉中掺入不同的元素，可以起到不同的作用。然而，现有的掺杂方法仍存在一些问题，如掺杂元素的选择、掺杂工艺的控制、掺杂后材料性能的性能等。
3、鉴于此，提出本申请。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，本专利技术的掺杂方法能够改变碲化镉薄膜的能带结构，大幅度光电转换效率。
2、本专利技术解决其技术问题采用以下技术方案：
3、一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，包括以下步骤：
4、（1）将碲粉、镉粉、碲化镉粉混合均匀，得到混合粉体；
5、（2）将六水合硝酸锌加入到水中，搅拌均匀，得到溶液a；
6、将四氢硼酸钠分散于水中，再加入硒粉，搅拌均匀，得到溶液b；
7、将多壁碳纳米管、丙酮加入水中，分散均匀，得到溶液c；
8、（3）将溶液a、溶液b加入到溶液c中，在65~80℃
9、（4）将混合粉体加入到掺杂液中，搅拌均匀，超声处理，干燥，热处理，得到掺杂碲化镉；
10、（5）将掺杂碲化镉通过近空间升华法沉积于衬底上，得到碲化镉薄膜。
11、本专利技术创造性的将碲粉、镉粉、碲化镉粉进行共混，其中碲粉、镉粉能够作为活性剂，调整碲化镉粉末的活性并提高碲化镉粉末的致密度，而后将锌源、硒源与碳纳米管通过水热法的方法原位掺杂至碲化镉，改变碲化镉的能带结构，提高光吸收效率，并提高导电性能，提高载流子迁移率，进而显著提高光电性能。
12、作为本专利技术的优选实施方案，所述碲粉、镉粉、碲化镉粉的质量比为（5~10）：（5~10）：（80~90）。
13、作为本专利技术的优选实施方案，所述六水合硝酸锌、水的质量比为1：（4~10）。
14、作为本专利技术的优选实施方案，所述四氢硼酸钠、水、硒粉的质量比为1：（4~10）：（0.5~2）。
15、作为本专利技术的优选实施方案，所述多壁碳纳米管、丙酮、水的质量比为1：（1~4）：（4~10）。
16、作为本专利技术的优选实施方案，所述溶液a、溶液b、溶液c的质量比为1：（0.5~2）：（4~10）。
17、作为本专利技术的优选实施方案，所述混合粉体、掺杂液的质量比为1：（4~10）。
18、作为本专利技术的优选实施方案，所述碲粉的粒径为100~400目，所述碲粉的纯度≥3n。
19、作为本专利技术的优选实施方案，所述镉粉的粒径为100~400目，所述镉粉的纯度≥3n。
20、作为本专利技术的优选实施方案，所述碲化镉粉的粒径为100~400目，所述碲化镉粉的纯度≥3n。
21、作为本专利技术的优选实施方案，所述热处理的温度为540~580℃，热处理时间为2~5h。
22、作为本专利技术的优选实施方案，所述多壁碳纳米管的外径为10~20nm，长度为5~10μm。
23、作为本专利技术的优选实施方案，所述多壁碳纳米管为改性多壁碳纳米管，所述改性多壁碳纳米管的制备方法为：
24、（1）将2~8质量份多壁碳纳米管、0.1~0.6质量份硅烷偶联剂kh550、2~10质量份醋酸水溶液加入到20~40质量份无水乙醇中，搅拌均匀，得到多壁碳纳米管混合液；
25、（2）将2~10质量份苯甲酸加入到20~30质量份磷酸缓冲液中，搅拌均匀，再加入1~5质量份十二烷基苯磺酸钠，搅拌均匀，得到改性液；
26、（3）将步骤（2）的改性液滴入步骤（1）的多壁碳纳米管混合液中，以200~500rpm转速搅拌2~6h，过滤，干燥，得到改性多壁碳纳米管。
27、本专利技术对多壁碳纳米管进行改性，在近空间升华法沉积时，能够有效的提高其在体系分散性，使其不会发生团聚现象，同时改性后，锌源、硒源能够部分镶入碳纳米管的管壁上，能够更进一步改变碲化镉的能带结构，提高光吸收效率。
28、本专利技术的有益效果：本专利技术创造性的将碲粉、镉粉、碲化镉粉进行共混，其中碲粉、镉粉能够作为活性剂，调整碲化镉粉末的活性并提高碲化镉粉末的致密度，而后将锌源、硒源与碳纳米管通过水热法的方法原位掺杂至碲化镉，改变碲化镉的能带结构，提高光吸收效率，并提高导电性能，提高载流子迁移率，进而显著提高光电性能。
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1.一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述碲粉、镉粉、碲化镉粉的质量比为（5~10）：（5~10）：（80~90）。
3.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述六水合硝酸锌、水的质量比为1：（4~10）。
4.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述四氢硼酸钠、水、硒粉的质量比为1：（4~10）：（0.5~2）。
5.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述多壁碳纳米管、丙酮、水的质量比为1：（1~4）：（4~10）。
6.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述溶液A、溶液B、溶液C的质量比为1：（0.5~2）：（4~10）。
7.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述混合粉体、掺杂液的质量比为1：（4~10）。
8.根据权利要求1所述的提高碲
9.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述镉粉的粒径为100~400目，所述镉粉的纯度≥3N。
10.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述碲化镉粉的粒径为100~400目，所述碲化镉粉的纯度≥3N。
...【技术特征摘要】
1.一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述碲粉、镉粉、碲化镉粉的质量比为（5~10）：（5~10）：（80~90）。
3.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述六水合硝酸锌、水的质量比为1：（4~10）。
4.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述四氢硼酸钠、水、硒粉的质量比为1：（4~10）：（0.5~2）。
5.根据权利要求1所述的提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，其特征在于，所述多壁碳纳米管、丙酮、水的质量比为1：（1~4）：（4~10）。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨永添，吴健，周昭寅，
申请(专利权)人：广州市尤特新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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