本发明涉及ITO靶材技术领域，具体公开了一种具有高透明性的ITO靶材，所述ITO靶材为氧化铟：氧化锡按照重量比99:1配比制成。本发明ITO靶材采用氧化铟、氧化锡配制制成，通过改性液超声改性浸润处理，改性液中的柠檬酸钠溶液、硅烷偶联剂、...

本发明属于半导体材料技术领域，本发明具体公开了一种具有优异光电性能的碲化镉靶材的制备方法及碲化镉薄膜，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碲粉、镉粉、碲化镉粉混合均匀，得到混合粉体；（2）将多壁碳纳米管、氯化镉分散于PVP‑K90水溶液中...

本发明属于半导体材料技术领域，本发明具体公开了一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，本发明创造性的将碲粉、镉粉、碲化镉粉进行共混，其中碲粉、镉粉能够作为活性剂，调整碲化镉粉末的活性并提高碲化镉粉末的致密度，而后将锌源、硒源与碳纳米管通过...

本发明公开了一种用于异质结电池的氧化锡靶材，氧化锡靶材包括氧化锡粉和氧化钽粉、氧化钼粉中的任一种或两种；所述氧化锡粉的质量分数为：94‑99.5%；所述氧化锡粉的粒度为：20‑80nm。本发明掺杂氧化钽、氧化钼是基于钽（+5）或钼元素（...

本发明公开了一种用于太阳能电池行业的

本发明公开了一种用于钙钛矿的氧化镍靶材及钙钛矿电池，包括以下步骤：步骤一、制备氧化镍粉体颗粒；步骤二、将氧化镍粉体颗粒经等离子喷涂于基体材料上获得靶材；本发明在钙钛矿结构中，将氧化镍作为电子传输层以替代常用的氧化锡、氧化钛等，氧化镍性质...

本发明公开了一种用于接触材料的银氧化锡靶材的制备方法，包括以下步骤：S1：喷涂粉体：制备纯度≥99.95%，粒度10

本发明公开了一种CTO靶材的制备方法，包括以下步骤：将铯钨青铜粉体基体加入到铯钨青铜粉体基体总量3

本发明涉及一种非晶涂层及其制备方法。该非晶涂层由铁基合金构成，除Fe、Cr元素外，还含有Si、B、P、C、Al、Mo中的多种主要元素，以及少量Ni、Zr、Nb、Y等中的一种或多种合金元素。通过选用合适的元素配比，可促使非晶涂层兼具良好的...

本发明涉及磁控溅射靶材加工领域，具体涉及对靶材进行表面金属化处理，特别涉及一种增加靶材附着力的加工工艺。本发明提供一种增加靶材附着力的加工工艺，包括：——对靶材表面进行预处理操作；——对预处理后的靶材表面进行涂覆金属层操作；所述预处理操...

本发明涉及旋转靶材领域，具体涉及一种旋转靶材清理设备。发明提供一种旋转靶材清理设备，设有供旋转靶材可拆卸地装入的安装夹具，安装夹具旁侧设有激光清理装置，激光清理装置朝已装入到安装夹具中的旋转靶材的相邻靶管之间的缝隙发射激光清理缝隙中的杂...

本发明公开了一种防变色陶瓷膜用靶材，包括以下重量份原料：铌45

本发明公开了一种掺杂金属的AZO靶材，所述AZO靶材包括氧化锌、氧化铝、改性ITO和协调共配剂；其中氧化锌、氧化铝、改性ITO和协调共配剂的物质质量比为（12

本发明公开了一种黑色装饰膜用合金靶材，包括以下重量百分比原料：铬1.5

本实新涉及磁控溅射靶材技术领域，特别涉及一种具有背管安装间隔结构的旋转靶材。背管安装间隔结构包括内衬管和两个分别安装在背管两端的安装法兰，内衬管是内部中空、两端开口的圆长管，两个安装法兰相对地设有安装通孔，安装旋转靶材时，磁控溅射设备的...

本发明公开了一种香槟色薄膜用靶材，包括以下重量百分比原料：Ag1.2

本发明涉及旋转靶材领域，具体涉及旋转靶材中的衬管检测领域，特别是涉及一种衬管侧漏检测治具。本发明提供一种衬管侧漏检测治具：包括用于盖住衬管后端口的后端密封盖和用于盖住衬管前端口的前端密封盖；包括用于连接后端密封盖和前端密封盖的锁紧拉杆，...

本发明公开了一种粉红色薄膜用靶材的制备方法，包括以下步骤：步骤一：将原料Au80

本实用新型涉及靶材生坯摆放用布粉器及定位件，布粉器可在承烧板上把辅助滑动粉塑形得到顶部具有斜坡的粉堆，再把旋转靶材生坯摆放到粉堆的斜坡上。烧结时，靶材生坯收缩会带动氧化铝粉堆相对承烧板沿径向向内移动，从而使旋转靶材生坯和承烧板之间的水平...

本实用新型涉及一种靶材生坯摆放用布粉器，该布粉器可在承烧板上把辅助滑动粉堆成多个粉堆，再将靶材生坯平放于粉堆上进行烧结，每个粉堆之间间隔有一定距离且粉堆的顶点高于承烧板的顶面，通过减小靶材生坯与辅助滑动粉和承烧板的接触面积以避免靶材生坯...