下载一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法的技术资料

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本发明属于半导体材料技术领域,本发明具体公开了一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法,本发明创造性的将碲粉、镉粉、碲化镉粉进行共混,其中碲粉、镉粉能够作为活性剂,调整碲化镉粉末的活性并提高碲化镉粉末的致密度,而后将锌源、硒源与碳纳米管通过水热...
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