【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种半导体结构的制造方法、芯片和电子设备。
技术介绍
1、在半导体集成电路制造领域，功率器件一直有着非常广泛的应用，特别是新能源汽车充电与电机驱动系统、光伏产业的逆变器等系统中均大量使用功率器件。在功率器件中，ldmos器件以其与逻辑电路器件的高兼容性受到了广泛关注。由于应用端的复杂性，很多功率电路产品设计不仅仅使用ldmos器件，还需要部分高性能的寄生器件，比如高正向导通、低反向漏电的寄生肖特基二极管。但是，现有技术的寄生肖特基二极管的结构决定了其p型体区和n型深阱区域的注入浓度较高，从而难以满足器件耐高压和高导通电流的需求。
技术实现思路
1、为了解决相关技术中的问题，本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法、芯片和电子设备。
2、第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：在衬底中形成深阱区域；形成浅隔离槽，用于在所述深阱区域中隔离出有源区；在所述有源区中执行离子注入，形成第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区，所述第一掺杂区的注入离子与所述第二掺杂区的注入离子具有相同的导电类型，与所述第三掺杂区的离子具有不同的导电类型，所述第一掺杂区位于所述第二掺杂区下方，并且具有比所述第二掺杂区更大的宽度；在有源区中进行高浓度掺杂定义欧姆接触区域和肖特基区域；在所述欧姆接触区域和所述肖特基区域上形成合金层，所述合金层与所述欧姆接触区域和所述肖特基区域形成接触孔区域。
3、根据本公开的实施例，所述衬底为p型衬底，所述在
4、根据本公开的实施例，所述形成浅隔离槽，包括：在所述hnw中形成多个浅隔离槽，从而在所述hnw中隔离出第一有源区和第二有源区。所述第一有源区位于两个第二有源区之间。
5、根据本公开的实施例，所述在所述有源区中执行离子注入，形成第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区，包括：在所述第一有源区中执行p型离子注入，以形成第一掺杂区；在所述第一有源区中执行p型离子注入，以在所述第一掺杂区上方形成第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相邻；在所述第二有源区中执行n型离子注入，以形成第三掺杂区。所述第一掺杂区为p型减小表面场区prf，所述第二掺杂区为p型体区pb，所述第三掺杂区为n型阱区nw。所述在所述有源区中执行离子注入，形成第一掺杂区、第二掺杂区，包括：在所述第一有源区中形成两组掺杂区，每组掺杂区包括一个第一掺杂区和一个第二掺杂区；
6、根据本公开的实施例，所述第一掺杂区在第一方向上超出所述第二掺杂区的宽度a小于等于所述第一掺杂区在第二方向上超出所述第二掺杂区的宽度b，所述第一方向为第二方向的反方向，所述第二方向为从所述第一掺杂区指向同一第一有源区中的另一第一掺杂区的方向。
7、根据本公开的实施例，所述两组掺杂区的两个第一掺杂区之间的间距为c，所述方法还包括：根据肖特基正向的开启电压vfb和肖特基的导通电阻对b和c进行设置，当b增大时，肖特基正向的开启电压vfb降低，当c减小时，肖特基的导通电阻增大。
8、根据本公开的实施例，所述在所述有源区中进行高浓度掺杂定义欧姆接触区域，包括：在所述第二掺杂区和所述第三掺杂区中执行与相应掺杂区相同导电类型的高浓度离子注入，以形成高浓度掺杂区域作为欧姆接触区域；或者在所述第二掺杂区和所述第三掺杂区中执行与相应掺杂区相同导电类型的高浓度离子注入，在所述两组掺杂区的两个第二掺杂区之间的有源区中执行与所述有源区相反导电类型的高浓度离子注入，以形成高浓度掺杂区域作为欧姆接触区域。
9、根据本公开的实施例，所述在所述欧姆接触区域和所述肖特基区域上形成合金层，包括：形成氧化层；去除所述欧姆接触区域和所述肖特基区域上的氧化层；沉积金属层；执行高温反应，从而在所述欧姆接触区域和所述肖特基区域上形成金属与硅的合金层。
10、第二方面，本公开实施例中提供了一种半导体结构，使用根据以上所述的方法制造。
11、根据本公开的实施例. 一种半导体结构，包括：衬底；在所述衬底中形成的深阱区域；有源区，位于所述深阱区域中；位于所述有源区中的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区，所述第一掺杂区的注入离子与所述第二掺杂区的注入离子具有相同的导电类型，与所述第三掺杂区的离子具有不同的导电类型，所述第一掺杂区位于所述第二掺杂区下方，并且具有比所述第二掺杂区更大的宽度；欧姆接触区域和肖特基区域，位于所述有源区中；合金层，形成在所述欧姆接触区域和所述肖特基区域上，所述合金层与所述欧姆接触区域和所述肖特基区域形成接触孔区域。
12、根据本公开的实施例，所述衬底为p型衬底，所述深阱区域包括高压p型阱hpw和高压n型阱hnw。所述hnw的深度大于所述hpw的深度，所述hnw位于两个hpw之间。
13、根据本公开的实施例，半导体结构还包括在所述hnw中形成的多个浅隔离槽，从而在所述hnw中隔离出第一有源区和第二有源区。
14、根据本公开的实施例，所述第一有源区位于两个第二有源区之间。所述第一掺杂区位于所述第一有源区中，所述第一掺杂区的注入离子为p型离子；所述第二掺杂区位于所述第一有源区中，所述第二掺杂区的注入离子为p型离子，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相邻；所述第三掺杂区位于所述第二有源区中，所述第三掺杂区的注入离子为n型离子。所述第一掺杂区为p型减小表面场prf，所述第二掺杂区为p型体区pb，所述第三掺杂区为n型阱区nw。在所述第一有源区中包括两组掺杂区，每组掺杂区包括一个第一掺杂区和一个第二掺杂区；
15、根据本公开的实施例，所述第一掺杂区在第一方向上超出所述第二掺杂区的宽度a小于等于所述第一掺杂区在第二方向上超出所述第二掺杂区的宽度b，所述第一方向为第二方向的反方向，所述第二方向为从所述第一掺杂区指向同一第一有源区中的另一第一掺杂区的方向。
16、根据本公开的实施例，所述两组掺杂区的两个第一掺杂区之间的间距为c；根据肖特基正向的开启电压vfb和肖特基的导通电阻对b和c进行设置，当b增大时，肖特基正向的开启电压vfb降低，当c减小时，肖特基的导通电阻增大。
17、根据本公开的实施例，所述欧姆接触区域包括：在所述第二掺杂区和所述第三掺杂区中执行与相应掺杂区相同导电类型的高浓度离子注入形成的高浓度掺杂区域；或者在所述第二掺杂区和所述第三掺杂区中执行与相应掺杂区相同导电类型的高浓度离子注入形成的高浓度掺杂区域，以及在所述两组掺杂区的两个第二掺杂区之间的有源区中执行与所述有源区相反导电类型的高浓度离子注入形成的高浓度掺杂区域。
18、第三方面，本公开实施例中提供了一种芯片，包括以上任一项所述的半导体结本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底为P型衬底，所述在衬底中形成深阱区域，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述HNW的深度大于所述HPW的深度，所述HNW位于两个HPW之间。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述形成浅隔离槽，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一有源区位于两个第二有源区之间。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述在所述有源区中执行离子注入，形成第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一掺杂区为P型减小表面场区PRF，所述第二掺杂区为P型体区PB，所述第三掺杂区为N型阱区NW。
8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述在所述有源区中执行离子注入，形成第一掺杂区、第二掺杂区，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述两组掺杂区的两个第一掺杂区之间的间距为c，所述方法还包括：
10. 根据权利要求8所述的方法，其中，所述
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述欧姆接触区域和所述肖特基区域上形成合金层，包括：
12.一种半导体结构，其特征在于，使用根据权利要求1-11中任一项所述的方法制造。
13.一种半导体结构，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中，所述衬底为P型衬底，所述深阱区域包括高压P型阱HPW和高压N型阱HNW。
15.根据权利要求14所述的半导体结构，其中，所述HNW的深度大于所述HPW的深度，所述HNW位于两个HPW之间。
16.根据权利要求14所述的半导体结构，还包括在所述HNW中形成的多个浅隔离槽，从而在所述HNW中隔离出第一有源区和第二有源区。
17.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述第一有源区位于两个第二有源区之间。
18.根据权利要求17所述的半导体结构，其中：
19.根据权利要求18所述的半导体结构，其中，所述第一掺杂区为P型减小表面场PRF，所述第二掺杂区为P型体区PB，所述第三掺杂区为N型阱区NW。
20.根据权利要求18所述的半导体结构，其中：
21.根据权利要求20所述的半导体结构，其中：
22. 根据权利要求20所述的半导体结构，其中，所述欧姆接触区域包括：
23.一种芯片，包括根据权利要求13-22中任一项所述的半导体结构。
24.一种电子设备，包括根据权利要求13-22中任一项所述的半导体结构，或根据权利要求23所述的芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底为p型衬底，所述在衬底中形成深阱区域，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述hnw的深度大于所述hpw的深度，所述hnw位于两个hpw之间。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述形成浅隔离槽，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一有源区位于两个第二有源区之间。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述在所述有源区中执行离子注入，形成第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一掺杂区为p型减小表面场区prf，所述第二掺杂区为p型体区pb，所述第三掺杂区为n型阱区nw。
8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述在所述有源区中执行离子注入，形成第一掺杂区、第二掺杂区，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述两组掺杂区的两个第一掺杂区之间的间距为c，所述方法还包括：
10. 根据权利要求8所述的方法，其中，所述在所述有源区中进行高浓度掺杂定义欧姆接触区域，包括：
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述欧姆接触区域和所述肖特基区域上形成合金层，包括：
12.一种半导体结构，其特征在于，使用根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李君建，吴波，刘芳，邓永峰，王凯，连亚军，吴祖谋，章明瑞，董子斌，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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