【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化铝靶材，具体涉及一种氮化铝靶材及其制备方法。
技术介绍
1、半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
2、现有的氮化铝靶材致密性差，同时靶材导热性能差，产品的性能很难协调改进，产品耐酸、碱腐稳定性差，限制了产品的使用效率。
技术实现思路
1、针对现有技术的缺陷，本专利技术的目的是提供一种氮化铝靶材及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、本专利技术解决技术问题采用如下技术方案：
3、本专利技术提供了一种氮化铝靶材的制备方法，包括以下步骤：
4、步骤一：将金属基体先抛光，然后置于丙酮溶剂中浸泡1h，再取出、干燥；
5、步骤二：将纳米氮化铝浸入到纳米氮化铝总量3-5倍的掺调剂中超声处理，超声结束，水洗、抽滤、干燥；
6、步骤三：将干燥的步骤二产物溅射到步骤一金属基体上，溅射结束得到靶材体；
7、步本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种氮化铝靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述一种氮化铝靶材的制备方法，其特征在于，所述超声处理的超声功率为450-500W，超声30-40min；所述溅射的溅射功率为1-2KW，溅射时间10-15s。
3.根据权利要求1所述一种氮化铝靶材的制备方法，其特征在于，所述热改进处理的具体操作步骤为：
4.根据权利要求1所述一种氮化铝靶材的制备方法，其特征在于，所述掺调剂的制备方法为：
5.根据权利要求4所述一种氮化铝靶材的制备方法，其特征在于，所述搅拌改性处理的搅拌温度为55-60℃，搅拌时...
【技术特征摘要】
1.一种氮化铝靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述一种氮化铝靶材的制备方法，其特征在于，所述超声处理的超声功率为450-500w，超声30-40min；所述溅射的溅射功率为1-2kw，溅射时间10-15s。
3.根据权利要求1所述一种氮化铝靶材的制备方法，其特征在于，所述热改进处理的具体操作步骤为：
4.根据权利要求1所述一种氮化铝靶材的制备方法，其特征在于，所述掺调剂的制备方法为：
5.根据权利要求4所述一种氮化铝靶材的制备方法，其特征在于，所述搅拌改性处理的搅拌温度为55-60℃，搅拌时间为30-40min，搅拌转速为450-500r/min。
【专利技术属性】
技术研发人员：周志宏，周昭寅，刘青雄，
申请(专利权)人：广州市尤特新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。