System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路制造技术_技高网

一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路制造技术

技术编号:40435550 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-22 23:00
本发明专利技术公开了一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,包括:预驱芯片;所述预驱芯片通过H桥电路连接驱动电机,通过控制所述H桥电路导通状态控制所述驱动电机的运行状态;所述H桥电路连接有外接电路,所述外接电路连接MCU处理器,通过所述MCU处理器发送电平信号控制所述外接电路导通,在所述预驱芯片发生误操作时,使驱动电机的运行状态保持不变;通过在低安全等级的QM预驱芯片设计外接电路的方式,提高芯片在控制H桥电路驱动时的鲁棒性,降低误操作的发生率,降低使用成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及汽车智能制动,尤其涉及一种基于qm预驱芯片的epb驱动电路。


技术介绍

1、电子驻车制动系统(epb)是一种已经广泛应用于汽车领域的功能控制模块。在汽车停止时,为汽车驻车提供助力,防止汽车溜车的电子控制器单元。使用外置的epb开关替代了传统汽车手拉式机械手刹的功能。目前,汽车电子化的进程发展很迅速,整个汽车系统的复杂度也越来越高,对功能安全的需求也越来越高。

2、目前,大部分零部件供应商在面对功能安全需求的解决方案是使用符合asil d标准的预驱芯片,将功能安全的需求转嫁给预驱芯片,通过符合asil d标准的芯片内部的诊断检测电路,达到功能安全的需求,这样的解决方案成本较高,可选择芯片的种类单一,遇到物料紧缺的情况,会出现无芯片可用的情况,成本会进一步增加。

3、而采用qm芯片虽然可以节省一定的成本,但会有误驱动的风险,导致h桥被误驱动:车辆行驶过程中,芯片误驱动,导致epb电机正转,卡钳电机被夹紧,会导致车辆失去平衡,或者在车辆驻车的时候,由于芯片的误驱动,夹紧的卡钳电机被释放,出现溜坡现象。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种基于qm预驱芯片的epb驱动电路。

2、为了实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:一种基于qm预驱芯片的epb驱动电路,包括:

3、预驱芯片;

4、所述预驱芯片通过h桥电路连接驱动电机,通过控制所述h桥电路导通状态控制所述驱动电机的运行状态;

5、所述h桥电路连接有外接电路,所述外接电路连接mcu处理器,所述mcu处理器通过io端口控制所述外接电路导通,在所述预驱芯片发生误操作时,使驱动电机的运行状态保持不变。

6、作为上述技术方案的进一步描述:所述h桥电路包括第一mos管、第二mos管、第三mos管和第四mos管,所述第一mos管和所述第二mos管的漏极与第一电源并联。

7、作为上述技术方案的进一步描述:所述第一mos管的源极连接所述第三mos管的漏极,所述第二mos管的源极连接所述第四mos管的漏极;所述第三mos管的源极和所述第四mos管的源极并联接地。

8、作为上述技术方案的进一步描述:所述预驱芯片设置有四个电平输出端口,分别与所述第一mos管、所述第二mos管、所述第三mos管和所述第四mos管的栅极连接。

9、作为上述技术方案的进一步描述:所述第一mos管和第三mos管之间连接所述驱动电机的正极,所述第二mos管和所述第四mos管之间连接所述驱动电机的负极。

10、作为上述技术方案的进一步描述:所述外接电路包括第一三极管,所述第一三极管的集电极与所述第三mos管的栅极连接,所述第一三极管的发射极接地,所述第一三极管的基极连接所述mcu处理器的io端口。

11、作为上述技术方案的进一步描述:所述第一三极管的集电极与所述第三mos管的栅极之间并联连接第一电阻、第二电阻和第三电阻,所述第一电阻和所述第二电阻串联,一侧连接第二电源,另一侧接地。

12、作为上述技术方案的进一步描述:所述第三电阻连接第一电容和所述mcu处理器的adc采集端。

13、作为上述技术方案的进一步描述:所述外接电路还包括第二三极管,所述第二三极管的集电极与所述第四mos管的栅极连接,所述第二三极管的发射极接地,所述第二三极管的基极连接所述mcu处理器的另一io端口。

14、作为上述技术方案的进一步描述:所述第二三极管的集电极与所述第四mos管的栅极之间并联连接第四电阻、第五电阻和第六电阻,所述第四电阻和所述第五电阻串联,一侧连接所述第二电源,另一侧接地;

15、所述第六电阻连接第二电容和所述mcu处理器的另一adc采集端。

16、上述技术方案具有如下优点或有益效果:

17、1、通过在低安全等级的qm预驱芯片设计外接电路的方式,提高芯片在控制h桥电路驱动时的鲁棒性,降低误操作的发生率,降低使用成本。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,其特征在于:所述H桥电路包括第一MOS管(4)、第二MOS管(5)、第三MOS管(6)和第四MOS管(7),所述第一MOS管(4)和所述第二MOS管(5)的漏极与第一电源(8)并联。

3.根据权利要求2所述的一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,其特征在于:所述第一MOS管(4)的源极连接所述第三MOS管(6)的漏极,所述第二MOS管(5)的源极连接所述第四MOS管(7)的漏极;所述第三MOS管(6)的源极和所述第四MOS管(7)的源极并联接地。

4.根据权利要求2所述的一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,其特征在于:所述预驱芯片(1)设置有四个电平输出端口(9),分别与所述第一MOS管(4)、所述第二MOS管(5)、所述第三MOS管(6)和所述第四MOS管(7)的栅极连接。

5.根据权利要求2所述的一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,其特征在于:所述第一MOS管(4)和第三MOS管(6)之间连接所述驱动电机(2)的正极,所述第二MOS管(5)和所述第四MOS管(7)之间连接所述驱动电机的负极。

6.根据权利要求2所述的一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,其特征在于:所述外接电路包括第一三极管(10),所述第一三极管(10)的集电极与所述第三MOS管(6)的栅极连接,所述第一三极管(10)的发射极接地,所述第一三极管(10)的基极连接所述MCU处理器(3)的IO端口。

7.根据权利要求6所述的一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,其特征在于:所述第一三极管(10)的集电极与所述第三MOS管(6)的栅极之间并联连接第一电阻(11)、第二电阻(12)和第三电阻(13),所述第一电阻(11)和所述第二电阻(12)串联,一侧连接第二电源(20),另一侧接地。

8.根据权利要求7所述的一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,其特征在于:所述第三电阻(13)连接第一电容(14)和所述MCU处理器(3)的ADC采集端。

9.根据权利要求7所述的一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,其特征在于:所述外接电路还包括第二三极管(15),所述第二三极管(15)的集电极与所述第四MOS管(7)的栅极连接,所述第二三极管(15)的发射极接地,所述第二三极管(15)的基极连接所述MCU处理器(3)的另一IO端口。

10.根据权利要求9所述的一种基于QM预驱芯片的EPB驱动电路,其特征在于:所述第二三极管(15)的集电极与所述第四MOS管(7)的栅极之间并联连接第四电阻(16)、第五电阻(17)和第六电阻(18),所述第四电阻(16)和所述第五电阻(17)串联,一侧连接所述第二电源(20),另一侧接地;

...

【技术特征摘要】

1.一种基于qm预驱芯片的epb驱动电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种基于qm预驱芯片的epb驱动电路,其特征在于:所述h桥电路包括第一mos管(4)、第二mos管(5)、第三mos管(6)和第四mos管(7),所述第一mos管(4)和所述第二mos管(5)的漏极与第一电源(8)并联。

3.根据权利要求2所述的一种基于qm预驱芯片的epb驱动电路,其特征在于:所述第一mos管(4)的源极连接所述第三mos管(6)的漏极,所述第二mos管(5)的源极连接所述第四mos管(7)的漏极;所述第三mos管(6)的源极和所述第四mos管(7)的源极并联接地。

4.根据权利要求2所述的一种基于qm预驱芯片的epb驱动电路,其特征在于:所述预驱芯片(1)设置有四个电平输出端口(9),分别与所述第一mos管(4)、所述第二mos管(5)、所述第三mos管(6)和所述第四mos管(7)的栅极连接。

5.根据权利要求2所述的一种基于qm预驱芯片的epb驱动电路,其特征在于:所述第一mos管(4)和第三mos管(6)之间连接所述驱动电机(2)的正极,所述第二mos管(5)和所述第四mos管(7)之间连接所述驱动电机的负极。

6.根据权利要求2所述的一种基于qm预驱芯片的epb驱动电路,其特征在于:所述外接电路包括第一三极管(10),所述第一三极管(...

【专利技术属性】
技术研发人员:田丰吴衡周天翼
申请(专利权)人:千顾汽车科技江苏有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1