【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路测试的领域，尤其是涉及一种高温反偏测试电路，一种高温反偏测试电路的驱动方法。
技术介绍
1、目前，高温反向偏压试验(high temperaturereverse bias)，简称htrb，是指在高温条件下，持续向被测器件提供80％规格的反向电压，在长时间的工作下，要求试验样品的反向漏电流能在范围值内保持稳定。为保证器件的可靠性，厂商在器件出厂前，会采用一系列可靠性试验对器件进行考核、筛选，高温反向偏压试验是器件出厂前必做的试验之一，该试验对剔除具有表面效应缺陷的早期失效器件特别有效，如未经此试验，这些器件在正常的使用条件下会发生早期失效。现有技术中，进行htrb试验的测试电路有多种，但是都存在诸多问题，例如，要求开关器件耐高压、串联在一起的开关器件在各项参数上保持一致性。
技术实现思路
1、为了解决开关器件需要耐高压、并且需要串联在一起的开关器件在各项参数上必须保持一致性的技术问题，本申请提供了一种高温反偏测试电路，一种高温反偏测试电路的驱动方法。
2、本申请提供的一种高温反偏测试电路，采用如下的技术方案：
3、第一方面，提供一种高温反偏测试电路，包括：
4、由串联在一起的开关器件s1、s2和第一直流电源v1构成回路的第一电源模块，用于在驱动信号驱动开关器件s1、s2时，输出零伏或与第一直流电源v1的电压相等的电压值；
5、由串联在一起的开关器件s3、s4和第二直流电源v2构成回路的第二电源模块，用于在驱动信号驱动开关
6、所述第一电源模块和所述第二电源模块串联在一起，为被测试的对象电路提供零伏、与第一直流电源v1的电压相等的电压值或与第二直流电源v2的电压相等的电压值、第一直流电源v1的电压值加上第二直流电源v2的电压值的第一测试电压；
7、所述第一测试电压是串联在一起的开关器件s2、s3两端的端电压。
8、优选的，所述开关器件s1、s2、s3、s4均为n沟道mosfet。
9、优选的，所述第一直流电源v1的电压与所述第二直流电源v2的电压相等。
10、第二方面，还提供一种高温反偏测试电路，包括：
11、由串联在一起的开关器件s1、s2和第一直流电源v1构成回路的第一电源模块，用于在驱动信号驱动开关器件s1、s2时，输出零伏或与第一直流电源v1的电压相等的电压值；
12、由串联在一起的开关器件s3、s4和第二直流电源v2构成回路的第二电源模块，用于在驱动信号驱动开关器件s3、s4时，输出零伏或与第二直流电源v2的电压相等的电压值；
13、由串联在一起的开关器件s5、s6和第三直流电源v3构成回路的第三电源模块，用于在驱动信号驱动开关器件s5、s6时，输出零伏或与第三直流电源v3的电压相等的电压值；
14、所述第一电源模块、所述第二电源模块和第三电源模块串联在一起，为被测试的对象电路提供零伏、与第一直流电源v1的电压相等的电压值或与第二直流电源v2的电压相等的电压值或与第三直流电源v3的电压相等的电压值、第一直流电源v1的电压值与第二直流电源v2的电压值加上第三直流电源v3的电压值的第二测试电压；
15、所述第二测试电压是串联在一起的开关器件s2、s3、s4、s5两端的端电压。
16、优选的，所述开关器件s1、s2、s3、s4、s5、s6均为n沟道mosfet。
17、优选的，所述第一直流电源v1的电压、所述第二直流电源v2的电压和第三直流电源v3的电压均相等。
18、第三方面，还提供一种驱动高温反偏测试电路的方法，所述驱动信号驱动如权利要求1的高温反偏测试电路中的开关器件s1、s2、s3、s4；
19、驱动信号使得所述开关器件s1、s4同时开或关，以及使得所述开关器件s2、s3同时开或关；并且，所述开关器件s1、s4的导通和关闭，与所述开关器件s2、s3的导通和关闭互补；则所述被测试的对象电路的两端的第一测试电压为零伏或第一直流电源v1的电压值加上第二直流电源v2的电压值；
20、驱动信号使得所述开关器件s1、s2互补导通，以及使得所述开关器件s3、s4互补导通，以及使得所述开关器件s1和s2的导通与关闭时长可调，所述开关器件s3和s4的导通与关闭时长可调；则所述被测试的对象电路的两端的第一测试电压为零伏、与第一直流电源v1的电压相等的电压值或与第二直流电源v2的电压相等的电压值、第一直流电源v1的电压值加上第二直流电源v2的电压值；
21、驱动信号使得所述开关器件s3一直保持导通，以及使得所述开关器件s1、s2互补导通或关闭；则所述被测试的对象电路的两端的第一测试电压为零伏、与第一直流电源v1的电压相等的电压值或与第二直流电源v2的电压相等的电压值。
22、第四方面，还提供一种驱动高温反偏测试电路的方法，所述驱动信号驱动如权利要求4的高温反偏测试电路中的开关器件s1、s2、s3、s4、s5、s6；
23、驱动信号使得所述开关器件s1、s6同时导通或关闭，以及使得所述开关器件s2、s5的导通或关闭与所述开关器件s1、s6的导通或关闭互补，以及使得所述开关器件s3、s4始终处于关闭；则所述被测试的对象电路的两端的第二测试电压为：与第一直流电源v1的电压相等的电压值或与第二直流电源v2的电压相等的电压值或与第三直流电源v3的电压相等的电压值，或所述第一直流电源v1的电压值、所述第二直流电源v2的电压值和所述第三直流电源v3之和的电压值；
24、驱动信号使得所述开关器件s1、s4同时导通或关闭，以及使得所述开关器件s2、s3的导通或关闭与所述开关器件s1、s4的导通或关闭互补，以及使得所述开关器件s5始终处于导通，所述开关器件s6始终处于关闭；则所述被测试的对象电路的两端的第二测试电压为：零伏，或第一直流电源v1的电压值与第二直流电源v2的电压值之和、第一直流电源v1的电压值与第二直流电源v3的电压值之和、第一直流电源v2的电压值与第二直流电源v3的电压值之和；
25、驱动信号使得所述开关器件s1、s2的导通或关闭互补，以及使得所述开关器件s5、s6的导通或关闭互补，以及使得所述开关器件s1和s2的导通或关闭时长可调，所述开关器件s5和s6的导通或关闭时长可调；则所述被测试的对象电路的两端的第二测试电压为：第一直流电源v1的电压值，或第二直流电源v2的电压值，或第三直流电源v3的电压值，或第一直流电源v1的电压值与第二直流电源v2的电压值之和、第一直流电源v1的电压值与第二直流电源v3的电压值之和、第一直流电源v2的电压值与第二直流电源v3的电压值之和，或第一直流电源v1的电压值、第二直流电源v2的电压值、第三直流电源v3的电压值之和。
26、综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
27、1.所需的开关器件不需要耐受很本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高温反偏测试电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关器件S1、S2、S3、S4均为N沟道MOSFET。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一直流电源V1的电压与所述第二直流电源V2的电压相等。
4.一种高温反偏测试电路，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述开关器件S1、S2、S3、S4、S5、S6均为N沟道MOSFET。
6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一直流电源V1的电压、所述第二直流电源V2的电压和第三直流电源V3的电压均相等。
7.一种驱动高温反偏测试电路的方法，其特征在于，所述驱动信号驱动如权利要求1的高温反偏测试电路中的开关器件S1、S2、S3、S4；
8.一种驱动高温反偏测试电路的方法，其特征在于，所述驱动信号驱动如权利要求4的高温反偏测试电路中的开关器件S1、S2、S3、S4、S5、S6；
【技术特征摘要】
1.一种高温反偏测试电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关器件s1、s2、s3、s4均为n沟道mosfet。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一直流电源v1的电压与所述第二直流电源v2的电压相等。
4.一种高温反偏测试电路，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述开关器件s1、s2、s3、s4、s5、s6均为n沟道mos...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘弘耀，丁育杰，毛赛君，
申请(专利权)人：忱芯科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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