【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及卫星系统，具体地，涉及一种斜路径电离层插值不确定度分析方法及系统。尤其涉及一种斜路径电离层插值不确定度分析及其在ppp-rtk中的应用。
技术介绍
1、斜路径电离层延迟模型是卫星高精度定位中精确修正电离层延迟的发展趋势。与传统垂直电离层模型相比较，斜路径电离层模型可有效抑制投影误差，将修正后电离层延迟误差精度提高到厘米级。
2、然而，现有斜路径模型的不确定度难以准确描述，使得在电离层增强用户端定位过程中产生电离层信息不能充分利用和收敛错误的问题。
3、对于ppp-rtk技术来说，获得高精度的电离层改正数至关重要，同时如何合理地评估电离层改正数的精度也十分关键。当不确定度设置的过于紧(即设一个很小的不确定度)会导致定位收敛错误；反之当不确定度设置的过于保守(即设一个很大的不确定度)会导致无法充分利用外界的电离层改正数信息。
4、因此，李盼在论文《ppp-rtk cons idering the ionosphere uncertainty withcross-validat ion》中对反...
【技术保护点】
1.一种斜路径电离层插值不确定度分析方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的斜路径电离层插值不确定度分析方法，其特征在于，所述插值方法包括IDW、径向基函数和克里金。
3.根据权利要求2所述的斜路径电离层插值不确定度分析方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
4.根据权利要求3所述的斜路径电离层插值不确定度分析方法，其特征在于，所述步骤S2.1包括：
5.根据权利要求1所述的斜路径电离层插值不确定度分析方法，其特征在于，对于IDW而言，函数关系式如下所示：
6.一种斜路径电离层插值不确定度分析系统，其
【技术特征摘要】
1.一种斜路径电离层插值不确定度分析方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的斜路径电离层插值不确定度分析方法，其特征在于，所述插值方法包括idw、径向基函数和克里金。
3.根据权利要求2所述的斜路径电离层插值不确定度分析方法，其特征在于，所述步骤s2包括：
4.根据权利要求3所述的斜路径电离层插值不确定度分析方法，其特征在于，所述步骤s2.1包括：
5.根据权利要求1所述的斜路径电离层插值不确定度分析方法，其特征在于，对于idw而言，函数关系式如下所示：
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