【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆芯片制程设备领域,尤其是涉及一种晶圆绝缘耐压老化测试装置。
技术介绍
1、晶圆芯片制程中通常会做一些老化应用系统测试,在室温至 200℃的高温环境下,同时对晶圆上每个芯片的漏源极 ds 之间施加 2000v 的恒定电压应力或 0v/2000v的交流动态电压应力进行老化测试,工装要求绝缘耐压2000v,无氧环境条件下测试,加热均匀度要求小于0.5℃。
2、相关技术中,目前常见的测试方法是采用人工手持晶圆托盘,放置在探针台上,探针台工装内手动操作充满氮气以实现无氧测试环境,升温至200℃做老化测试。该方式加热温度均匀性大于1℃,绝缘耐压小于1000v,具体测试操作时,需要多名工作人员相互配合,费时费力,进而导致工作效率低下。同时,探针卡内腔体密封性差,要不断补充大量氮气,才能满足无氧环境测试条件
3、因此,亟需一种高效节能的自动老化测试装置,以有效提高晶圆绝缘耐压老化测试的效率和可靠性。
技术实现思路
1、本申请提供一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,目的是为了
...【技术保护点】
1.一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
2.根据权利要求1所述的一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
3.根据权利要求1所述的一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
4.根据权利要求3所述的一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
5.根据权利要求1所述的一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
6.根据权利要求5所述的一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
7.根据权利要求1所述的一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
8.根据权利要求7所述的一种晶圆绝
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
2.根据权利要求1所述的一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
3.根据权利要求1所述的一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
4.根据权利要求3所述的一种晶圆绝缘耐压老化测试装置,其特征在于:
5.根据权利要求1所述的一种晶圆绝缘耐压老化...
【专利技术属性】
技术研发人员:贾士龙,毛赛君,
申请(专利权)人:忱芯科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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