形成包括竖直相对的电容器对的阵列的方法及包括竖直相对的电容器对的阵列技术

技术编号:40425165 阅读:19 留言:0更新日期:2024-02-20 22:45
本发明专利技术实施例涉及形成包含竖直相对的电容器对的阵列的方法及包括竖直相对的电容器对的阵列。所述方法,其包含:在具绝缘性的材料中的个别电容器开口中形成向上敞开的导电内衬。移除导电内衬中的个别者的竖向中间部分以在个别电容器开口中形成彼此竖向分离及间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬。使电容器绝缘体形成在个别电容器开口中的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬的径向内部。使导电材料形成在个别电容器开口中的电容器绝缘体的径向内部且竖向上介于电容器电极内衬之间。使导电材料形成为构成由竖直相对的电容器对中的个别者中的竖直相对的电容器共享的共享电容器电极。本发明专利技术公开独立于所述方法的额外方法及结构。

【技术实现步骤摘要】

本文中所公开的实施例是针对形成包括竖直相对的电容器对的阵列的方法及包括竖直相对的电容器对的阵列


技术介绍

1、存储器是一个类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。可将存储器制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及存取线(其也可称为字线)来使存储器单元被写入或从存储器单元读取。数字线可沿阵列的列导电地互连存储器单元,且存取线可沿阵列的行导电地互连存储器单元。可通过数字线及存取线的组合来唯一地寻址每一存储器单元。

2、存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在包含计算机断电时的长时间内存储数据。易失性存储器是耗散型的且因此在许多例项中需要被每秒多次刷新/重写。无论如何,存储器单元经配置以将存储器保存或存储成至少两个不同可选状态。在二进制系统中,将状态视为“0”或“1”。在其它系统中,至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的多于两个级别或状态。

3、电容器是可用于存储器单元中的一个类型的电子组件。电容器具有由电绝缘材料分离的两个电导体。可将作为电场的能量静电地本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器阵列,其包括:

2.一种阵列,其包括:

3.一种电容器阵列,其包括:

4.一种电容器阵列,其包括:

5.一种电容器阵列,其包括:

6.一种电容器阵列,其包括:

7.一种存储器阵列,其包括:

8.一种存储器阵列,其包括:

【技术特征摘要】

1.一种存储器阵列,其包括:

2.一种阵列,其包括:

3.一种电容器阵列,其包括:

4.一种电容器阵列,其包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:D·V·N·拉马斯瓦米
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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