异质结并联太阳电池及其制备方法技术

技术编号:40424977 阅读:18 留言:0更新日期:2024-02-20 22:45
本公开提供了一种异质结并联太阳电池及其制备方法,该异质结并联太阳电池包括依次层叠设置的第一电极、第一电荷提取层、光吸收层和第二电极;光吸收层包括第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层设置于第一电荷提取层上且第一半导体层中具有露出第一电荷提取层的孔隙,至少部分第二半导体层设置于孔隙中且接触于第一电荷提取层,第一半导体层与第一电荷提取层组成异质结,第二半导体层与第一电荷提取层也组成异质结。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏,特别是涉及一种异质结并联太阳电池及其制备方法


技术介绍

1、太阳电池是一种能够吸收太阳光并将其转化为电能的半导体器件。目前,为了制造高效率和低成本的太阳电池,许多厂家会将宽带隙电池和窄带隙电池进行串联,以提高太阳电池整体的光吸收范围以及效率。目前的串联电池的结构通常是叠层结构,即在一个次级电池的基础上层叠设置另一个次级电池,以使得两个次级电池相串联。钙钛矿晶硅叠层太阳电池是目前较为常见的串联电池。

2、叠层串联电池中的次级电池通常是独立工作的,叠层器件中通常需要分别制备两个次级电池,并且相邻的两个次级电池之间通常还需要设置透明的阻挡界面层,因此目前的叠层器件的实际结构和制备工艺均较为复杂。


技术实现思路

1、基于此,为了在提高太阳电池光吸收范围和效率的同时简化太阳电池的实际结构,有必要提供一种异质结并联太阳电池。

2、根据本公开的一些实施例,提供了一种异质结并联太阳电池,其包括依次层叠设置的第一电极、第一电荷提取层、光吸收层和第二电极;

3、所述光吸收本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结并联太阳电池,其特征在于,包括依次层叠设置的第一电极、第一电荷提取层、光吸收层和第二电极;

2.根据权利要求1所述的异质结并联太阳电池,其特征在于,所述第一半导体层的导带高于所述第二半导体层的导带;和/或,

3.根据权利要求2所述的异质结并联太阳电池,其特征在于,所述第一半导体层的材料包括硫化物半导体材料;和/或,

4.根据权利要求1~3任意一项所述的异质结并联太阳电池,其特征在于,所述第一半导体层包括晶粒块和/或晶粒聚集体,所述孔隙设置于相邻的所述晶粒块和/或晶粒聚集体之间。

5.根据权利要求4所述的异质结并联太阳电池,其特...

【技术特征摘要】

1.一种异质结并联太阳电池,其特征在于,包括依次层叠设置的第一电极、第一电荷提取层、光吸收层和第二电极;

2.根据权利要求1所述的异质结并联太阳电池,其特征在于,所述第一半导体层的导带高于所述第二半导体层的导带;和/或,

3.根据权利要求2所述的异质结并联太阳电池,其特征在于,所述第一半导体层的材料包括硫化物半导体材料;和/或,

4.根据权利要求1~3任意一项所述的异质结并联太阳电池,其特征在于,所述第一半导体层包括晶粒块和/或晶粒聚集体,所述孔隙设置于相邻的所述晶粒块和/或晶粒聚集体之间。

5.根据权利要求4所述的异质结并联太阳电池,其特征在于,所述晶粒块或所述晶粒聚集体的横向最大宽度为200nm~1500nm,所述孔隙的横向最大宽度为10nm~100nm。

6.根据权利要求1~3及5任意一项所述的异质结并联太阳电池,其特征在于,所述第二半导体层包括填充部和层叠部,所述填充部设置于所述孔隙中且接触于所述第一电荷提取层,所述层叠部设置于所述填充部远离所述第一电荷提取层的一侧且覆盖所述第一半导体层。

7.根据权利要求6所述的异质结并联太阳电池,其特征在于,所述层叠部的厚度为20nm~60nm。

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【专利技术属性】
技术研发人员:王命泰朱良欣陈俊伟刘荣陈冲
申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
类型:发明
国别省市:

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