【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光学镀膜领域，涉及离子源，尤其是涉及一种调节离子源均匀性的方法。
技术介绍
1、离子源常用于离子束刻蚀、离子束溅射、离子束辅助镀膜等精密加工设备当中。工作过程中，等离子体通过等离子体引出栅极上的等离子体引出孔形成等离子束，但是结构中由于造成引出的等离子体的密度不均匀，进而导致等离子束分布不均匀，从而使得离子电流密度分布不均匀，影响加工质量。
2、为了调整离子束达到均匀分布，可采用的方法是对发射过强位置进行遮挡减弱，从而使离子束均匀，遮挡位置可选择离子源外部遮挡或离子源内部遮挡；但是采用在离子源外部遮挡办法容易产生溅射，因此选择采用通过遮挡屏栅的办法减少发射过强的部分，是最好的解决办法。
3、现有的改进方法中，主要是提前计算引出栅极上离子束较强的位置，在制作时留下对应位置的栅网不制成通孔，从而减弱较强位置的离子束，但是该方法在应用中，预制的封闭孔位置与实际工作情况往往存在不相符的情况，无法调节改善，导致离子束均匀度较差，重新打孔调节操作困难而且成本高昂。
4、经过检索，发现以下离子源栅极的改进结构相关的专利文献：
5、一种离子源栅网（cn114864363a），所述栅网包括若干等分区域，所述若干等分区域由栅网的圆心为起点，每个等分区域自圆心形成的扇形角度为(360/n)o，n为112间的正整数，每个等分区域内设置有若干密排的孔洞，且每个等分区域的边界上的孔洞与其相邻的等分区域共享，本专利技术优化的密排孔洞设计，使得其同时在径向和轴向具有连续的孔洞面积分布，消除非连续性边界对
6、一种栅网（cn106158565b），用于离子源的离子光学系统，所述栅网设有带栅孔的栅孔区，所述栅网上自栅孔区边缘向外呈辐射状开设有多个热应变槽，且所述热应变槽贯穿所述栅网上下表面。本专利技术还提供了使用该栅网的离子源。本专利技术通过在栅网上开设辐射状的热应变槽，彻底地解决耐熔金属平面栅网的热变形问题，还能保持离子束束流的均匀度和稳定度，满足长期和反复高温环境离子源工作，提高离子源性能的重复性和离子束加工的工艺均匀性。
7、经过对比，现有技术对于栅网结构的改进技术手段与本申请解决问题的思路及具体结构方式不同。
技术实现思路
1、为了有效解决金属头尾变型的问题，本申请提供一种结构简单、设计合理、操作方便、稳定可靠的调节离子源均匀性的方法。
2、一种调节离子源均匀性的方法，其特征在于：具体步骤如下：
3、步骤1，安装离子源进行测试，伞面接收端与离子源上、下间隔设置，测试中离子源与伞面接收端相对同轴转动，伞面接收端均匀布置有传感器；
4、步骤2，根据伞面接收端的传感器所采集到离子束强度，形成束流分布图，观察离子束均匀度是否满意；
5、步骤3，若离子束均匀度满意度为是，结束调节；
6、若离子束均匀度满意度为否，则根据束流分布图确定强离子束位置，反推强离子束对应栅网的径向位置；
7、步骤4，拆下离子源的栅网，根据上一步骤获得的径向位置，选择该径向位置圆周上的栅孔作为遮蔽孔，在选定的遮蔽孔位置安装遮蔽组件，然后重新安装栅网；
8、步骤5，重复步骤1至步骤4，直至离子束均匀度达到满意。
9、一种调节离子源均匀性的方法，其特征在于：具体步骤如下：
10、步骤1，预估数据预测离子束的强度，在栅网中预装遮蔽组件；
11、步骤2，安装离子源进行测试，伞面接收端与离子源上、下间隔设置，测试中离子源与伞面接收端相对同轴转动，伞面接收端均匀布置有传感器；
12、步骤3，根据伞面接收端的传感器所采集到离子束强度，形成束流分布图，观察离子束均匀度是否满意；
13、步骤4，若离子束均匀度满意度为是，结束调节；
14、若离子束均匀度满意度为否，则根据束流分布图确定强离子束位置或弱离子束位置，反推强离子束或弱离子束对应栅网的径向位置；
15、步骤5，拆下离子源的栅网，对于强离子束，在对应径向位置选择栅孔作为遮蔽孔；
16、对于弱离子束，选择该径向位置的环形周圈上已安装的遮蔽组件进行拆除；
17、步骤6，重复步骤1至5，直至离子束均匀度达到满意。
18、而且，所述反推过程：
19、d=d·l /r
20、其中，d为栅孔到栅网中心的距离，l是栅孔区中心到栅孔区边缘的，d是强离子束中心点到伞面接收端中心点的距离，r是伞面接收端离子投射区中心到伞面接收端离子投射区边缘的间距。
21、一种离子源栅网，栅网中部设置有圆形栅孔区，在栅孔区内制有环形阵列式均匀排布的栅孔，其特征在于：栅网上安装有一个或多个遮蔽组件。
22、而且，所述遮蔽组件包括陶瓷螺栓、挡片以及绝缘螺母，挡片贴附在栅网下端，挡片上制有与栅孔对应的定位孔，陶瓷螺栓由上向下穿过对应的挡片的定位孔以及对应栅孔，在挡片下端的陶瓷螺栓上安装有绝缘螺母。
23、而且，所述绝缘螺母与挡片之间安装有陶瓷垫片。
24、而且，所述陶瓷螺栓为沉头式螺钉结构。
25、而且，所述挡片采用与栅网材质相同。
26、而且，所述栅网为上、下为多层结构，遮蔽组件均安装在最下层的栅网上。
27、一种离子源，其特征在于：安装有如权利要求4至9中任一离子源栅网。
28、综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
29、1、本方法采用陶瓷螺钉固定金属片的方式遮挡强离子束对应的引出孔，可以根据离子源实际情况，在离子源安装后再次调整遮挡栅网孔，操作便捷，有效节约重新栅网孔的流程及成本。
30、2、本方法使用的离子束栅网在出厂前预装遮蔽组件，根据预算数据，调节栅网引出离子束的初始均匀度，安装后根据实际情况增加或拆除遮蔽组件。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种调节离子源均匀性的方法，其特征在于：具体步骤如下：
2.一种调节离子源均匀性的方法，其特征在于：具体步骤如下：
3.根据权利要求1或2所述的调节离子源均匀性的方法，其特征在于：所述反推过程：
4.一种离子源栅网，栅网中部设置有圆形栅孔区，在栅孔区内制有环形阵列式均匀排布的栅孔，其特征在于：栅网上安装有一个或多个遮蔽组件。
5.根据权利要求4所述的离子源栅网，其特征在于：所述遮蔽组件包括陶瓷螺栓、挡片以及绝缘螺母，挡片贴附在栅网下端，挡片上制有与栅孔对应的定位孔，陶瓷螺栓由上向下穿过对应的挡片的定位孔以及对应栅孔，在挡片下端的陶瓷螺栓上安装有绝缘螺母。
6.根据权利要求5所述的离子源栅网，其特征在于：所述绝缘螺母与挡片之间安装有陶瓷垫片。
7.根据权利要求5所述的离子源栅网，其特征在于：所述陶瓷螺栓为沉头式螺钉结构。
8.根据权利要求5所述的离子源栅网，其特征在于：所述挡片采用与栅网材质相同。
9.根据权利要求5所述的离子源栅网，其特征在于：所述栅网为上、下为多层结构，遮蔽组件均
10.一种离子源，其特征在于：安装有如权利要求4至9中任一离子源栅网。
...【技术特征摘要】
1.一种调节离子源均匀性的方法，其特征在于：具体步骤如下：
2.一种调节离子源均匀性的方法，其特征在于：具体步骤如下：
3.根据权利要求1或2所述的调节离子源均匀性的方法，其特征在于：所述反推过程：
4.一种离子源栅网，栅网中部设置有圆形栅孔区，在栅孔区内制有环形阵列式均匀排布的栅孔，其特征在于：栅网上安装有一个或多个遮蔽组件。
5.根据权利要求4所述的离子源栅网，其特征在于：所述遮蔽组件包括陶瓷螺栓、挡片以及绝缘螺母，挡片贴附在栅网下端，挡片上制有与栅孔对应的定位孔，陶瓷螺栓由上向下穿过对应的挡...
【专利技术属性】
技术研发人员：李树瑜，孟子淇，
申请(专利权)人：天津吉兆源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。