【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产设备，具体涉及一种半导体立式熔接炉。
技术介绍
1、半导体立式熔接炉设计用于石英件，硅材料及元器件的熔接工艺，也可用于退火、焊接等工艺。
2、半导体在熔接炉内生产过程中，炉体内加热温度可高达1200℃，与内加热炉体接触的材料发生热膨胀传递作用，不仅影响半导体熔接产品质量，且容易造成与内加热炉体接触的材料出现受热膨胀损坏的情况发生，需要及时进行维修更换，降低了生产效率，此外，频繁对熔接炉停机维修操作，容易造成造价昂贵的内加热炉体使用寿命降低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体立式熔接炉，用于解决现有技术中内加热炉体在高温情况下产生的热膨胀传递作用对熔接炉造成不良影响的问题。
2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
3、一种半导体立式熔接炉，包括：
4、外保温炉体，所述外保温炉体通过升降机构连接立板架；
5、内加热炉体，设置在所述外保温炉体内，并通过围框架与所述外保温炉体一体装配连接；
6、可移动底架，其通过托架支撑连接石英隔离屏，通过所述升降机构将所述内加热炉体下移至所述可移动底架上时，所述石英隔离屏从所述内加热炉体的下口端伸入至其内腔中，且所述可移动底架与所述内加热炉体的接触台面内设置有多个水冷管；
7、其中，所述内加热炉体和所述外保温炉体之间围成密闭加热工作的炉腔，在围成的炉腔内自上至下依次设置有上部控温区、中部控温区和下部控温区，所述上部控温区
8、作为本专利技术进一步的方案：还包括有控制系统，所述控制系统分别独立控制连接位于所述上部控温区、所述中部控温区和所述下部控温区中的加热机构。
9、作为本专利技术进一步的方案：所述加热机构包括的刚玉管围绕设置在所述外保温炉体的内壁上，所述刚玉管上螺旋缠绕设置有加热电阻丝，且在所述上部控温区、所述中部控温区和所述下部控温区中分别独立设置有热偶传感器，所述热偶传感器电性连接所述控制系统。
10、作为本专利技术进一步的方案：多个所述水冷管通过管路连接水冷机，并在管路上设置主抽水泵和备用抽水泵，所述水冷机、所述主抽水泵和所述备用抽水泵均分别电性连接所述控制系统。
11、作为本专利技术进一步的方案：所述水冷管上设置有流量传感器，所述流量传感器电性连接所述控制系统。
12、作为本专利技术进一步的方案：所述石英隔离屏和所述可移动底架之间设置有调平机构，所述调平机构包括的上调平支杆设置在所述托架的竖向套管内，所述上调平支杆的顶端插设连接在所述石英隔离屏的定位孔内，底端开设的滑道孔内插设连接下定位杆，所述下定位杆固定安装在所述可移动底架上，在所述下定位杆上螺纹连接锁块，通过所述锁块保持所述下定位杆和所述上调平支杆之间的支撑位置固定。
13、作为本专利技术进一步的方案：所述升降机构包括的丝杆轴转动连接在所述立板架上，所述丝杆轴的顶端与所述立板架上设置的电机连接，所述丝杆轴上螺纹传动连接滑座，所述滑座固定安装在所述外保温炉体的外壁上，且所述滑座与所述立板架上设置的导轨滑动连接。
14、作为本专利技术进一步的方案：所述丝杆轴的底端通过斜面滚珠轴承转动连接轴承座，所述轴承座固定安装在所述立板架上，在所述丝杆轴的下方设置有顶紧轴，所述顶紧轴固定安装在所述立板架上，所述丝杆轴和所述顶紧轴之间的间隙内滚动设置有摩擦球体。
15、作为本专利技术进一步的方案：所述立板架上设置有用于所述滑座底部位置限制的限位器。
16、作为本专利技术进一步的方案：所述外保温炉体和所述立板架之间设置有防坠锁，且在所述立板架上设置有斜撑部。
17、本专利技术的有益效果：
18、本申请的熔接炉在使用过程中，通过独立设置的加热机构分别对上部控温区、中部控温区和下部控温区进行加热控制，以使炉腔内温度均匀可控，可以防止因受热不均造成内加热炉体损坏，避免造成不必要的维修成本，内加热炉体受热并辐射至半导体熔接加工，操作方便，可以确保半导体熔接产品质量；
19、在内加热炉体高温环境中熔接半导体加工过程中，内加热炉体的下口端与可移动底架接触，容易造成可移动底架发生受热膨胀，影响其使用寿命，通过在可移动底架与内加热炉体的接触台面内设置有多个水冷管进行冷却受热，从而可以解决可移动底架受热膨胀作用影响，保证了可移动底架的支撑定位效果，同时可以提升可移动底架的使用寿命。
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1.一种半导体立式熔接炉，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，还包括有控制系统，所述控制系统分别独立控制连接位于所述上部控温区（9)、所述中部控温区（10）和所述下部控温区（11）中的加热机构。
3.根据权利要求2所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，所述加热机构包括的刚玉管围绕设置在所述外保温炉体（1）的内壁上，所述刚玉管上螺旋缠绕设置有加热电阻丝，且在所述上部控温区（9)、所述中部控温区（10）和所述下部控温区（11）中分别独立设置有热偶传感器（12)，所述热偶传感器（12）电性连接所述控制系统。
4.根据权利要求2所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，多个所述水冷管（8）通过管路连接水冷机，并在管路上设置主抽水泵和备用抽水泵，所述水冷机、所述主抽水泵和所述备用抽水泵均分别电性连接所述控制系统。
5.根据权利要求4所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，所述水冷管（8）上设置有流量传感器，所述流量传感器电性连接所述控制系统。
6.根据权利要求1所述的一种半导体立式熔接炉，
7.根据权利要求1所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，所述升降机构包括的丝杆轴（16）转动连接在所述立板架（2）上，所述丝杆轴（16）的顶端与所述立板架（2）上设置的电机（17）连接，所述丝杆轴（16）上螺纹传动连接滑座（19)，所述滑座（19）固定安装在所述外保温炉体（1）的外壁上，且所述滑座（19）与所述立板架（2）上设置的导轨（18）滑动连接。
8.根据权利要求7所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，所述丝杆轴（16）的底端通过斜面滚珠轴承（23）转动连接轴承座（24)，所述轴承座（24）固定安装在所述立板架（2）上，在所述丝杆轴（16）的下方设置有顶紧轴（25)，所述顶紧轴（25）固定安装在所述立板架（2）上，所述丝杆轴（16）和所述顶紧轴（25）之间的间隙内滚动设置有摩擦球体（26)。
9.根据权利要求7所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，所述立板架（2）上设置有用于所述滑座（19）底部位置限制的限位器（20)。
10.根据权利要求7所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，所述外保温炉体（1）和所述立板架（2）之间设置有防坠锁（21)，且在所述立板架（2）上设置有斜撑部（22)。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体立式熔接炉，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，还包括有控制系统，所述控制系统分别独立控制连接位于所述上部控温区（9)、所述中部控温区（10）和所述下部控温区（11）中的加热机构。
3.根据权利要求2所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，所述加热机构包括的刚玉管围绕设置在所述外保温炉体（1）的内壁上，所述刚玉管上螺旋缠绕设置有加热电阻丝，且在所述上部控温区（9)、所述中部控温区（10）和所述下部控温区（11）中分别独立设置有热偶传感器（12)，所述热偶传感器（12）电性连接所述控制系统。
4.根据权利要求2所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，多个所述水冷管（8）通过管路连接水冷机，并在管路上设置主抽水泵和备用抽水泵，所述水冷机、所述主抽水泵和所述备用抽水泵均分别电性连接所述控制系统。
5.根据权利要求4所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，所述水冷管（8）上设置有流量传感器，所述流量传感器电性连接所述控制系统。
6.根据权利要求1所述的一种半导体立式熔接炉，其特征在于，所述石英隔离屏（7）和所述可移动底架（5）之间设置有调平机构，所述调平机构包括的上调平支杆（13）设置在所述托架（6）的竖向套管内，所述上调平支杆（13）的顶端插设连接在所述石英隔离屏（7）的定位孔内，底端开设的滑道孔内插设连接下定位杆（14)，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王峥，王磊，方松，
申请(专利权)人：合肥费舍罗热工装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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