【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
2、为了满足高的存储密度和高的集成度的要求，dram等存储器逐渐由二维结构向三维结构发展。为了维持具有三维结构的dram等半导体结构的稳定性，需要在dram中设置多个支撑框架、以及设置多个用于隔离相邻电容器的下电极隔离结构。举例来说，在具有三维结构的dram中通常需要设置三个支撑框架(即位于晶体管沟道区域相对两侧的两个支撑框架、以及位于电容器远离晶体管一侧的一个支撑框架)和两个下电极隔离结构(位于电容器的相对两端)。所述支撑框架和所述下电极隔离结构都需要占用所述半导体结构的空间，从而影响了...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层的厚度为20nm～30nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括位于所述存储区域内的字线，所述字线沿所述第二方向延伸，多条所述字线沿所述第一方向间隔排布；所述晶体管结构包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括位于所述存储区域内的字线，所述字线沿所述第二方向延伸，多条所述字线沿所述第一方向间隔排布；所述晶体管结构包括
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层的厚度为20nm～30nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括位于所述存储区域内的字线，所述字线沿所述第二方向延伸，多条所述字线沿所述第一方向间隔排布；所述晶体管结构包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括位于所述存储区域内的字线，所述字线沿所述第二方向延伸，多条所述字线沿所述第一方向间隔排布；所述晶体管结构包括：
6.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，在沿平行于所述衬底的顶面的方向上，所述栅极层的宽度大于或者等于所述字线的宽度。
7.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管结构还包括位于所述栅极层与所述沟道层之间的栅极介质层，所述栅极介质层的厚度大于10nm。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构包括：
9.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管结构中的所述漏极区与所述第二导电层一体成型。
11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的材料与所述第二导电层的材料不同，且所述第二导电层的材料为包括掺杂离子的硅材料。
12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构包括：
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构包括：
14.根据权利要求12或13所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构包括：
15.根据权利要求4或5所述的半导体结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄猛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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