【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及衬底屏蔽结构及其形成方法。
技术介绍
1、电感作为射频集成电路的关键元件，广泛用于压控振荡器、低噪声放大器以及功率放大器中。电感通常由线圈、衬底屏蔽结构、保护环三部分组成。射频集成电路中，电感品质因数q是电感贮存的峰值磁能和峰值电能之差与其一个周期内的损耗之比。电感的品质因数q对射频电路的性能起到了至关重要的作用。
2、电感通常由线圈、衬底屏蔽结构、保护环三部分组成。其中衬底屏蔽结构要通过接地屏蔽线圈感应电场，避免垂直电场进入衬底形成位移电流。另外，衬底屏蔽结构也要避免大面积单一方向导体结构，使衬底屏蔽结构尽量碎片化，避免感应电场的感应磁场在衬底屏蔽结构的导体中形成衬底涡流。抑制位移电流和衬底涡流的形成，可以提高电感的品质因数q。
3、在现有技术中，衬底屏蔽结构的单元结构中的有源区、多晶硅层等遵循了碎片化的要求。然而，衬底中仍旧会产生涡流，导致品质因子q降低。
4、因此，现有的衬底屏蔽结构仍待进一步的改进。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种衬底屏蔽结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的衬底屏蔽结构，其特征在于，各线圈区还包括第二线圈，所述第二线圈与所述第一线圈相互平行，且所述第二线圈在所述衬底表面的投影图形与所述第一线圈在所述衬底表面的投影图形呈轴对称，所述第二线圈与所述第一线圈电互连。
3.如权利要求1所述的衬底屏蔽结构，其特征在于，所述屏蔽层所在的区域呈八边形。
4.如权利要求1所述的衬底屏蔽结构，其特征在于，所述保护环在沿着所述第一方向上包括第一区和第二区；所述屏蔽层在沿所述第一方向上包括第三区和第四区，所述屏蔽层的第三区与所述保护环的第一区相...
【技术特征摘要】
1.一种衬底屏蔽结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的衬底屏蔽结构，其特征在于，各线圈区还包括第二线圈，所述第二线圈与所述第一线圈相互平行，且所述第二线圈在所述衬底表面的投影图形与所述第一线圈在所述衬底表面的投影图形呈轴对称，所述第二线圈与所述第一线圈电互连。
3.如权利要求1所述的衬底屏蔽结构，其特征在于，所述屏蔽层所在的区域呈八边形。
4.如权利要求1所述的衬底屏蔽结构，其特征在于，所述保护环在沿着所述第一方向上包括第一区和第二区；所述屏蔽层在沿所述第一方向上包括第三区和第四区，所述屏蔽层的第三区与所述保护环的第一区相互电连接，所述屏蔽层的第四区与所述保护环的第二区相电连接。
5.如权利要求1所述的衬底屏蔽结构，其特征在于，还包括：位于所述屏蔽层上的电感线圈。
6.一种衬底屏蔽结构的形成方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，钱蔚宏，王西宁，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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