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本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；堆叠结构，位于衬底上，堆叠结构包括沿第一方向间隔排布的存储区域、以及位于所述存储区域之间的隔离墙；存储区域包括沿第二方向间隔排布的存储单元，所述存储单元包括晶体管结构和电容结构...
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