【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏，尤其涉及一种半导体裸片和基片及制造方法、太阳能电池、光伏组件。
技术介绍
1、在光伏领域，通常基于硅、锗硅或锗等半导体材料的半导体基片制造无机太阳能电池。并且，在实际的制造过程中，往往需要采用金刚线等切割工艺对半导体棒料进行切片处理，以获得厚度满足工作要求的半导体基片。接下来，还会采用碱式制绒等工艺依次对上述半导体基片进行抛光处理和制绒处理，以修复半导体基片整个表面存在的线痕切割损伤，并使得半导体基片的表面形成绒面，提高基于该半导体基片制造的太阳能电池对光线的利用率。
2、但是，现有的太阳能电池包括的半导体基片中，绒面上形成有电极结构的区域和未形成有电极结构的区域对绒面结构的分布有不同的需求，而现有的用于制造太阳能电池的半导体基片具有的绒面，其不同区域的绒面结构的分布情况大致相同，导致基于该半导体基片制造形成的太阳能电池难以同时满足提高陷光效果、以及降低电极结构的电阻率的工作要求，不利于太阳能电池制造技术的提升。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体裸片和基片及制造方法、太阳能电池、光伏组件，以通过半导体裸片的第一区域和第二区域具有不同深度和/或分布密度的切割线痕，使得对半导体裸片制绒处理后获得的半导体基片的第一区域和第二区域的绒面结构具有不同的分布情况，进而使得基于该半导体基片制造形成的太阳能电池能够同时满足提高陷光效果、以及降低电极结构的电阻率等工作要求，利于提升太阳能电池的电学性能。
2、第一方面，本专利技术提供了一
3、采用上述技术方案的情况下，在实际的应用过程中，通常会采用碱式制绒等工艺对上述半导体裸片依次进行抛光处理和制绒处理，并基于经制绒处理后的半导体裸片制造太阳能电池。其中，经抛光处理后可以使得第一区域的表面依然剩余一定深度和分布密度的切割线痕。在此情况下，在进行上述制绒处理后，第一区域表面的至少部分绒面结构的分布会受到剩余切割线痕影响而形成多个第一连续部。具体的，每个第一连续部具有的第一绒面结构沿相应切割线痕延伸方向紧邻排列，且同一第一连续部包括的第一绒面结构沿第二方向的长度大于自身沿第一方向的长度。而在制绒处理前，若半导体裸片的第二区域表面不具有切割线痕，则制绒处理后第二区域表面的绒面结构均匀分布，其不具有相应的第二连续部。若制绒处理前半导体裸片的第二区域表面具有深度和/或分布密度相对较小的切割线痕，则在制绒处理后第二区域表面具有的第二连续部的分布密度会小于制绒处理后第一区域表面具有的第一连续部的分布密度。在此情况下，因相应连续部内的绒面结构沿第一方向紧邻排布，且同一相应连续部包括的相应绒面结构沿第二方向的长度大于自身沿第一方向的长度，故相应连续部包括的相应绒面结构沿第一方向的分布密度较大，进而利于可以切割线痕的第一区域内绒面结构的分布密度大于第二区域内绒面结构的分布密度。基于此，在基于制绒后的半导体裸片制造太阳能电池后，若太阳能电池的电极结构至少形成在上述第一区域的表面，则因第一区域内第一连续部的大于第二区域内第二连续部的分布密度(或第二区域表面不具有第二连续部)，故与现有太阳能电池形成有电极结构的绒面上整个区域的绒面结构均分布均匀相比，可以增大电极结构与第一区域表面之间的接触面积，从而使得制造电极结构的金属浆料熔融后与第一区域表面的结合拉力更大，利于增大电极结构位于第一区域上的印刷高度，进而利于降低电极结构对应第一区域的部分的电阻。同时，因与电极结构直接的第一区域会掺杂有相应类型的导电粒子，并且导电粒子在绒面结构的表面掺杂浓度较大，故第一区域内第一连续部的大于第二区域内第二连续部的分布密度(或第二区域表面不具有第二连续部)还可以降低电极结构与第一区域之间的接触电阻，进一步提升太阳能电池的转换效率。
4、另外，因第二区域的表面不具有切割线痕，或第二区域表面的切割线痕的深度和/或密度分别小于第一区域的切割线痕的深度和/或密度，利于使得制绒处理后位于第二区域表面的至少大部分绒面结构分布均匀，从而能够降低第二区域的表面的反射率，提高第二区域表面的陷光效果。
5、由上可见，对本专利技术提供的半导体裸片进行抛光和制绒处理后，利于使获得的半导体裸片的第一区域和第二区域的绒面结构具有不同的分布情况，进而使得基于该半导体裸片制造形成的太阳能电池能够同时满足提高陷光效果、以及降低电极结构的电阻率等工作要求，利于提升太阳能电池的电学性能。
6、作为一种可能的实现方式，上述第一区域的切割线痕的深度大于等于1.5μm、且小于等于3μm。
7、采用上述技术方案的情况下，当第一区域的切割线痕的深度在上述范围内时，可以防止因第一区域的切割线痕的深度较小使得经抛光处理后剩余在第一区域表面的切割线痕的深度更小，而导致经制绒处理后难以在第一区域的表面获得不同绒面结构沿切割线痕延伸方向紧邻排列的第一连续部，确保能够增大电极结构在第一区域上的印刷高度、以及降低电极结构与第一区域之间的接触电阻。同时，还可以防止因第一区域的切割线痕的深度较大使得经抛光处理后剩余在第一区域表面的切割线痕的深度也较大，导致第一区域表面的绒面结构受深度较大的切割线痕影响而使得其形貌难以满足要求，确保基于该半导体裸片所制造的太阳能电池具有较高的良率。
8、作为一种可能的实现方式，在第二区域的表面具有至少一条切割线痕的情况下，第二区域的切割线痕的深度大于0、且小于等于1.2μm。
9、采用上述技术方案的情况下，当第二区域的切割线痕的深度在上述范围内时，可以防止因第二区域的切割线痕的深度较大使得经制绒处理后第一区域表面的绒面结构受深度较大的切割线痕影响，而在第二区域的表面也存在由不同绒面结构沿切割线痕方向紧邻排列的多条第二连续部，确保第二区域表面具有良好的陷光效果。并且，与第二区域的表面不具有切割线痕相比，在第二区域的切割线痕的深度大于0、且小于1.2μm的情况下，可以降低至少采用切割工艺形成该半导体裸片对应第二区域部分的处理难度，无须为了使得第二区域的表面为抛光面而严格控制处理条件。
10、作为一种可能的实现方式，在每个第二区域形成有至少两条切割线痕的情况下，沿第二方向，第一区域的相邻两条切割线痕的间距小于第二区域的相邻两条切割线痕的间距。
11、采用上述技术方案的情况下，在第一区域表面具有多条切割线痕、且第二区域的表面具有至少一条切割线痕的情况下，当第一区域的表面切割线痕间距小于第二区域的表面切割线痕间距时，利于使得第一区域表面的切割线痕分布密度较大、而第二区域表面的切割线痕分布密度较本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体裸片，其特征在于，包括：所述半导体裸片具有相对的第一面和第二面；所述第一面和所述第二面中的至少一者具有交替分布的第一区域和第二区域；
2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其特征在于，所述第一区域的切割线痕的深度大于等于1.5μm、且小于等于3μm；和/或，
3.根据权利要求1所述的半导体裸片，其特征在于，在每个所述第二区域形成有至少两条所述切割线痕的情况下，沿所述第二方向，所述第一区域的相邻两条切割线痕的间距小于所述第二区域的相邻两条切割线痕的间距。
4.根据权利要求3所述的半导体裸片，其特征在于，沿所述第二方向、且在所述第一区域的表面，每50微米内具有的所述切割线痕的数量大于等于30条；和/或，
5.一种半导体基片，其特征在于，所述半导体基片具有相对的第一面和第二面；所述第一面和所述第二面中的至少一者为绒面；所述绒面具有交替分布的第一区域和第二区域；
6.根据权利要求5所述的半导体基片，其特征在于，在所述第二区域形成有至少两个所述第二连续部的情况下，至少两个所述第二连续部沿所述第二方向间隔分布。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体裸片，其特征在于，包括：所述半导体裸片具有相对的第一面和第二面；所述第一面和所述第二面中的至少一者具有交替分布的第一区域和第二区域；
2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其特征在于，所述第一区域的切割线痕的深度大于等于1.5μm、且小于等于3μm；和/或，
3.根据权利要求1所述的半导体裸片，其特征在于，在每个所述第二区域形成有至少两条所述切割线痕的情况下，沿所述第二方向，所述第一区域的相邻两条切割线痕的间距小于所述第二区域的相邻两条切割线痕的间距。
4.根据权利要求3所述的半导体裸片，其特征在于，沿所述第二方向、且在所述第一区域的表面，每50微米内具有的所述切割线痕的数量大于等于30条；和/或，
5.一种半导体基片，其特征在于，所述半导体基片具有相对的第一面和第二面；所述第一面和所述第二面中的至少一者为绒面；所述绒面具有交替分布的第一区域和第二区域；
6.根据权利要求5所述的半导体基片，其特征在于，在所述第二区域形成有至少两个所述第二连续部的情况下，至少两个所述第二连续部沿所述第二方向间隔分布。
7.根据权利要求6所述的半导体基片，其特征在于，沿所述第二方向、且在所述第一区域的表面，每50微米内具有的所述第一连续部的数量大于等于15个；和/或，
8.根据权利要求5所述的半导体基片，其特征在于，所述第二区域的表面的反射率小于9.5。
9.根据权利要求5～8任一项所述的半导体基片，其特征在于，所述第一区域的表面的高低落差大于所述第二区域的表面的高低落差。
10.根据权利要求9所述的半导体基片，其特征在于，所述第一区域的表面的高低落差大于等于1.5μm；和/或，
11.根据权利要求9所述的半导体基片，其特征在于，同一第一连续部包括的每相邻两个第一绒面结构的顶部间距小于位于第二区域表面的每相邻两个绒面结构的顶部间距。
12.根据权利要求5所述的半导体基片，其特征在于，所述第一区域的绒面结构和所述第二区域的绒面结构均为金字塔型绒面结构。
13.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
14.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：史晨燕，陈宇晖，赵赞良，王保生，樊建江，王武林，王靖栋，王茹，魏亮，牛嘉军，张冬冬，赵永涛，
申请(专利权)人：宁夏隆基乐叶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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