氮化镓基增强型射频器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种氮化镓基增强型射频器件及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，形成在所述衬底层上表面；势垒层，形成在所述缓冲层的上表面；钝化层，设置在所述势垒层的部分上表面；源/漏欧姆接触，设置在所述势垒层未被所述钝化层覆盖的上表面；T型栅，设置在所述源/漏欧姆接触之间，所述T型栅设置在所述势垒层未被所述钝化层覆盖的上表面，所述T型栅的栅脚与所述钝化层间隔设置；复合层，设置在所述T型栅的栅脚与所述钝化层的间隔区域及T型栅与源漏间的有源区区域，所述复合层包括在所述钝化层上表面依次叠层设置的氮化铝膜层和氮化硅膜层。本发明专利技术提供的氮化镓基增强型射频器件及其制备方法，能够恢复栅脚两侧未被钝化层覆盖的裸漏区域的二维电子气，保证器件具有良好的功率射频特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种氮化镓基增强型射频器件及其制备方法。

技术介绍

1、al(in,ga)n/gan异质结高电子迁移率晶体管(high-electron-mobilitytransistor,hemt)凭借其高迁移率的二维电子气2deg，高击穿电压和高功率密度等优异的性能，成为了下一代微波功率器件以及功率射频集成的绝佳选择。然而由于al(in,ga)n/gan异质结存在极化诱导的高密度2deg，gan hemt是天然的耗尽型器件。为了避免负压关断，安全失效，提高系统可靠性以及实现板级集成，可以采用超薄体utb-al(in,ga)n/gan异质结实现无需刻蚀的al(in,ga)n势垒层的高均匀性本征增强型射频功率器件。应用上述的技术结合t型栅技术制备的增强型射频功率器件，能够实现增强型器件并保证其射频性能，但是由于栅脚附近暴漏区域的二维电子气没有恢复，难以兼顾其功率特性。

技术实现思路

1、本专利技术提供的氮化镓基增强型射频器件及其制备方法，能够恢复栅脚两侧有源区的二维电子气，保证器件具有良好本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化镓基增强型射频器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述复合层由所述间隔区域向外延伸，以覆盖所述T型栅侧壁、钝化层侧壁、钝化层上表面、源/漏欧姆接触的部分上表面以及T型栅的部分上表面，以使所述复合层作为二次钝化层形成保护作用。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述势垒层包括铝、铟和镓中一种以上的元素与氮元素形成的合金。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述钝化层与所述势垒层的刻蚀选择比大于预定的阈值。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述钝化层的厚度为10～120nm，...

【技术特征摘要】

1.一种氮化镓基增强型射频器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述复合层由所述间隔区域向外延伸，以覆盖所述t型栅侧壁、钝化层侧壁、钝化层上表面、源/漏欧姆接触的部分上表面以及t型栅的部分上表面，以使所述复合层作为二次钝化层形成保护作用。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述势垒层包括铝、铟和镓中一种以上的元素与氮元素形成的合金。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述钝化层与所述势垒层的刻蚀选择比大于预定的阈值。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述钝化层的厚度为10～12...

【专利技术属性】
技术研发人员：栾田田，黄森，刘新宇，蒋其梦，王鑫华，魏珂，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：