一种过温保护电路制造技术

本技术实施例公开了一种过温保护电路，包括：供电单元、开关组件、温度保护单元，所述供电单元，用于对产品提供电源电压；所述温度保护单元，用于检测所述产品的工作环境温度，并与设定的分压电压进行比较，以形成温度保护信号；所述开关组件，用于根据所述温度保护信号进行导通或截断，以使得所述供电单元与所述产品的供电回路的导通或截断。通过实施本技术实施例的电路可实现更短时间内保护产品，提高产品安全性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及温度保护电路，尤其涉及一种过温保护电路。

技术介绍

1、目前传统的过温保护都是通过mcu的adc(数模转换器，analog to digitalconverter)多次软件采集电压，再通过软件算法与目标温度对应的电压设定阈值进行对比以及决定是否执行过温保护。mcu软件电压多次采样以及软件比较处理的时间长，导致产品保护不及时，从而使得产品过热存在损坏风险。

2、因此，有必要设计一种新的电路，实现更短时间内保护产品，提高产品安全性。

技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题是提供一种过温保护电路。

2、为解决上述技术问题，本技术的目的是通过以下技术方案实现的：提供一种过温保护电路，包括：供电单元、开关组件、温度保护单元，所述供电单元，用于对产品提供电源电压；所述温度保护单元，用于检测所述产品的工作环境温度，并与设定的分压电压进行比较，以形成温度保护信号；所述开关组件，用于根据所述温度保护信号进行导通或截断，以使得所述供电单元与所述产品的供电回路的导通或截断。

3、其进一步技术方案为：所述温度保护单元包括热敏电阻ptc1、比较器u1以及分压电阻件，所述热敏电阻ptc1的一端接地，所述热敏电阻ptc1的另一端与所述比较器u1的同相输入端连接；所述分压电阻件与所述比较器u1的反相输入端连接；所述比较器u1的输出端连接有三极管q1，所述三极管q1的集电极与所述开关组件连接。

4、其进一步技术方案为：所述分压电阻件包括分压电阻r3以及分压电阻r5，所述分压电阻r3与所述比较器u1的反相输入端连接；所述分压电阻r5的一端接地，所述分压电阻r5的另一端连接于所述分压电阻r3与所述比较器u1的反相输入端之间。

5、其进一步技术方案为：所述三极管q1的基极与所述比较器u1之间连接有电阻r2。

6、其进一步技术方案为：所述三极管q1的发射极接地。

7、其进一步技术方案为：所述三极管q1的集电极连接有一端接地的电阻r4。

8、其进一步技术方案为：所述开关组件包括mos管q3以及mos管q2，所述mos管q3的栅极与所述三极管q1的集电极连接；所述mos管q2的栅极与所述mos管q3的漏极连接；所述mos管q2的源极与所述产品连接。

9、其进一步技术方案为：所述mos管q2的漏极与所述供电单元连接。

10、其进一步技术方案为：所述mos管q2的漏极与所述mos管q2的栅极之间连接有电阻r7，所述mos管q2的栅极与所述mos管q3的漏极之间连接有电阻r8。

11、其进一步技术方案为：所述mos管q2的漏极与所述mos管q2的栅极之间连接有tvs二极管。

12、本技术与现有技术相比的有益效果是：本技术通过设置由热敏电阻ptc1、比较器u1以及分压电阻件构成的温度保护单元，对产品的工作环境温度进行比较，以控制三极管q1的导通或截断，进而驱动开关组件断开或导通供电单元对产品的供电回路，实现更短时间内保护产品，提高产品安全性。

13、下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步描述。

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【技术保护点】

1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：供电单元、开关组件、温度保护单元，所述供电单元，用于对产品提供电源电压；所述温度保护单元，用于检测所述产品的工作环境温度，并与设定的分压电压进行比较，以形成温度保护信号；所述开关组件，用于根据所述温度保护信号进行导通或截断，以使得所述供电单元与所述产品的供电回路的导通或截断；

2.根据权利要求1所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述分压电阻件包括分压电阻R3以及分压电阻R5，所述分压电阻R3与所述比较器U1的反相输入端连接；所述分压电阻R5的一端接地，所述分压电阻R5的另一端连接于所述分压电阻R3与所述比较器U1的反相输入端之间。

3.根据权利要求1所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述三极管Q1的基极与所述比较器U1之间连接有电阻R2。

4.根据权利要求1所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述三极管Q1的发射极接地。

5.根据权利要求1所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述三极管Q1的集电极连接有一端接地的电阻R4。

6.根据权利要求1所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述开关组件包括MOS管Q3以及MOS管Q2，所述MOS管Q3的栅极与所述三极管Q1的集电极连接；所述MOS管Q2的栅极与所述MOS管Q3的漏极连接；所述MOS管Q2的源极与所述产品连接。

7.根据权利要求6所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述MOS管Q2的漏极与所述供电单元连接。

8.根据权利要求6所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述MOS管Q2的漏极与所述MOS管Q2的栅极之间连接有电阻R7，所述MOS管Q2的栅极与所述MOS管Q3的漏极之间连接有电阻R8。

9.根据权利要求8所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述MOS管Q2的漏极与所述MOS管Q2的栅极之间连接有TVS二极管。

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【技术特征摘要】

1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：供电单元、开关组件、温度保护单元，所述供电单元，用于对产品提供电源电压；所述温度保护单元，用于检测所述产品的工作环境温度，并与设定的分压电压进行比较，以形成温度保护信号；所述开关组件，用于根据所述温度保护信号进行导通或截断，以使得所述供电单元与所述产品的供电回路的导通或截断；

2.根据权利要求1所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述分压电阻件包括分压电阻r3以及分压电阻r5，所述分压电阻r3与所述比较器u1的反相输入端连接；所述分压电阻r5的一端接地，所述分压电阻r5的另一端连接于所述分压电阻r3与所述比较器u1的反相输入端之间。

3.根据权利要求1所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述三极管q1的基极与所述比较器u1之间连接有电阻r2。

4.根据权利要求1所述的一种过温保护电路，其特征在于，所述三极管q1的发射极接地。

【专利技术属性】
技术研发人员：邓俊杰，顾长亮，
申请(专利权)人：东莞忆云信息系统有限公司，
类型：新型
国别省市：