一种芯片封装用PI材料及其制备方法和应用技术

技术编号:40379723 阅读:43 留言:0更新日期:2024-02-20 22:18
本发明专利技术公开了一种芯片封装用PI材料及其制备方法和应用,该PI材料由主材和辅材制备而成,其中,所述主材具有如式Ⅰ或式Ⅱ所示的分子结构,所述辅材为纳米六方氮化硼、纳米立方氮化硼、纳米碳化硼、纳米氮化铝中的一种或两种以上的混合。该PI材料具有耐高温、耐弯折且吸湿膨胀系数小的优势,可避免因环境湿度影响造成的COF与面板结合不良等问题,非常适合作为基材制备柔性线路板,能够有效提升柔性线路板的相关性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体显示驱动封装材料领域,具体涉及一种耐高温、耐弯折且膨胀系数小的芯片封装用pi材料以及该pi材料的制备方法,还涉及该pi材料在柔性线路板中的应用。


技术介绍

1、cof(chip-on-film或chip-on-flex)封装是一种用于集成电路封装的技术,其中芯片直接连接到柔性薄膜上,而不是常见的硅衬底。cof封装的主要组成部分是一块柔性薄膜,通常是聚酰亚胺(polyimide,pi)或者聚酯(polyester)材料。芯片被通过金凸连接到柔性薄膜上,然后封装和保护芯片。

2、高分子聚合物pi作为cof封装的常用基底,其会因为处于不同的环境下从而表现出不同的特性,例如在不同的环境湿度下,其会呈现出不同的吸湿膨胀的现象,从而影响cof与面板的良好结合。因此,开发出吸湿膨胀系数小的pi材料具有非常重要的意义。

3、公开号为cn116478402a的中国专利申请公开了一种高耐热低膨胀的透明聚酰亚胺及其制备方法,通过改变分子链线性与刚性,同时引入氢键交联结构,使材料拥有较高的tg同时拥有较低的膨胀系数,tg能达到360℃。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片封装用PI材料,其特征在于,其由主材和辅材制备而成,所述主材的分子结构如式I或式Ⅱ所示,所述辅材为纳米六方氮化硼、纳米立方氮化硼、纳米碳化硼、纳米氮化铝中的一种或两种以上的混合;

2.一种如权利要求1所述的芯片封装用PI材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述二氯硅烷选自对二苯基二氯硅烷、甲基苯基二氯硅烷、苯基二氯硅烷、甲基乙烯基二氯硅烷中的至少一种;

4.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述第一有机溶剂选自氯仿、四氢呋喃、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、吡啶、乙酸乙酯、正己烷中的至少一种...

【技术特征摘要】

1.一种芯片封装用pi材料,其特征在于,其由主材和辅材制备而成,所述主材的分子结构如式i或式ⅱ所示,所述辅材为纳米六方氮化硼、纳米立方氮化硼、纳米碳化硼、纳米氮化铝中的一种或两种以上的混合;

2.一种如权利要求1所述的芯片封装用pi材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述二氯硅烷选自对二苯基二氯硅烷、甲基苯基二氯硅烷、苯基二氯硅烷、甲基乙烯基二氯硅烷中的至少一种;

4.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述第一有机溶剂选自氯仿、四氢呋喃、n-甲基吡咯烷酮、丙酮、吡啶、乙酸乙酯、正己烷中的至少一种。

5.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述第一催化剂选自硫...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘政树沈宏坤
申请(专利权)人:合肥芯视界集成电路设计有限公司
类型:发明
国别省市:

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