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本发明公开了一种芯片封装用PI材料及其制备方法和应用，该PI材料由主材和辅材制备而成，其中，所述主材具有如式Ⅰ或式Ⅱ所示的分子结构，所述辅材为纳米六方氮化硼、纳米立方氮化硼、纳米碳化硼、纳米氮化铝中的一种或两种以上的混合。该PI材料具有耐高...
该专利属于合肥芯视界集成电路设计有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥芯视界集成电路设计有限公司授权不得商用。

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