防护膜框架及光刻用防护膜制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种防护膜框架，即使将防护膜贴合于曝光底版上，仍可极力减轻因防护膜框架的变形所引起的曝光底版的变形；及提供一种具有此种防护膜框架的光刻用防护膜。本发明专利技术的防护膜框架的特征在于，防护膜框架的剖面，是在上边与下边平行且面积为２０ｍｍ２以下的四边形的至少一侧边具有包含曲线的凹陷部的形状。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造LSI、超级LSI等半导体装置或液晶显示面板时作为光刻用掩模 的灰尘遮挡而使用的、光刻用防护膜(pellicle)及防护膜框架(pellicle frame)。
技术介绍
在LSI、超级LSI等的半导体制造或液晶显示面板等的制造中，光照射于半导体晶 片或液晶用原板上来制作图案，但若此时所使用的曝光底版上附着有灰尘，该灰尘会吸收 光线或使光线偏转，因而造成转印后的图案发生变形或边缘变粗糙，除此的外，还会使得基 底被污染变黑，而存在损害尺寸、质量、外观等的问题。此外，在本专利技术中，“曝光底版”是指 光刻用掩模(也简称为“掩模”)及光罩(reticle)的总称。以掩模为例说明如下。这些作业通常是在无尘室中进行，但即使在无尘室内，要经常保持曝光底版的清 洁仍相当困难，所以，采用在曝光底版表面贴合能使曝光用光线良好地通过的用于遮挡灰 尘的防护膜的方法。对于防护膜的基本构成，包括防护膜框架及贴设于此防护膜框架上的防护胶膜 (pellicle film)。防护胶膜是由能使曝光用的光线(g光、i光、248nm、193nm等)良好地 穿透的硝化纤维素、醋酸纤维素、氟系聚合物等构成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防护膜框架，其特征在于，防护膜框架杆的剖面，为在上边与下边平行且面积为２０ｍｍ↑［２］以下的四边形的至少一侧边具有包含曲线的凹陷部的形状。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：白崎享，戴维穆舍尔，基肖尔查克拉瓦蒂，格蕾斯额，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，英特尔公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]