【技术实现步骤摘要】
本技术涉及氧化炉领域，具体为一种半导体原材料加工用氧化炉。
技术介绍
1、半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料，是未来信息科技发展的主要原材料之一，现有的半导体材料在生产地过程中，常常需要用氧化炉进行高温氧化，但现有的氧化炉移动不便，在需要氧化炉进行移动时，往往会耗费大量的人力物力，不利于生产的正常进行。
2、为解决上述问题，经过检索，现有技术公开(申请号：cn202022533796.0) 一种半导体材料生产加工用便于移动的氧化炉；文中提出“氧化炉本体15右侧的底部连通有排料管19，风机14、氧化炉本体15、加热板16、出风弯管17、入料管18和排料管19的使用实现了半导体材料的氧化加工；”如说明书附图1所示：氧化炉本体15为一体式结构，无法将氧化炉本体15内部进行打开，对氧化炉本体15内部的加热板16进行清理，其上的污垢增多，会降低加热效果。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种半导体原材料加工用氧化炉，以解决上述
技术介绍
中提到的缺陷。
2、为实现上述目的，提供一种半导体原材料加工用氧化炉，包括氧化炉上段、氧化炉中段和氧化炉下段，所述氧化炉上段底部与氧化炉中段之间通过第一连接组件进行连接，且氧化炉中段底部与氧化炉下段之间通过第二连接组件进行连接，同时氧化炉上段上端安装入料口，氧化炉下段的右侧安装排料口，且氧化炉下段的内部安装加热板；
3、第二连接组件与第一连接组件的组成结构一致，第二连接组件包括上固定
4、优选的，所述氧化炉上段的氧化炉中段的两侧均焊接半圆环形设置的吊耳，且氧化炉下段底部焊接支撑座，同时支撑座远离氧化炉下段的一端与底座焊接，并且底座螺接固定在底板上。
5、优选的，所述上固定座和下固定座均为圆形设置，且上固定座和下固定座的直径一致，同时上固定座的厚度为下固定座厚度的一半。
6、优选的，所述上固定座底部两侧均焊接定位板，且下固定座的表面两侧均开设定位槽，同时定位槽与定位板的尺寸相适配，并且定位板插接在定位槽的内部。
7、优选的，所述定位槽与定位板均为“c”形设置，且定位板的高度与定位槽的深度一致，同时上固定座和下固定座之间通过定位板、定位槽进行定位安装。
8、优选的，所述上固定座底部右侧开设上密封槽，且下固定座的表面右侧开设下密封槽，同时下密封槽与上密封槽均为环形设置，下密封槽与上密封槽组合在一起构成环形安装槽，且安装槽与密封条过盈配合安装，同时上固定座、下固定座之间通过密封条进行密封。
9、与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过第一连接组件、第二连接组件将氧化炉上段、氧化炉中段、氧化炉下段之间进行分解并拆卸，此时可便于对氧化炉上段、氧化炉中段、氧化炉下段内壁进行清洗，对氧化炉下段内部的加热板表面附着的厚污垢进行清洗，避免影响加热板的加热效率。
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1.一种半导体原材料加工用氧化炉，包括氧化炉上段（1）、氧化炉中段（2）和氧化炉下段（3），其特征在于：所述氧化炉上段（1）底部与氧化炉中段（2）之间通过第一连接组件（7）进行连接，且氧化炉中段（2）底部与氧化炉下段（3）之间通过第二连接组件（8）进行连接，同时氧化炉上段（1）上端安装入料口，氧化炉下段（3）的右侧安装排料口，且氧化炉下段（3）的内部安装加热板；
2.根据权利要求1所述的一种半导体原材料加工用氧化炉，其特征在于：所述氧化炉上段（1）的氧化炉中段（2）的两侧均焊接半圆环形设置的吊耳，且氧化炉下段（3）底部焊接支撑座（4），同时支撑座（4）远离氧化炉下段（3）的一端与底座（5）焊接，并且底座（5）螺接固定在底板（6）上。
3.根据权利要求1所述的一种半导体原材料加工用氧化炉，其特征在于：所述上固定座（81）和下固定座（82）均为圆形设置，且上固定座（81）和下固定座（82）的直径一致，同时上固定座（81）的厚度为下固定座（82）厚度的一半。
4.根据权利要求3所述的一种半导体原材料加工用氧化炉，其特征在于：所述上固定座（81）底部两
5.根据权利要求4所述的一种半导体原材料加工用氧化炉，其特征在于：所述定位槽（86）与定位板（87）均为“C”形设置，且定位板（87）的高度与定位槽（86）的深度一致，同时上固定座（81）和下固定座（82）之间通过定位板（87）、定位槽（86）进行定位安装。
6.根据权利要求1所述的一种半导体原材料加工用氧化炉，其特征在于：所述上固定座（81）底部右侧开设上密封槽（83），且下固定座（82）的表面右侧开设下密封槽（84），同时下密封槽（84）与上密封槽（83）均为环形设置，下密封槽（84）与上密封槽（83）组合在一起构成环形安装槽，且安装槽与密封条（85）过盈配合安装，同时上固定座（81）、下固定座（82）之间通过密封条（85）进行密封。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体原材料加工用氧化炉，包括氧化炉上段（1）、氧化炉中段（2）和氧化炉下段（3），其特征在于：所述氧化炉上段（1）底部与氧化炉中段（2）之间通过第一连接组件（7）进行连接，且氧化炉中段（2）底部与氧化炉下段（3）之间通过第二连接组件（8）进行连接，同时氧化炉上段（1）上端安装入料口，氧化炉下段（3）的右侧安装排料口，且氧化炉下段（3）的内部安装加热板；
2.根据权利要求1所述的一种半导体原材料加工用氧化炉，其特征在于：所述氧化炉上段（1）的氧化炉中段（2）的两侧均焊接半圆环形设置的吊耳，且氧化炉下段（3）底部焊接支撑座（4），同时支撑座（4）远离氧化炉下段（3）的一端与底座（5）焊接，并且底座（5）螺接固定在底板（6）上。
3.根据权利要求1所述的一种半导体原材料加工用氧化炉，其特征在于：所述上固定座（81）和下固定座（82）均为圆形设置，且上固定座（81）和下固定座（82）的直径一致，同时上固定座（81）的厚度为下固定座（82）厚度的一半。
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹旭锋，汪海燕，李建恒，朱思坤，
申请(专利权)人：铜陵安德科铭电子材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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