一种高效制备high-k有机金属前驱体的方法技术

本发明专利技术提供了一种高效制备high‑k有机金属前驱体的方法，属于有机合成领域。本发明专利技术将二烷基胺的锂盐与金属氯化物反应，得到含有有机金属前驱体M(N(R1R2))4以及氯化锂的第一反应液；向第一反应液中加入用于使氯化锂溶解的有机溶剂以及异丁酸甲酯，在微波反应条件下，使异丁酸甲酯与氯化锂反应，形成第二反应液；纯化第二反应液，得有机金属前驱体。本发明专利技术在生产过程中不需要经历固液分离的过程，易于操作和工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机合成领域，具体涉及一种高效制备high-k有机金属前驱体的方法。

技术介绍

1、随着半导体制程工艺尺寸的减小，晶体管栅极介质厚度也不断降低，电子直接隧穿引起的栅极漏电流随之增大，因此为了解决工艺尺寸减薄导致的漏电流发生的几率增大的问题，high-k材料已经成为45nm以下级别制程的必备材料。用于沉积high-k薄膜的金属前驱体中，m(n(r1r2))4是一类表现优异的前驱体，其中m代表中心金属原子，与周围的四个氮原子结合，r1和r2代表与氮原子连接的原子或者基团。使用该类前驱体材料镀膜，薄膜有较好的平整度和均匀性。四（二甲氨基）锆（cas：19756-04-8）、四（二甲氨基）铪（cas：19782-68-4）、四（甲乙氨基）锆（cas：175923-04-3）、四（甲乙氨基）铪（cas：352535-01-4）、四（二甲氨基）钛（cas：3275-24-9）和四（二甲氨基）锡（cas：1066-77-9）等材料是这一类中的代表。由于这些前驱体的结构相似，均是中心四价金属原子和四个氨基基团结合的分子结构，因此这些材料的合成方法也极其相似。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高效制备high-k有机金属前驱体的方法，其特征在于，包括：化合物1及化合物2，

2.根据权利要求1所述的高效制备high-k有机金属前驱体的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的高效制备high-k有机金属前驱体的方法，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的高效制备high-k有机金属前驱体的方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的高效制备high-k有机金属前驱体的方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的高效制备high-k有机金属前驱体的方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的高效制备...

【技术特征摘要】

1.一种高效制备high-k有机金属前驱体的方法，其特征在于，包括：化合物1及化合物2，

2.根据权利要求1所述的高效制备high-k有机金属前驱体的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的高效制备high-k有机金属前驱体的方法，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的高效制备h...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹旭锋，乜生良，汪海燕，朱思坤，李建恒，
申请(专利权)人：铜陵安德科铭电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：