【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体原材料提纯，具体涉及一种半导体原材料提纯烧结装置。
技术介绍
1、磷、硫及砷等为重要的半导体原材料，其可以制备磷化铟、磷化镓、砷化镓、二硫化钼等半导体材料。制造半导体材料对半导体原材料的纯度要求很高，一般要达到99.999％以上，目前主要的半导体原材料的提纯工艺为烧结提纯。在现有技术（公开号：cn218993999u）一种半导体原材料提纯烧结装置中提及“，包括提纯烧结机箱和气压真空处理件，所述提纯烧结机箱和气压真空处理件相互安装在一起，气压真空处理件安装在提纯烧结机箱的外部上方位置，提纯烧结机箱的内部放置有半导体原材料”，但是现有技术的半导体原材料提纯烧结装置由于不可立即降温，导致在半导体材料提纯烧结容器内容易烧结过度，影响半导体原材料提纯的品质，使用并不安全可靠。
技术实现思路
1、为克服现有技术所存在的缺陷，现提供一种半导体原材料提纯烧结装置，以解决现有技术的半导体原材料提纯烧结装置由于不可立即降温，导致在半导体材料提纯烧结容器内容易烧结过度，影响半导体原材料提纯的品质，使用并不安全可靠的问题。
2、为实现上述目的，提供一种半导体原材料提纯烧结装置，包括下烧结座、烧结槽和提纯槽；所述下烧结座内上部安装有烧结槽，且烧结槽内套置有提纯槽，所述提纯槽在垂直方向升降活动，且提纯槽的上端设置有上边框，并且上边框上盖置有盖板。
3、进一步的，所述下烧结座的前侧面上部设置有控制面板，且下烧结座的前后两侧面下部均设置三组通风框,通风框内安装有散热风扇，并
4、进一步的，所述下烧结座的左右两侧面中部均设置有外固定板,外固定板上安装有两组第一伸缩气缸，且下烧结座的上部左右两侧均开设有侧凹口,第一伸缩气缸位于侧凹口内，第一伸缩气缸的上端固定在提纯槽外，并且下烧结座上端面左右两部均设置有减震弹簧。
5、进一步的，所述下烧结座的上部中间开设有套口，且提纯槽套置在套口内，并且提纯槽的左右两端均设置有侧固定板,侧固定板的下端面设置有上凹口。
6、进一步的，所述烧结槽的外侧设置有外槽体,外槽体的左右两侧面均设置有上连接板和下连接板,同侧的上连接板和下连接板的另一端均固定在下烧结座的内侧壁上，并且外槽体的内侧设置有隔热板,隔热板的内侧设置有安装网框，且安装网框内设置有多组加热管。
7、进一步的，所述盖板上端面左右两侧均设置有手柄，且盖板的左右两部均按照有第一电机,第一电机下安装有转轴，并且转轴的左右两侧均设置有搅拌桨。
8、本技术的有益效果在于：
9、1.本技术通过下烧结座 左右两侧的第一伸缩气缸往上伸长可提升起提纯槽，方便将提纯槽举出烧结槽外，方便取料使用；再利用第一伸缩气缸往下收缩可带动提纯槽笔直下降，降入烧结槽内，可在往提纯槽内投入半导体原料后进行提纯烧结工作，使用更方便省事。
10、2.本技术中提纯槽可在下降后侧固定板下侧面的上凹口压制在同侧相对应的减震弹簧上，利用减震弹簧起到一定的阻尼效果，使得提纯槽下降安全稳定。
11、3.本技术中安装网框内的加热管可在加热到一定温度后对提纯槽内的半导体材料进行提纯烧结，隔热板起到隔热的效果，以减少热量的丧失。
12、4.本技术中盖板的设置方便盖置在提纯槽上，也便于取下，同时可利用盖板上左右两部所安装的第一电机、转轴和搅拌桨进行搅拌活动，以促进半导体原料提纯烧结，有助于提高整体工作效率。
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1.一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，包括下烧结座（1）、烧结槽（2）和提纯槽（3）；所述下烧结座（1）内上部安装有烧结槽（2），且烧结槽（2）内套置有提纯槽（3），所述提纯槽（3）在垂直方向升降活动，且提纯槽（3）的上端设置有上边框（30），并且上边框（30）上盖置有盖板（4）。
2.根据权利要求1所述的一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，所述下烧结座（1）的前侧面上部设置有控制面板（18），且下烧结座（1）的前后两侧面下部均设置三组通风框（11）,通风框（11）内安装有散热风扇（12），并且下烧结座（1）的底面左右两端均设置有底板（10）。
3.根据权利要求1所述的一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，所述下烧结座（1）的左右两侧面中部均设置有外固定板（13）,外固定板（13）上安装有两组第一伸缩气缸（14），且下烧结座（1）的上部左右两侧均开设有侧凹口（15）,第一伸缩气缸（14）位于侧凹口（15）内，第一伸缩气缸（14）的上端固定在提纯槽（3）外，并且下烧结座（1）上端面左右两部均设置有减震弹簧（16）。
4.根据权利
5.根据权利要求1所述的一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，所述烧结槽（2）的外侧设置有外槽体（20）,外槽体（20）的左右两侧面均设置有上连接板（24）和下连接板（25）,同侧的上连接板（24）和下连接板（25）的另一端均固定在下烧结座（1）的内侧壁上，并且外槽体（20）的内侧设置有隔热板（21）,隔热板（21）的内侧设置有安装网框（22），且安装网框（22）内设置有多组加热管（23）。
6.根据权利要求1所述的一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，所述盖板（4）上端面左右两侧均设置有手柄（43），且盖板（4）的左右两部均按照有第一电机（40）,第一电机（40）下安装有转轴（41），并且转轴（41）的左右两侧均设置有搅拌桨（42）。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，包括下烧结座（1）、烧结槽（2）和提纯槽（3）；所述下烧结座（1）内上部安装有烧结槽（2），且烧结槽（2）内套置有提纯槽（3），所述提纯槽（3）在垂直方向升降活动，且提纯槽（3）的上端设置有上边框（30），并且上边框（30）上盖置有盖板（4）。
2.根据权利要求1所述的一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，所述下烧结座（1）的前侧面上部设置有控制面板（18），且下烧结座（1）的前后两侧面下部均设置三组通风框（11）,通风框（11）内安装有散热风扇（12），并且下烧结座（1）的底面左右两端均设置有底板（10）。
3.根据权利要求1所述的一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，所述下烧结座（1）的左右两侧面中部均设置有外固定板（13）,外固定板（13）上安装有两组第一伸缩气缸（14），且下烧结座（1）的上部左右两侧均开设有侧凹口（15）,第一伸缩气缸（14）位于侧凹口（15）内，第一伸缩气缸（14）的上端固定在提纯槽（3）外，并且下烧结座（1）上端面左右两部均设置有减震...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚玉红，汪海燕，李建恒，朱思坤，
申请(专利权)人：铜陵安德科铭电子材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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