【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体原材料提纯，具体涉及一种半导体原材料提纯烧结装置。
技术介绍
1、磷、硫及砷等为重要的半导体原材料，其可以制备磷化铟、磷化镓、砷化镓、二硫化钼等半导体材料。制造半导体材料对半导体原材料的纯度要求很高，一般要达到99.999％以上，目前主要的半导体原材料的提纯工艺为烧结提纯。在现有技术（公开号：cn218993999u）一种半导体原材料提纯烧结装置中提及“，包括提纯烧结机箱和气压真空处理件，所述提纯烧结机箱和气压真空处理件相互安装在一起，气压真空处理件安装在提纯烧结机箱的外部上方位置，提纯烧结机箱的内部放置有半导体原材料”，但是现有技术的半导体原材料提纯烧结装置由于不可立即降温，导致在半导体材料提纯烧结容器内容易烧结过度，影响半导体原材料提纯的品质，使用并不安全可靠。
技术实现思路
1、为克服现有技术所存在的缺陷，现提供一种半导体原材料提纯烧结装置，以解决现有技术的半导体原材料提纯烧结装置由于不可立即降温，导致在半导体材料提纯烧结容器内容易烧结过度，影响半导体原材料提纯的品质...
【技术保护点】
1.一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，包括下烧结座（1）、烧结槽（2）和提纯槽（3）；所述下烧结座（1）内上部安装有烧结槽（2），且烧结槽（2）内套置有提纯槽（3），所述提纯槽（3）在垂直方向升降活动，且提纯槽（3）的上端设置有上边框（30），并且上边框（30）上盖置有盖板（4）。
2.根据权利要求1所述的一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，所述下烧结座（1）的前侧面上部设置有控制面板（18），且下烧结座（1）的前后两侧面下部均设置三组通风框（11）,通风框（11）内安装有散热风扇（12），并且下烧结座（1）的底面左右两端均设置有底板（10）
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【技术特征摘要】
1.一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，包括下烧结座（1）、烧结槽（2）和提纯槽（3）；所述下烧结座（1）内上部安装有烧结槽（2），且烧结槽（2）内套置有提纯槽（3），所述提纯槽（3）在垂直方向升降活动，且提纯槽（3）的上端设置有上边框（30），并且上边框（30）上盖置有盖板（4）。
2.根据权利要求1所述的一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，所述下烧结座（1）的前侧面上部设置有控制面板（18），且下烧结座（1）的前后两侧面下部均设置三组通风框（11）,通风框（11）内安装有散热风扇（12），并且下烧结座（1）的底面左右两端均设置有底板（10）。
3.根据权利要求1所述的一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，所述下烧结座（1）的左右两侧面中部均设置有外固定板（13）,外固定板（13）上安装有两组第一伸缩气缸（14），且下烧结座（1）的上部左右两侧均开设有侧凹口（15）,第一伸缩气缸（14）位于侧凹口（15）内，第一伸缩气缸（14）的上端固定在提纯槽（3）外，并且下烧结座（1）上端面左右两部均设置有减震...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚玉红，汪海燕，李建恒，朱思坤，
申请(专利权)人：铜陵安德科铭电子材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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