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本技术提供了一种半导体原材料提纯烧结装置，涉及半导体原材料提纯技术领域，包括下烧结座、烧结槽和提纯槽；所述下烧结座内上部安装有烧结槽，且烧结槽内套置有提纯槽，所述提纯槽在垂直方向升降活动，且提纯槽的上端设置有上边框，并且上边框上盖置有盖板；...
该专利属于铜陵安德科铭电子材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铜陵安德科铭电子材料科技有限公司授权不得商用。

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