【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种检测晶圆充电的方法。
技术介绍
1、半导体制造过程中，涉及光刻、刻蚀、离子注入、成膜等等过程；晶圆充电通常会导致形成电弧及刻蚀异常等工艺流程。
2、如何快速有效的检测晶圆充电对于工艺优化尤为重要；业内目前主要通过目前主要通过引入充电的方式反向测试晶圆充电情况，这种方式对晶圆本身存在一定危害。
3、因此需要提出一种新的方法来解决上述问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种检测晶圆充电的方法，用于解决现有技术中晶圆在工艺过程中充电导致形成电弧及刻蚀异常的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种检测晶圆充电的方法，该方法至少包括：
3、步骤一、提供晶圆；
4、步骤二、所述晶圆进行光刻；
5、步骤三、对光刻后的所述晶圆进行关键尺寸量测；
6、步骤四、对所述晶圆进行光学缺陷检测，确认缺陷分布，依据所述缺陷分布确定晶圆的充电分布。
7、优选地，步骤一中的所述晶圆为待检测充电的晶圆。
8、优选地，步骤二中对所述晶圆进行光刻包括：在所述晶圆上旋涂光刻胶，之后进行曝光、显影，形成光刻胶图形。
9、优选地，步骤三中对所述晶圆进行关键尺寸量测包括：对所述晶圆上显影后形成的光刻胶图形进行关键尺寸量测。
10、优选地，步骤三中采用cd-sem量测机台对所述晶圆的光刻胶图形进行关键尺
11、优选地，步骤三中对所述晶圆进行关键尺寸量测的过程中导致晶圆充电。
12、优选地，步骤四中对所述晶圆上的光刻胶图形进行光学缺陷检测。
13、优选地，步骤四中利用自动外观检机台对所述晶圆上的光刻胶图形进行光学缺陷检测。
14、如上所述，本专利技术的检测晶圆充电的方法，具有以下有益效果：本专利技术通过晶圆进行光学缺陷检测，有利于解释光刻胶图形的剥落以及关键尺寸的均一性呈现与晶圆充电分布一致的现象，通过光学检测避免反向充电检测缺陷而导致晶圆受损的现象。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种检测晶圆充电的方法，其特征在于，该方法至少包括：
2.根据权利要求1所述的检测晶圆充电的方法，其特征在于：步骤一中的所述晶圆为待检测充电的晶圆。
3.根据权利要求1所述的检测晶圆充电的方法，其特征在于：步骤二中对所述晶圆进行光刻包括：在所述晶圆上旋涂光刻胶，之后进行曝光、显影，形成光刻胶图形。
4.根据权利要求3所述的检测晶圆充电的方法，其特征在于：步骤三中对所述晶圆进行关键尺寸量测包括：对所述晶圆上显影后形成的光刻胶图形进行关键尺寸量测。
5.根据权利要求4所述的检测晶圆充电的方法，其特征在于：步骤三中采用CD-SEM量测机台对所述晶圆的光刻胶图形进行关键尺寸量测。
6.根据权利要求1所述的检测晶圆充电的方法，其特征在于：步骤三中对所述晶圆进行关键尺寸量测的过程中导致晶圆充电。
7.根据权利要求1所述的检测晶圆充电的方法，其特征在于：步骤四中对所述晶圆上的光刻胶图形进行光学缺陷检测。
8.根据权利要求7所述的检测晶圆充电的方法，其特征在于：步骤四中利用自动外观检机台对所述晶圆上的光刻胶图
...【技术特征摘要】
1.一种检测晶圆充电的方法，其特征在于，该方法至少包括：
2.根据权利要求1所述的检测晶圆充电的方法，其特征在于：步骤一中的所述晶圆为待检测充电的晶圆。
3.根据权利要求1所述的检测晶圆充电的方法，其特征在于：步骤二中对所述晶圆进行光刻包括：在所述晶圆上旋涂光刻胶，之后进行曝光、显影，形成光刻胶图形。
4.根据权利要求3所述的检测晶圆充电的方法，其特征在于：步骤三中对所述晶圆进行关键尺寸量测包括：对所述晶圆上显影后形成的光刻胶图形进行关键尺寸量测。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：董俊，金佩，张其学，王雷，宋振伟，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。