【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工设备，更具体地说涉及一种原子层沉积设备的工艺腔机构。
技术介绍
1、原子层沉积(atomic layer deposition，简称ald)是一种先进的薄膜制备技术，可以在目标基材上以单原子膜形式一层一层地镀上所需的物质。这种工艺具有高精度、高纯度和高致密性等特点，因此在微电子、光学、生物医学等领域具有广泛的应用前景。
2、而作为ald设备核心的工艺腔是用于通入反应源气体，流向并沉积到晶圆表面的装置，晶圆布置在工艺腔内。为了提高晶圆的沉积效率，增加产能，一般使用装载篮盛放多组托架，托架在装载篮中横向并列排布，晶圆均匀码放在托架的定位槽中，以此来达到一腔多片(晶圆)的提产目的；反应源气体横向流经提篮中并列布置托架上的晶圆表面，提高沉积效率和质量，而且其一般是一个工艺腔中横向放置多个装载篮，为了方便装载篮的装卸，其相邻两个装载篮之间的间距较大，为了保证所有晶圆都能够得到气体的接触反应，因此，就需要保证气体的流畅流动，使得工艺腔与所有装载篮之间的间隙需要足够大，使得整个工艺腔的体积需要很大，需要通入较多的反...
【技术保护点】
1.一种原子层沉积设备的工艺腔机构，包括加热上盖板(10)、加热筒体(20)和加热下盖板(30)，加热下盖板(30)固定在加热筒体(20)的底面上并覆盖加热筒体(20)的底部，加热筒体(20)的顶面固定有加热上盖板(10)并覆盖加热筒体(20)的顶部，其特征在于：所述加热上盖板(10)的底面安装有顶部加热丝(1)，加热下盖板(30)的顶面固定有底部加热丝(3)，加热筒体(20)的内侧壁处安装有竖直螺旋状延伸盘绕的中部加热丝(2)；
2.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备的工艺腔机构，其特征在于：所述加热筒体(20)的内侧壁上固定有保温层(21)，保温层...
【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积设备的工艺腔机构，包括加热上盖板(10)、加热筒体(20)和加热下盖板(30)，加热下盖板(30)固定在加热筒体(20)的底面上并覆盖加热筒体(20)的底部，加热筒体(20)的顶面固定有加热上盖板(10)并覆盖加热筒体(20)的顶部，其特征在于：所述加热上盖板(10)的底面安装有顶部加热丝(1)，加热下盖板(30)的顶面固定有底部加热丝(3)，加热筒体(20)的内侧壁处安装有竖直螺旋状延伸盘绕的中部加热丝(2)；
2.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备的工艺腔机构，其特征在于：所述加热筒体(20)的内侧壁上固定有保温层(21)，保温层(21)的内侧壁上固定有加热筒壁层(22)，中部加热丝(2)的外壁面紧贴或靠近加热筒壁层(22)的内侧壁，中部加热丝(2)的中部插套有等温层(23)，等温层(23)的外侧壁靠近中部加热丝(2)的内壁面，保温层(21)、加热筒壁层(22)和等温层(23)的底面固定在加热下盖板(30)的顶面上，保温层(21)、加热筒壁层(22)和等温层(23)的顶面压靠或靠近加热上盖板(10)的底面。
3.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备的工艺腔机构，其特征在于：所述晶盘装载篮(40)包括晶盘底板(41)、晶盘顶板(42)和多个上下压靠并对齐的托盘(43)；
4.根据权利要求3所述的一种原子层沉积设备的工艺腔机构，其特征在于：所述托盘(43)的底面成型有多个下导气凹槽(433)，下导气凹槽(433)与对应的下方的圆形放置凹槽(432)相通并处于对应的下方的圆形放置凹槽(432)的上方，托盘(43)的中部成型有中心通孔(435)，所有托盘(43)的中心通孔(435)上下对齐并相通，下导气凹槽(433)的内端与对应的中心通孔(435)相通；
5.根据权利要求4所述的一种原子层沉积设备的工艺腔机构，其特征在于：所述下导气凹槽(433)的外端向外延伸伸出托盘(43)的外侧壁和对应的弧形凸起部(431)的外侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜欢，张素梅，孔德君，叶雷江，
申请(专利权)人：浙江大学绍兴研究院，
类型：发明
国别省市：
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