【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造技术的领域，具体涉及一种工艺腔处理方法。
技术介绍
1、cvd是半导体制造领域的重要组成部分，它是将sih4/o2等反应气体通入工艺腔，在射频的作用下反应气体被解离成离子浆，从而在放置在加热台上的晶圆上生长薄膜。然而，薄膜在晶圆上生长的同时，还会在腔体侧壁生长，当侧壁薄膜累积到一定程度时，会脱落形成颗粒，所以一般会定期对工艺腔进行清洗。
2、目前，对工艺腔的清洗通常是通过向腔体内通入f离子，f离子与腔体内的薄膜反应生成气态的sif4，达到清洗的作用。然而，随着加热台使用时间的增加，生长薄膜的sigma会逐渐上升，即薄膜的均匀性会逐渐变差。因此，需要定期更换加热台或者对加热台进行打磨，加热台的使用寿命不理想。
技术实现思路
1、为了提高加热台的使用寿命，本申请提供了一种工艺腔处理方法。
2、本申请实施例提供了一种工艺腔处理方法，所述方法应用于工艺腔，所述工艺腔中设置有加热台，所述方法包括：
3、在加热台表面沉积薄膜层；
<...【技术保护点】
1.一种工艺腔处理方法，其特征在于，所述方法应用于工艺腔，所述工艺腔中设置有加热台，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层的材质为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在加热台表面沉积薄膜层的步骤中，采用化学气相沉积工艺沉积所述薄膜层。
4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述薄膜层的厚度为1000-2000A。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述同步清洗所述加热台和工艺腔腔体的步骤中，通过所述工艺腔内的喷淋头向所述工艺腔的腔体内通入NF3，...
【技术特征摘要】
1.一种工艺腔处理方法，其特征在于，所述方法应用于工艺腔，所述工艺腔中设置有加热台，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层的材质为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在加热台表面沉积薄膜层的步骤中，采用化学气相沉积工艺沉积所述薄膜层。
4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述薄膜层的厚度为1000-20...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱朕，陈辰，侯照海，金立培，吴坚，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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