【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体硅片研磨设备相关，具体涉及一种半导体硅片的双面研磨设备。
技术介绍
1、硅片又称硅晶圆片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成集成电路和各种半导体器件，而硅片在进行生产加工的时候，就会使用半导体硅片研磨机对半导体硅片进行双面研磨的设备，使硅片的ttv值和厚度偏差达到一定标准，为后续抛光工序做准备；目前，现有的半导体硅片研磨机技术存在以下问题：1、上盘和下盘转速比为一定值，就会导致该设备的适应性变窄；2、设备中轴系的旋转都采用了滚动轴承，由于半导体硅片的研磨对设备精度和稳定性要求很高，特别是下盘转动时下盘平面的跳动值，滚动轴承在使用一段时间后，会产生一定磨损，导致下盘转动不稳定，平面的跳动值超差；
2、如公开号为cn212683549u所公开的一种半导体硅片双面研磨设备，其包括主机，主机包括上下设置的上盘组件及下盘组件，上盘组件包括上研磨盘，下盘组件包括与上研磨盘对向设置的下研磨盘，下研磨盘的底部设置有用于带动下研磨盘平稳转动的静压回转支撑装置，连接静压回转支撑装置设置有第...
【技术保护点】
1.一种半导体硅片的双面研磨设备，包括支撑架(1)、工作台(9)、下研磨机构、上研磨机构和喷液机构，其特征在于：所述工作台(9)上设有用于对半导体硅片下表面研磨的下研磨机构，所述工作台(9)的上表面中部焊接有支撑架(1)，所述支撑架(1)上设有用于对半导体硅片上表面研磨的上研磨机构，所述上研磨机构的下侧外壁和工作台(9)的后端面上设有用于研磨降温和研磨工作的喷液机构。
2.根据权利要求1所述的一种半导体硅片的双面研磨设备，其特征在于：所述下研磨机构包括第一驱动组件和下研磨组件，所述第一驱动组件安装在工作台(9)上，所述下研磨组件设置在工作台(9)的上表面，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体硅片的双面研磨设备，包括支撑架(1)、工作台(9)、下研磨机构、上研磨机构和喷液机构，其特征在于：所述工作台(9)上设有用于对半导体硅片下表面研磨的下研磨机构，所述工作台(9)的上表面中部焊接有支撑架(1)，所述支撑架(1)上设有用于对半导体硅片上表面研磨的上研磨机构，所述上研磨机构的下侧外壁和工作台(9)的后端面上设有用于研磨降温和研磨工作的喷液机构。
2.根据权利要求1所述的一种半导体硅片的双面研磨设备，其特征在于：所述下研磨机构包括第一驱动组件和下研磨组件，所述第一驱动组件安装在工作台(9)上，所述下研磨组件设置在工作台(9)的上表面，第一驱动组件驱动下研磨组件完成研磨工作。
3.根据权利要求2所述的一种半导体硅片的双面研磨设备，其特征在于：所述第一驱动组件包括第二电动液压杆(17)、安装板(18)、凹字形连接架(31)、两个通孔方座(33)和齿轮(27)，所述安装板(18)焊接在工作台(9)的顶部内壁上，所述安装板(18)的左端面中部安装有第二电动液压杆(17)，且第二电动液压杆(17)的伸缩杆贯穿伸出安装板(18)，所述安装板(18)的右端上下两侧均焊接有两个第一导杆(30)，其中，上侧的两个第一导杆(30)的外壁和下侧的两个第一导杆(30)的外壁均滑动套设有一个双孔滑块(32)，同时，上侧的两个第一导杆(30)的右端和下侧的两个第一导杆(30)的右端均焊接有一个通孔方座(33)，上侧的通孔方座(33)焊接在工作台(9)的顶部，两个所述双孔滑块(32)的右端面中部焊接有凹字形连接架(31)，且凹字形连接架(31)位于四个第一导杆(30)之间，同时，第二电动液压杆(17)的伸缩杆的右侧与凹字形连接架(31)的左端面套接，两个所述双孔滑块(32)之间转动连接有第二圆杆(35)，所述第二圆杆(35)的上下两侧外壁套接有两个半圆球(20)，下侧的双孔滑块(32)的下表面安装有第二驱动电机(19)，且第二驱动电机(19)驱动第二圆杆(35)旋转，两个所述通孔方座(33)之间转动连接有第一圆杆(29)，且第一圆杆(29)的顶部分别贯穿伸出上侧的通孔方座(33)和工作台(9)的顶部，所述第一圆杆(29)的上侧外壁套接有齿轮(27)，且齿轮(27)位于工作台(9)的上表面，所述第一圆杆(29)的上下两侧外壁滑动套设有两个圆锥台(21)，所述第一圆杆(29)的中部外壁套设有第一弹簧(34)，且第一弹簧(34)的两端与两个圆锥台(21)接触。
4.根据权利要求3所述的一种半导体硅片的双面研磨设备，其特征在于：所述第一圆杆(29)的前侧外壁设有径向的滑轨，所述圆锥台(21)的中部开设有与第一圆杆(29)相匹配的通孔，通孔的前侧开设有与滑轨相配的滑槽，通过滑轨，圆锥台(21)带动第一圆杆(29)旋转。
5.根据权利要求3所述的一种半导体硅片的双面研磨设备，其特征在于：所述下研磨组件包括下研磨盘(22)、游星轮(23)、中心圆柱(25)、三个连接圆轴(26)、中心圆柱(25)和多个第一圆柱(6)，所述中心圆柱(25)焊接在工作台(9)的上表面中部，所述中心圆柱(25)的上表面设有多个环形分布的第二圆柱(24)，所述中心圆柱(25)的外壁转动套设有下研磨盘(22)，所述下研磨盘(22)的下表面开设有环形凹槽(37)，所述环形凹槽(37)靠近下研磨盘(22)边沿一侧的内壁开设有多个环形分布的锯齿槽(36)，且锯齿槽(36)与齿轮(27)啮合，三个所述连接圆轴(26)焊接在工作台(9)的上表面，且三个连接圆轴(26)位于环形凹槽(37)的内部，三个所述连接圆轴(26)的外壁转动套设有圆轮(28)，且圆轮(28)的轮边与环形凹槽(37)的内壁接触，所述下研磨盘(22)的边沿外壁焊接有多个环形分布的第一圆柱(6)，所述下研磨盘(22)的上表面设有多个游星轮(23)，且多个游星轮(23)分别与多个第二圆柱(24)和多个第一圆柱(6)啮合。
6.根据权利要求5所述的一种半导体硅片的双面研磨设备，其特征在于：所述游星轮(23)上开设有多个硅片放置槽，所述游星轮(23)的边沿开设有多个环形分布的u型卡槽，且游星轮(23)通过u型卡槽分别与第二圆柱(24)和第一圆柱(6)啮合，同时，游星轮(23)环绕中心圆柱(25)旋转。
7.根据权利要求1所述的一种半导体硅片的双面研磨设备，其特征在于：所述上研磨机构包括第...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢卫国，王茜，
申请(专利权)人：苏州齐芯技术服务合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：
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