【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，特别是涉及一种晶圆的切割方法。
技术介绍
1、在半导体行业的发展过程中，为了实现芯片的不同功能，需要设计出不同材质的晶圆，并且还需要对其进行开槽和切割才能够使用；现有的晶圆通常直接使用传统的激光开槽和机械切割的方法对其操作，而具有单层低k(low-k)超薄膜材质的微型电子机械系统(mems)的晶圆切割无法直接使用传统的激光开槽和机械切割的方法。由于传统的激光开槽和机械切割的方法容易导致二次机械切割时切割水的水压压坏芯片(晶圆)薄膜，从而导致芯片(晶圆)失效。
2、为此，亟需提出一种晶圆的切割方法，以有效解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提出一种晶圆的切割方法，能够保证切割效果，从而保证工作效率。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆的切割方法，包括：
3、s1、对晶圆表面涂覆光刻胶，并对晶圆的切割道进行蚀刻；
4、s2、对晶圆的正面进行第一次贴膜并加热固化；
5、s3、对晶圆正面进行第二次贴膜；
6、s4、将晶圆先进行激光开槽，然后进行切割将晶圆切穿；
7、s5、将切割好的晶圆浸泡于混合溶液中将晶圆表面的所述光刻胶进行溶解；
8、s6、将晶圆的超薄膜带微型结构面朝上放置，并用气枪将晶圆上的液体吹干。
9、进一步的，在步骤s2中，所述第一次贴膜采用蓝膜，加热固化温度介于160～220℃。
10、进一步的，在步骤
11、进一步的，在步骤s5中，所述将切割好的晶圆浸泡于含有丙酮和酒精的混合溶液中将所述光刻胶溶解。
12、进一步的，在步骤s6中，通过夹具将晶圆从所述切割膜取下。
13、进一步的，所述夹具包括不锈钢镊子。
14、进一步的，在步骤s6中，将晶圆放置在静电自粘摆盘。
15、进一步的，所述气枪为充有微量氮气流量的气枪。
16、进一步的，所述方法还包括：s7、将晶圆全部处理完后存放于指定处待使用。
17、进一步的，所述指定处包括真空氮气柜。
18、通过上述技术方案，本专利技术具有如下有益效果：
19、通过下述步骤：s1、对晶圆表面涂覆光刻胶，并对晶圆的切割道进行蚀刻；s2、对晶圆的正面进行第一次贴膜并加热固化；s3、对晶圆正面进行第二次贴膜；s4、将晶圆先进行激光开槽，然后进行切割将晶圆切穿；s5、将切割好的晶圆浸泡于混合溶液中将晶圆表面的光刻胶进行溶解；s6、将晶圆的超薄膜带微型结构面朝上放置，并用气枪将晶圆上的液体吹干。本方法能够保证切割效果，从而保证工作效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在步骤S2中，所述第一次贴膜采用蓝膜，加热固化温度介于160～220℃。
3.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在步骤S3之后，在步骤S4之前，还包括：将晶圆固定于切割膜上。
4.如权利要求3所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在步骤S5中，所述将切割好的晶圆浸泡于含有丙酮和酒精的混合溶液中将所述光刻胶溶解。
5.如权利要求4所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在步骤S6中，通过夹具将晶圆从所述切割膜取下。
6.如权利要求5所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述夹具包括不锈钢镊子。
7.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在步骤S6中，将晶圆放置在静电自粘摆盘。
8.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述气枪为充有微量氮气流量的气枪。
9.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述方法还包括：S7、将晶圆全部处理完后存放于指定处待使用。
10.
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在步骤s2中，所述第一次贴膜采用蓝膜，加热固化温度介于160～220℃。
3.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在步骤s3之后，在步骤s4之前，还包括：将晶圆固定于切割膜上。
4.如权利要求3所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在步骤s5中，所述将切割好的晶圆浸泡于含有丙酮和酒精的混合溶液中将所述光刻胶溶解。
5.如权利要求4所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在步骤s6中，通过夹...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛文龙，唐伟炜，宋志颖，张竞扬，张藤飞，李孝波，蒋祖胜，冯磊，邵鹏，肖斌，李正辉，王军，
申请(专利权)人：重庆摩尔精英速芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。