一种硅片Q-time动态管控装置制造方法及图纸

本技术公开了一种硅片Q‑time动态管控装置，用于硅片产线之间的暂存，包括用于对前道工序产出的硅片进行暂存的暂存区，在暂存区的入口和出口处均设置有花篮计数器，通过花篮计数器对上料和下料的数量进行计数，在暂存区处设置转运AGV，转运AGV和花篮计数器均与数据终端处理PC电连接，数据终端处理PC通过花篮计数器的计数结果进行暂存量的判断，控制转运AGV将超Q‑time的硅片运送至返工区；本技术采用花篮计数器对暂存量进行实时统计，当暂存量超上限时自动报警，转运AGV对超Q‑time片自动清理，保证其他正常片的正常流转，且生产过程中待料现象可以有效避免，保证生产节奏的流畅性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅片生产，具体涉及一种硅片q-time动态管控装置。

技术介绍

1、topcon电池片的核心提效为超薄氧化层隧穿+掺磷多晶硅结构，该结构能够实现电子的选择性透过，提升了开压；另外，金属栅线和多晶硅层的良好接触提升了ff；同时，topcon结构属于一维传输结构，载流子可以直接高效的通过氧化层进行一维纵向传输，使得电流传输路径达到最短，避免了载流子在二维传输过程中引起的复合，降低了电池的串阻，使得电池具有更高的填充因子，因而可以获得更高的光电转换效率。该结构中，超薄氧化层的厚度成为工艺管控的关键因素，如氧化层太薄，在磷扩散过程中易出现扩穿，在退火过程中易出现氧化层破裂，从而导致隧穿层失效，出现大规模暗片；如氧化层过厚，则导致电子难以穿过隧穿层，导致载流子传输受阻，串阻过大，ff偏低，同样导致暗片。因此，工艺需要在工艺过程中严格控制温度、压力、流量、时间等因素，从而制得均匀、厚度恰当的氧化层。不幸的是，硅本身在空气中遇水汽容易被氧化形成氧化硅，由此形成的氧化硅一方面会成为隧穿氧化硅的一部分，影响电子隧穿，另一方面，由于其质地不够紧密和均匀，其隧穿效果不佳，最终成为隧穿层生产制备过程中的重要干扰项，需要予以避免。控制自然氧化层生长的方法包括控制温湿度和暂存时间。现有的产线上仅通过暂存区进行缓存，并未对流转顺序进行控制，导致部分片快速流转，部分片长期暂存超q-time，导致需要批量返工的问题，影响产线的生产节奏与生产质量。

技术实现思路

1、技术目的：针对上述现有暂存区存在的不足，本技术公开了一种能够对暂存时间进行监控，并控制硅片在暂存区内的流转顺序，减少超q-time片的产生，保证生产节奏的流畅性。

2、技术方案：为实现上述技术目的，本技术采用了如下技术方案：

3、一种硅片q-time动态管控装置，包括用于对前道工序产出的硅片进行暂存的暂存区，在暂存区的入口和出口处均设置有花篮计数器，通过花篮计数器对上料和下料的数量进行计数，判断暂存区的暂存量；在暂存区处设置转运agv，转运agv和花篮计数器均与数据终端处理pc电连接，数据终端处理pc通过花篮计数器的计数结果进行暂存量的判断，控制转运agv将超q-time的硅片运送至返工区。

4、优选地，本技术的暂存区分为上料区和下料区，硅片在暂存区内按照进入顺序排布，先进入的硅片在出料时优先输送至后续的硅片产线。

5、优选地，本技术的暂存区在出口处设有超时报警器，所述超时报警器与数据终端处理pc电连接，数据终端处理pc根据暂存区的暂存硅片数量，判断是否存在是否超出q-time的硅片。

6、优选地，本技术的暂存区的暂存硅片量根据硅片前道产线的吞吐能力、硅片后道产线的吞吐能力以及硅片的暂存要求时间进行设计。

7、优选地，本技术的暂存区的暂存量其中t1为硅片前道产线的吞吐能力，单位为min/2000pcs；t2为硅片后道产线的吞吐能力，单位为min/2000pcs；t3为工艺要求q-time，单位为min。

8、有益效果：本技术采用花篮计数器对硅片产线间暂存量进行实时统计，当暂存量超上限时自动报警，agv对超q-time片进行自动清理，保证其他正常片的正常流转，所有暂存电池片能够保证不超q-time，且生产过程中待料现象可以有效避免，保证生产节奏的流畅性。

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【技术保护点】

1.一种硅片Q-time动态管控装置，用于硅片产线之间的暂存，其特征在于，包括用于对前道工序产出的硅片进行暂存的暂存区(1)，在暂存区(1)的入口和出口处均设置有花篮计数器(2)，通过花篮计数器(2)对上料和下料的数量进行计数，判断暂存区(1)的暂存量；在暂存区(1)处设置转运AGV(3)，转运AGV(3)和花篮计数器(2)均与数据终端处理PC(4)电连接，数据终端处理PC(4)通过花篮计数器(2)的计数结果进行暂存量的判断，控制转运AGV(3)将超Q-time的硅片运送至返工区；所述暂存区(1)分为上料区和下料区，硅片在暂存区内按照进入顺序排布，先进入的硅片在出料时优先输送至后续的硅片产线。

2.根据权利要求1所述的一种硅片Q-time动态管控装置，其特征在于，所述暂存区(1)在出口处设有超时报警器(5)，所述超时报警器(5)与数据终端处理PC(4)电连接，数据终端处理PC(4)根据暂存区(1)的暂存硅片数量，判断是否存在是否超出Q-time的硅片。

3.根据权利要求1所述的一种硅片Q-time动态管控装置，其特征在于，所述暂存区(1)的暂存硅片量根据硅片前道产线的吞吐能力、硅片后道产线的吞吐能力以及硅片的暂存要求时间进行设计。

4.根据权利要求3所述的一种硅片Q-time动态管控装置，其特征在于，所述暂存区的暂存量其中T1为硅片前道产线的吞吐能力，单位为min/2000pcs；T2为硅片后道产线的吞吐能力，单位为min/2000pcs；T3为工艺要求Q-time，单位为min。

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【技术特征摘要】

1.一种硅片q-time动态管控装置，用于硅片产线之间的暂存，其特征在于，包括用于对前道工序产出的硅片进行暂存的暂存区(1)，在暂存区(1)的入口和出口处均设置有花篮计数器(2)，通过花篮计数器(2)对上料和下料的数量进行计数，判断暂存区(1)的暂存量；在暂存区(1)处设置转运agv(3)，转运agv(3)和花篮计数器(2)均与数据终端处理pc(4)电连接，数据终端处理pc(4)通过花篮计数器(2)的计数结果进行暂存量的判断，控制转运agv(3)将超q-time的硅片运送至返工区；所述暂存区(1)分为上料区和下料区，硅片在暂存区内按照进入顺序排布，先进入的硅片在出料时优先输送至后续的硅片产线。

2.根据权利要求1所述的一种硅片q-time动态管控装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈蕊，田为林，
申请(专利权)人：云南润阳世纪光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：