【技术实现步骤摘要】
所提供的实施方案涉及半导体晶片处理设备工具，并且更具体地，涉及用于向衬底的表面提供不同充气腔的气体的喷头。
技术介绍
1、在半导体制造领域中通常使用多种类型的膜沉积工艺。一些示例性沉积工艺包括原子层沉积(ald)和等离子体增强化学气相沉积(pecvd)。ald工艺使用等离子体能量在衬底表面上沉积非常薄的膜。ald工艺包括一系列投配和清扫步骤，其中，将挥发性气体或蒸气顺序地引入到容纳在处理室中的加热的衬底上并进行清扫。例如，将第一前体作为气体引入，以使气体被吸收或吸附到衬底表面上，并且清除(即清扫)处理室的气态前体。将第二前体作为气体引入，其与吸收的第一前体反应以形成所需材料的原子层。对于许多步骤，重复引入第一和第二气态前体并去除的过程，以限定特定厚度的层。经由通过重复切换两种或多种反应性气体在衬底上的顺序流动来调节该序列，由ald产生的膜一次沉积一个原子层。
2、在pecvd工艺中，液态前体被转化成蒸气前体并被输送到处理室。为了提供蒸气前体，pecvd系统可包括以受控方式蒸发液体前体以产生蒸气前体的蒸发器。
3、...
【技术保护点】
1.一种用于处理衬底的处理室，其包括：
2.根据权利要求1所述的处理室，其中所述单个第一入口通过所述第一流量阀耦合到第一气体源，并且所述多个管道通过所述第二流量阀耦合到第二气体源。
3.根据权利要求1所述的处理室，其中所述多个管道中的每个管道的第一端耦合到沿所述喷头的外围区域限定的边缘充气腔，并且所述每个管道的第二端耦合到所述内部充气腔的外边缘，所述边缘充气腔通过所述第二流量阀耦合到第二气体源以接收第二气体以供给到所述内部充气腔的所述外边缘。
4.根据权利要求3所述的处理室，其中所述边缘充气腔进一步包括，
5.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种用于处理衬底的处理室，其包括：
2.根据权利要求1所述的处理室，其中所述单个第一入口通过所述第一流量阀耦合到第一气体源，并且所述多个管道通过所述第二流量阀耦合到第二气体源。
3.根据权利要求1所述的处理室，其中所述多个管道中的每个管道的第一端耦合到沿所述喷头的外围区域限定的边缘充气腔，并且所述每个管道的第二端耦合到所述内部充气腔的外边缘，所述边缘充气腔通过所述第二流量阀耦合到第二气体源以接收第二气体以供给到所述内部充气腔的所述外边缘。
4.根据权利要求3所述的处理室，其中所述边缘充气腔进一步包括，
5.根据权利要求4所述的处理室，其中所述边缘充气腔中的所述多个第二入口的数量小于将所述边缘充气腔耦合到所述内部充气腔的所述多个管道的数量。
6.根据权利要求1所述的处理室，其中所述第一流量阀经配置以控制进入所述内部充气腔的所述第一气体的第一流速以覆盖限定在所述衬底支撑表面上方的所述第一处理区域，且所述第二流量阀经配置以控制进入所述内部充气腔的所述第二气体的第二流速以覆盖限定在所述衬底支撑表面上方的第二处理区域。
7.根据权利要求6所述的处理室，其中所述第一流量阀和所述第二流量阀被配置为同时操作以控制供应到所述内部充气腔的所述第一气体的所述第一流速和所述第二气体的所述第二流速。
8.根据权利要求1所述的处理室，其中所述内部充气腔和所述多个出口的直径被限定为覆盖至少等于所述衬底支撑表面的直径的区域。
9.根据权利要求1所述的处理室，其中所述多个管道耦合至中心通道，所述中心通道限定为围绕所述喷头中的所述单个第一入口，所述中心通道通过所述第二流量阀耦合至第二气体源以接收所述第二气体并供应至所述内部充气腔的外边缘。
10.根据权利要求1所述的处理室，其中所述第一流量阀和所述第二流量阀耦合到控制器，所述控制器被配置为分别向所述第一流量阀提供第一信号以调整进入所述内部充气腔的所述第一气体的第一流速以及向所述第二流量阀提供第二信号以调整进入所述内部充气腔的所述第二气体的第二流速。
11...
【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·菲利普·罗伯茨，埃里克·拉塞尔·马德森，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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