【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体装置，并且可以适用于例如包括作为功率开关元件的晶体管的半导体装置。
技术介绍
1、例如，诸如ldmosfet(横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的功率开关元件被用在诸如逆变器电路的功率转换电路中。尽管功率开关元件被形成在半导体衬底中，但是构成其他电路的晶体管可以一起被形成在其中形成功率开关元件的半导体衬底中。
2、下面列出了公开的技术。
3、[专利文献1]日本未审查专利申请公开号2013-247120
4、[非专利文献1]t.nitta，y.yoshihisa，t.kuroi，k.hatasako，s.maegawa和k.onishi，“enhanced active protection technique for substrate minority carrierinjection in smart power ic”，2012年第24届国际会议功率半导体装置和ic研讨会，比利时布鲁日，2012年，第205-208页
5、专利文献1和非专利文献1描述了针对具有有源阻挡结构的半导体装置的技术。
技术实现思路
1、在具有功率开关元件的半导体装置中，期望尽可能地改进性能。
2、根据本说明书的描述和附图，其他目的和新颖特征将变得明显。
3、根据一个实施例，半导体装置包括：半导体衬底、形成在半导体衬底的上表面上的第一元件区域中的第一导电类型的第一晶体管，以及形成在半导体衬底的上表面上的第二元
4、根据一个实施例，可以改进半导体装置的性能。
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，
11.根据权利要求1所述的半导体装置，
12.根据权利要求1所述的半导体装置，
13.根据权利要求1所述的半导体装置，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，
15.根据权利要求1所述的半导体装置，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：小清水亮，中柴康隆，河合彻，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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