光电集成式半导体封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种光电集成式半导体封装结构及其制备方法，通过制备复合功能芯片，使得复合功能芯片的一侧具有电金属布线层以结合金属柱及重新布线层进行电传输，另一侧则具有光波导布线层以结合光芯片进行光传输，从而可实现光芯片与电芯片的组合封装，实现光电集成，减小封装尺寸、降低功耗、提高可靠性，且适用于高密度集成封装，可实现良好的光电信号传输。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造，涉及一种光电集成式半导体封装结构及其制备方法。

技术介绍

1、随着大数据、人工智能、远程医疗、物联网、电子商务、5g通信的不断发展，全球数据流量爆发式地增长，更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。

2、在半导体封装结构中，功能芯片如asic(application specific integratedcircuit，专用集成电路)芯片与hbm(high bandwidth memory，高带宽存储器)芯片通常是设置在rdl(re-distribution layer，重布线层)上的，并通过rdl来进行电性连接和信号沟通，但通过rdl进行功能芯片之间的电性连接和信号沟通，因传输路径的长度、分布设置等，可能会导致传输信号的失真。

3、由于光具有信号衰减小、能耗低、高带宽以及与cmos兼容等优良性能，业界普遍认为将光技术引入半导体制程中，既可减小芯片尺寸、降低成本与功耗，还可提高可靠性。从而功能芯片间可通过光纤以端面耦合(edge coupling)的方式进行耦光连接，但随着芯片间距的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电集成式半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的光电集成式半导体封装结构的制备方法，其特征在于：在形成所述凹槽的步骤与形成所述光波导布线层的步骤之间，还包括形成覆盖所述凹槽底部及侧壁的第二遮光保护层的步骤。

3.根据权利要求1所述的光电集成式半导体封装结构的制备方法，其特征在于：形成所述光波导布线层的方法包括半导体曝光显影法，形成的所述光波导布线层包括有机聚合物光波导布线层、硅基光波导布线层、铌酸锂光波导布线层或硼酸锂光波导布线层。

4.根据权利要求1所述的光电集成式半导体封装结构的制备方法，其特征在于：...

【技术特征摘要】

1.一种光电集成式半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的光电集成式半导体封装结构的制备方法，其特征在于：在形成所述凹槽的步骤与形成所述光波导布线层的步骤之间，还包括形成覆盖所述凹槽底部及侧壁的第二遮光保护层的步骤。

3.根据权利要求1所述的光电集成式半导体封装结构的制备方法，其特征在于：形成所述光波导布线层的方法包括半导体曝光显影法，形成的所述光波导布线层包括有机聚合物光波导布线层、硅基光波导布线层、铌酸锂光波导布线层或硼酸锂光波导布线层。

4.根据权利要求1所述的光电集成式半导体封装结构的制备方法，其特征在于：形成所述第一遮光保护层的方法包括半导体曝光显影法，形成的所述第一遮光保护层包括金属第一遮光保护层或有机无机复合第一遮光保护层。

5.根据权利要求1所述的光电集成式半导体封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：